检索结果-内蒙古大学图书馆

金属学报 2003年第11期39卷 1167-1169页

作者：戴玉蓉包鹏沈惠敏朱劲松王业宁南京大学物理系固体微结构国家重点实验室南京210093

通过差热分析(DSC)、内耗以及Young’s模量等测量了PZT铁电陶瓷材料的相变行为.结果表明,在261和225 K各出现一个内耗峰.前者与DSC探测到的峰温一致,对应于从四方到单斜的一级相变;后者峰形不对称,对应的Young’s模量有突变,但在DSC上... 详细信息

通过差热分析(DSC)、内耗以及Young’s模量等测量了PZT铁电陶瓷材料的相变行为.结果表明,在261和225 K各出现一个内耗峰.前者与DSC探测到的峰温一致,对应于从四方到单斜的一级相变;后者峰形不对称,对应的Young’s模量有突变,但在DSC上无反映,这可能与界面的运动有关,即与相变的稳态内耗有关.

关键词：铁电体相变内耗 Young’s模量差热分析

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稀土掺杂锰氧化物庞磁电阻效应

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物理学进展 2005年第1期25卷 82-130页

作者：刘俊明王克锋南京大学物理系固体微结构物理国家实验室南京210093

　过去十多年来,具有庞磁电阻效应的稀土掺杂锰氧化物成为了凝聚态物理研究的重要领域。锰氧化物的载流子自旋极化率高,且在居里温度附近表现出很大的磁电阻效应,因此在自旋电子学中有潜在的应用前景。另一方面,锰氧化物是典型的强关联... 详细信息

　过去十多年来,具有庞磁电阻效应的稀土掺杂锰氧化物成为了凝聚态物理研究的重要领域。锰氧化物的载流子自旋极化率高,且在居里温度附近表现出很大的磁电阻效应,因此在自旋电子学中有潜在的应用前景。另一方面,锰氧化物是典型的强关联电子体系,它对目前有关强关联体系的认识提出了很大挑战。本文综述了锰氧化物的各种性质及其物理原因。全文首先概述了锰氧化物的庞磁电阻效应及其晶格和电子结构,简单介绍了其他一些庞磁电阻材料;随后综述了锰氧化物的电荷/轨道有序相及其输运性质;在第四部分简单介绍了锰氧化物中庞磁电阻效应的机制;最后讨论了锰氧化物的一些可能的应用,如低场磁电阻效应、磁隧道结、磁p＿n结以及全钙钛矿的场效应管和自旋极化电子注入装置等。

关键词：锰氧化物庞磁电阻效应自旋极化电子凝聚态物理输运性质电子结构稀土掺杂居里温度磁隧道结自旋电子学

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铁磁-绝缘层-d波超导结中的Andreev反射特性

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物理学报 2000年第11期49卷 2276-2280页

作者：董正超陈贵宾邢定钰董锦明南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室淮阴师范学院物理系淮阴223001

考虑到铁磁层中的磁交换作用和界面散射效应 ,利用推广的Blonder Tinkham Klapwijk散射理论 ,计算铁磁绝缘层 d波超导结中的准粒子输运系数与隧道谱 .研究表明 :铁磁层中的交换场能抑制Andreev反射 ,使得依赖于准粒子入射角的Andreev... 详细信息

考虑到铁磁层中的磁交换作用和界面散射效应 ,利用推广的Blonder Tinkham Klapwijk散射理论 ,计算铁磁绝缘层 d波超导结中的准粒子输运系数与隧道谱 .研究表明 :铁磁层中的交换场能抑制Andreev反射 ,使得依赖于准粒子入射角的Andreev反射表现出瞬息波的行为。

关键词： Andreev反射 d波超导隧道谱铁磁-绝缘层

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机械合金化Fe-Si合金的微结构与磁性

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物理学报 1997年第11期46卷 2250-2257页

作者：周铁军王敦辉章建荣都有为王锦辉陈允鸿南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室扬州大学师范学院物理系

用机械合金化方法制备了不同成分的ＦｅＳｉ合金．其晶粒具有αＦｅ结构，粒径为十几到几十纳米，且晶格存在严重畸变．它们的饱和磁化强度σｓ与Ｓｉ含量近似成线性关系，只是稍小于相应的单晶和多晶ＦｅＳｉ合金，而其矫顽力Ｈ... 详细信息

用机械合金化方法制备了不同成分的ＦｅＳｉ合金．其晶粒具有αＦｅ结构，粒径为十几到几十纳米，且晶格存在严重畸变．它们的饱和磁化强度σｓ与Ｓｉ含量近似成线性关系，只是稍小于相应的单晶和多晶ＦｅＳｉ合金，而其矫顽力Ｈｃ和有效各向异性常数Ｋｅｆｆ却远大于相应的单晶和多晶ＦｅＳｉ合金．它们的磁谱除Ｆｅ７５Ｓｉ２５外都是弛豫型的，其磁导率的大小与相应的铁氧体复合材料差不多．在它们的磁化过程中，畴壁位移占主导地位．

