检索结果-内蒙古大学图书馆

南京电子器件研究所1994年度科研成果介绍

固体电子学研究与进展 1995年第2期15卷 196-198页

作者：钱鼎荣南京电子器件研究所

南京电子器件研究所１９９４年度科研成果介绍ＮＥＤＩ＇ｓＲｅｓｅａｒｃｈＦｒｕｉｔｓｉｎ１９９４￥／／南京电子器件研究所于１９９５年１月１６日至１７日在南京召开第４３次科研成果鉴定会。对１９９４年度完成的１０２项科研成... 详细信息

南京电子器件研究所１９９４年度科研成果介绍ＮＥＤＩ＇ｓＲｅｓｅａｒｃｈＦｒｕｉｔｓｉｎ１９９４￥／／南京电子器件研究所于１９９５年１月１６日至１７日在南京召开第４３次科研成果鉴定会。对１９９４年度完成的１０２项科研成果进行专家评议、鉴定，并分别通过了...

关键词：南京江苏电子器件研究所微组装工艺科研成果科技成果介质稳频振荡器

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南京电子器件研究所1993年度科研成果介绍

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固体电子学研究与进展 1994年第1期14卷 98-100页

作者：钱鼎荣南京电子器件研究所

南京电子器件研究所１９９３年度科研成果介绍ＮＥＤＩ＇ｓＲｅｓｅａｒｃｈＦｒｕｉｔｓｉｎ１９９３南京电子器件研究所于１９９４年ｌ月８日至１０日在南京召开第４１次科研成果鉴定会。对１９９３年度完成的８７项科研成果进行专家... 详细信息

南京电子器件研究所１９９３年度科研成果介绍ＮＥＤＩ＇ｓＲｅｓｅａｒｃｈＦｒｕｉｔｓｉｎ１９９３南京电子器件研究所于１９９４年ｌ月８日至１０日在南京召开第４１次科研成果鉴定会。对１９９３年度完成的８７项科研成果进行专家评议、鉴定，并分别通过了设计定型和...

关键词：放大器波段电子设备科研成果科技成果研究所南京江苏主要技术指标工作频率体效应二极管隔离度电子器件

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南京电子器件研究所1992年度科研成果介绍

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固体电子学研究与进展 1993年第1期 86-90页

作者：钱鼎荣王烈强南京电子器件研究所南京电子器件研究所 210016

南京电子器件研究所于1993年1月5日至6日在南京召开第39次科研成果鉴定会。科工委、中国电子工业总公司领导以及来自全国各地的高等院校、研究所、工厂的同行专家和使用部门专家共60个单位150人参加了会议。提交会议评议鉴定的科研成果... 详细信息

南京电子器件研究所于1993年1月5日至6日在南京召开第39次科研成果鉴定会。科工委、中国电子工业总公司领导以及来自全国各地的高等院校、研究所、工厂的同行专家和使用部门专家共60个单位150人参加了会议。提交会议评议鉴定的科研成果共67项,专家们对这些成果的技术资料进行了认真审查,对成果样品进行了抽样检测,并全部通过鉴定。由中国电子工业总公司基础局批准鉴定的54个项目中有33项产品主要性能达到国外80年代中后期同类产品水平,有23项产品主要性能处于国内领先水平,有22项产品填补国内空白,有27项产品达到专用标准,取得了良好社会和经济效益。现将微波半导体的部分成果介绍如下: *WD64型S波段砷化镓单片可控增益放大器

关键词：电子器件可控增益放大器介质振荡器相位噪声变容管变容二极管压控振荡器驻波比 MESFET 体效应二极管科研成果科技成果南京江苏研究所

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南京电子器件研究所1991年度科研成果介绍(之二)

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固体电子学研究与进展 1992年第1期 87-89页

作者：钱鼎荣王烈强南京电子器件研究所南京电子器件研究所 210016

南京电子器件研究所1991年12月23日在南京召开了科研成果鉴定会。中国电子工业总公司、机电部电科院、南京市有关部门领导以及来自全国各地的有关院校、机电部、航空航天部的厂、所的教授、专家、工程技术人员共150多人对56项科研成果... 详细信息

南京电子器件研究所1991年12月23日在南京召开了科研成果鉴定会。中国电子工业总公司、机电部电科院、南京市有关部门领导以及来自全国各地的有关院校、机电部、航空航天部的厂、所的教授、专家、工程技术人员共150多人对56项科研成果进行了全面、认真的技术审定,并全部一致通过鉴定。这56项成果中,达到80年代中、后期国外同类产品先进水平的有27项;处国内领先地位的35项;填补国内空白的8项;国内先进水平的4项。现将微波半导体的部分成果介绍如下:

关键词：电子器件压控振荡器输出功率固态功率放大器微波放大器功分器混频二极管集总参数元件杂波抑制隔离度频率温度系数雪崩管中国电子工业总公司插损驻波比南京江苏研究所

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南京电子器件研究所1991年度科研成果介绍(之一)

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固体电子学研究与进展 1991年第2期 177-178页

作者：钱鼎荣王烈强南京电子器件研究所南京电子器件研究所 210016

南京电子器件研究所1991年度第一批科研成果共19项于4月28日通过鉴定.国防科工委、机电部等上级机关领导以及来自全国各地的有关院校、厂、所的教授、专家、工程技术人员共六十多人对成果进行了全面、认真的技术评定,作出了高度评价.现... 详细信息