关键词：机械合金化铁硅合金微结构软磁合金

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MnBi磁性多层膜磁光科尔效应的数值模拟

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物理学报 2004年第2期53卷 606-613页

作者：林应斌赖恒黄志高都有为福建师范大学物理系激光所福州350007 南京大学固体微结构国家重点实验室南京210093

基于各向异性的平面电磁波传输理论和 4× 4矩阵法 ,计算了MnBi,Mn0 53Bi0 4 7,Mn0 52 Bi0 4 4Sb0 0 4 磁性多层膜系列的磁光科尔旋转角、椭圆率随波长、入射角、磁性层厚度变化曲线 .计算结果表明 ,模拟的科尔旋转角、椭圆率... 详细信息

基于各向异性的平面电磁波传输理论和 4× 4矩阵法 ,计算了MnBi,Mn0 53Bi0 4 7,Mn0 52 Bi0 4 4Sb0 0 4 磁性多层膜系列的磁光科尔旋转角、椭圆率随波长、入射角、磁性层厚度变化曲线 .计算结果表明 ,模拟的科尔旋转角、椭圆率随波长变化规律与实验结果吻合很好 ;在一定波长的垂直入射下 ,模拟的科尔旋转角、椭圆率随磁性层厚度变化曲线出现科尔谱极大 ;在磁性层厚度一定的情况下 ,当入射光以某一角度入射时 ,模拟的科尔旋转角、椭圆率随入射角变化曲线呈现极大峰 .

关键词：磁性多层膜磁光科尔谱介电张量各向异性平面电磁波传输锰铋科尔旋转角磁光记录材料

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微腔中nc-Si/SiN超晶格的光致发光

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Journal of Semiconductors 2006年第Z1期27卷 25-28页

作者：陈三钱波陈坤基岑展鸿刘艳松韩培高马忠元徐骏李伟黄信凡南京大学物理系固体微结构国家实验室南京210093

研究了一维光子晶体微腔结构对nc-Si/a-SiNz超晶格发射的调制.一维光子晶体微腔采用两种具有不同折射率的非化学组分非晶氮化硅的周期调制结构,腔中嵌入采用激光晶化方法制备的硅量子点阵列,从Raman谱和透射电子显微镜分析得到其尺寸约... 详细信息

研究了一维光子晶体微腔结构对nc-Si/a-SiNz超晶格发射的调制.一维光子晶体微腔采用两种具有不同折射率的非化学组分非晶氮化硅的周期调制结构,腔中嵌入采用激光晶化方法制备的硅量子点阵列,从Raman谱和透射电子显微镜分析得到其尺寸约为3～4 nm.从光致发光谱上观察到明显的选模作用、明显变窄的发光峰以及约两个量级的发光强度的增强.微腔对硅量子点阵列发光的调制主要表现在两个方面:共振模式的增强和非共振模式的抑制.硅量子点中位于腔共振模式的辐射跃迁被增强,非共振模式的辐射跃迁被抑制,因此位于腔共振频率处的跃迁通道成为硅量子点中唯一的辐射跃迁通道,导致光致发光谱的窄化和强度的增强.因此,在提高硅材料发光效率方面,光子晶体微腔具有非常大的应用前景.

关键词：微腔光子晶体光致发光

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基于锗硅异质纳米晶的非易失浮栅存储器的存储特性

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Journal of Semiconductors 2008年第4期29卷 770-773页

作者：闾锦陈裕斌左正施毅濮林郑有炓南京大学物理系固体微结构国家实验室南京210093

利用自组织生长和选择化学刻蚀方法在超薄SiO2隧穿氧化层上制备了渐变锗硅异质纳米晶,并通过电容-电压特性和电容-时间特性研究了该纳米结构浮栅存储器的存储特性.测试结果表明,该异质纳米晶非易失浮栅存储器具有良好的空穴存储特性,这... 详细信息

利用自组织生长和选择化学刻蚀方法在超薄SiO2隧穿氧化层上制备了渐变锗硅异质纳米晶,并通过电容-电压特性和电容-时间特性研究了该纳米结构浮栅存储器的存储特性.测试结果表明,该异质纳米晶非易失浮栅存储器具有良好的空穴存储特性,这是由于渐变锗硅异质纳米晶中Ge的价带高于Si的价带形成了复合势垒,空穴有效地存储在复合势垒的Ge的一侧.