南京电子器件研究所1991年度第一批科研成果共19项于4月28日通过鉴定.国防科工委、机电部等上级机关领导以及来自全国各地的有关院校、厂、所的教授、专家、工程技术人员共六十多人对成果进行了全面、认真的技术评定,作出了高度评价.现将微波半导体专业的部分成果介绍如下:

关键词：单片集成放大器科研成果科技成果 FET 匹配电路输出功率功率源南京江苏研究所

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南京电子器件研究所1989年度科研成果介绍之二

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固体电子学研究与进展 1990年第3期10卷 339-340页

作者：王烈强钱鼎荣南京电子器件研究所

一九八九年南京电子器件研究所在科研工作中取得了丰硕的成果,已经通过鉴定的项目共41项.其中微波半导体专业34项,光电专业7项.12月19日在南京召开了部分科研成果鉴定会,对18项成果进行了专家评议鉴定.其中半导体专业15项,光电专业3项.... 详细信息

一九八九年南京电子器件研究所在科研工作中取得了丰硕的成果,已经通过鉴定的项目共41项.其中微波半导体专业34项,光电专业7项.12月19日在南京召开了部分科研成果鉴定会,对18项成果进行了专家评议鉴定.其中半导体专业15项,光电专业3项.大部分成果处于国内领先地位,部分达到目前国际先进水平.现将半导体专业的部分鉴定项目介绍如下:

关键词：电子器件半导体器件光电器件

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南京电子器件研究所一九八九年度科研成果介绍

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固体电子学研究与进展 1990年第1期 126-127页

作者：王烈强钱鼎荣南京电子器件研究所

关键词：七专电子器件南京江苏研究所科研成果科技成果负温度系数电调衰减器同类产品

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南京电子器件研究所一九八六年度科研成果介绍

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固体电子学研究与进展 1987年第1期8卷 91-93页

作者：钱鼎荣王烈强南京电子器件研究所

南京电子器件研究所一九八六年度有39项科研成果分别通过了部(省)、局级和所级鉴定(其中部(省)、局级鉴定13项)。来自大专院校,有关厂所的教授、专家、工程技术人员及上级领导机关代表参加了成果鉴定工作,并对提请鉴定成果的技术水平给... 详细信息

南京电子器件研究所一九八六年度有39项科研成果分别通过了部(省)、局级和所级鉴定(其中部(省)、局级鉴定13项)。来自大专院校,有关厂所的教授、专家、工程技术人员及上级领导机关代表参加了成果鉴定工作,并对提请鉴定成果的技术水平给予了高度评价。鉴定的成果涉及微波半导体和光电两个专业。现将半导体专业部分的项目介绍如下:

关键词：电子器件电调衰减器酸性光亮镀锡南京江苏研究所激励器插损

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南京电子器件研究所召开第二十次科研成果鉴定会

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固体电子学研究与进展 1986年第1期 91-93页

作者：叶立剑蒋永珍南京电子器件研究所

由南京固体器件研究所和南京钟山电子技术研究所组建而成的南京电子器件研究所,于1985年12月在南京召开了第20次科研成果鉴定会.来自上级领导机关、大专院校、有关厂、所、使用单位和新闻单位的代表共145人出席了会议,专家和同行们对该... 详细信息

由南京固体器件研究所和南京钟山电子技术研究所组建而成的南京电子器件研究所,于1985年12月在南京召开了第20次科研成果鉴定会.来自上级领导机关、大专院校、有关厂、所、使用单位和新闻单位的代表共145人出席了会议,专家和同行们对该所提请鉴定成果的技术水平给予了高度的评价.南京电子器件研究所自1985年初组建以来,通过努力,克服了因繁重的基建任务和管理机构调整给科研生产所带来的困难,在短短一年时间里逐步使科研生产走上正轨.在这次鉴定会上,涉及微波半导体和光电两个专业范围的43项成果分别通过了部、局级和所级鉴定,其中通过部局级鉴定的有15项(达到或接近国外八十年代先进水平的有10项),取得了较大的成绩.现将部分项目介绍如下:

关键词：南京江苏研究所科研成果鉴定

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南京电子器件研究所一九八八年度科研成果介绍

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固体电子学研究与进展 1989年第1期 111-112页

作者：钱鼎荣王烈强南京电子器件研究所

南京电子器件研究所一九八八年度在微波半导体和光电两个专业领域取得了22项鉴定成果,其中部级鉴定四项,省级鉴定两项,其余为所级鉴定。现将微波半导体专业的部分项目介绍如下: WB64型GaAs电调变容二极管该器件是根据宽带压控振荡器的... 详细信息

南京电子器件研究所一九八八年度在微波半导体和光电两个专业领域取得了22项鉴定成果,其中部级鉴定四项,省级鉴定两项,其余为所级鉴定。现将微波半导体专业的部分项目介绍如下: WB64型GaAs电调变容二极管该器件是根据宽带压控振荡器的需要而研制的。它采用缓变浓度分布GaAs外延材料,SiO2钝化,平面扩散超突变结构,与通常的超突变结变容二极管相比,具有电容—电压斜率指数γ（γ=1,1.25）为常数,电容变化比大(RCT=8)的特点,采用超小型金属—陶瓷同轴封装,具有寄生参数小的优点。器件主要技术指标与国外

关键词：电子器件外延材料 GaAs 电调衰减器微波电磁波汽相外延南京江苏研究所

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