关键词：异质纳米晶非易失浮栅存储器电容-电压特性自组织生长选择化学刻蚀

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二氧化硅人工蛋白石晶体(opal)的制备及其结构性质的研究

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物理学报 2003年第5期52卷 1302-1306页

作者：李明海马懿徐岭张宇马飞黄信凡陈坤基南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室南京210093

运用胶体化学法合成了尺寸可控的二氧化硅 (SiO2 )亚微米溶胶小球 .透射电子显微镜 (TEM)结果显示样品平均尺寸可从 2 0 0nm变化至 60 0nm ,单分散性较高、平均标准偏差小于 5 % .通过自然沉积法 ,由溶胶SiO2 小球自组织晶化制备了人工... 详细信息

运用胶体化学法合成了尺寸可控的二氧化硅 (SiO2 )亚微米溶胶小球 .透射电子显微镜 (TEM)结果显示样品平均尺寸可从 2 0 0nm变化至 60 0nm ,单分散性较高、平均标准偏差小于 5 % .通过自然沉积法 ,由溶胶SiO2 小球自组织晶化制备了人工蛋白石晶体 (opal晶体 )结构 .样品的剖面扫描电子显微镜 (SEM)检测表明 ,样品为面心立方 (fcc)结构 .分析表明 ,较高的单分散性和缓慢的沉积过程是SiO2 溶胶小球自组织晶化成三维有序结构的关键因素 .反射谱中峰位在 13 2 0nm处的反射峰的出现 ,意味着样品在宏观尺度上的有序排列 ,同时也证明样品在 ( 111)

关键词：二氧化硅人工蛋白石晶体制备结构胶体化学法二氧化硅亚微米溶胶小球光子晶体微加工自组织晶化

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Co-Si合金膜的结构和磁光克尔效应

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南京大学学报（自然科学版） 2001年第1期37卷 63-67页

作者：蔡金华唐少龙都有为固体微结构国家实验室南京大学物理系南京210093

用射频磁控溅射在衬底温度（Ｔｓ）为４００℃和室温（ＲＴ）两种情形制备了Ｃｏ１－ｘＳｉｘ（０．０≤Ｘ≤０．３４）合金膜．Ｘ射线衍射结果表明在这些合金膜中出现了不同程度的ｈｃｐ（００２）取向．在室温下沉积的薄膜中，仅在... 详细信息

用射频磁控溅射在衬底温度（Ｔｓ）为４００℃和室温（ＲＴ）两种情形制备了Ｃｏ１－ｘＳｉｘ（０．０≤Ｘ≤０．３４）合金膜．Ｘ射线衍射结果表明在这些合金膜中出现了不同程度的ｈｃｐ（００２）取向．在室温下沉积的薄膜中，仅在ｘ＝０．０时有明显的ｈｃｐ（００２）取向．在４００℃下沉积的薄膜中，随着硅含量ｘ的增加，ｈｃｐ（００２）取向先是增强，继而在Ｘ＝０．３４时消失．相应与此的４００℃下沉积的薄膜的θｋ（Ｈ）、（Ｍ（Ｈ））回线在ｘ＝０．２３时出现了磁滞现象（Ｈｃ≈６４ｋＡ／ｍ），并且有大约２０％的比剩余克尔旋转（比剩余磁化强度）．同时，当Ｘ≤０．２３，硅的加入使得钻硅合金的克尔旋转在蓝光及近紫外区相比于纯钻来说有所加强，其值约为－０．３°～－０．４°．

关键词： CO-SI 合金膜磁光克尔效应磁光材料

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镍超细微颗粒的磁性

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物理学报 1992年第1期41卷 149-154页

作者：都有为徐明祥吴坚史莹冰陆怀先薛荣华南京大学固体微结构物理国家实验室南京210008 南京大学物理系南京210008

本文报道了镍超细微颗粒的磁性,比饱和磁化强度随颗粒尺寸减小而降低,当颗粒尺寸小于15nm时将会呈现剧烈地下降,此时矫顽力H_c亦将趋近于零,有效磁各向异性常数估算为K=-5.8×10~5erg/cm^3,远大于块状镍的数值,反磁化机制可用球键... 详细信息

本文报道了镍超细微颗粒的磁性,比饱和磁化强度随颗粒尺寸减小而降低,当颗粒尺寸小于15nm时将会呈现剧烈地下降,此时矫顽力H_c亦将趋近于零,有效磁各向异性常数估算为K=-5.8×10~5erg/cm^3,远大于块状镍的数值,反磁化机制可用球键模型描述,对平均直径为9nm的样品,居里温度T_c值明显地低于块状镍的数值,这可能与点阵收缩有关。

关键词：超细微颗粒磁性比饱磁化强度

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