检索结果-内蒙古大学图书馆

固体电子学研究与进展 2013年第1期33卷 72-75,96页

作者：王金孔岑周建军倪金玉陈堂胜刘涛南京电子器件研究所、微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

研究了在Si基GaN外延材料上实现低温欧姆接触的技术途径。研究了外延层的刻蚀深度、合金温度以及不同金属体系对接触特性的影响,发现外延层刻蚀深度的优化可显著改善欧姆接触特性。采用Ti/Al(10/200nm)金属,在外延层刻蚀深度为20nm以及... 详细信息

研究了在Si基GaN外延材料上实现低温欧姆接触的技术途径。研究了外延层的刻蚀深度、合金温度以及不同金属体系对接触特性的影响,发现外延层刻蚀深度的优化可显著改善欧姆接触特性。采用Ti/Al(10/200nm)金属,在外延层刻蚀深度为20nm以及合金温度550°C时,得到接近传统高温合金条件下的接触电阻,最小值达到0.76Ω.mm,同时实现的欧姆接触电极具有良好的形貌。该技术有望应用于高频、高功率GaN HEMT的工艺。

关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管外延层减薄低温合金欧姆接触

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谐波控制在射频功率放大器设计中的应用

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固体电子学研究与进展 2018年第2期38卷 101-105页

作者：王嘉文陶洪琪微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京210016

分析了谐波控制理论提高功放效率的原理。对南京电子器件研究所的GaN HEMT器件进行了负载牵引测试。根据测试结果发现,通过谐波控制可以有效提升该器件的效率,在8GHz时能获得10%的效率提升。应用谐波控制理论设计了一款X波段单级MMIC功... 详细信息

分析了谐波控制理论提高功放效率的原理。对南京电子器件研究所的GaN HEMT器件进行了负载牵引测试。根据测试结果发现,通过谐波控制可以有效提升该器件的效率,在8GHz时能获得10%的效率提升。应用谐波控制理论设计了一款X波段单级MMIC功放。经连续波测试,该功放芯片在8.6~9.5GHz范围内漏极效率达到48%~56%。

关键词：谐波控制功率放大器高效率单片微波集成电路

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自对准栅金刚石MESFET器件研究

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固体电子学研究与进展 2013年第1期33卷 28-31,85页

作者：周建军柏松陈刚孔岑耿习娇陆海燕孔月婵陈堂胜南京电子器件研究所、微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

基于表面氢化处理的金刚石材料,利用自对准栅工艺技术研制了p型金刚石肖特基栅场效应晶体管(MESFET)。利用AFM和Raman测试方法对材料的特性进行了测试及分析。同时,对研制的金刚石MESFET器件进行了TLM以及直流特性测试及性能分析。利用... 详细信息

基于表面氢化处理的金刚石材料,利用自对准栅工艺技术研制了p型金刚石肖特基栅场效应晶体管(MESFET)。利用AFM和Raman测试方法对材料的特性进行了测试及分析。同时,对研制的金刚石MESFET器件进行了TLM以及直流特性测试及性能分析。利用TLM方法测试获得的表面氢化处理金刚石材料的方阻和Au欧姆接触比接触电阻率分别为4kΩ/□和5.24×10-4Ω.cm2。研制的1μm栅长金刚石MESFET器件的最大电流在-5V偏压下达到10mA/mm以上。

关键词：金刚石肖特基栅场效应晶体管表面氢化

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91～98GHz集成单刀单掷开关设计

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固体电子学研究与进展 2015年第6期35卷 513-517,544页

作者：姚常飞罗运生周明赵博南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

为解决W波段接收机保护开关和发射机调制开关芯片问题,本文基于0.1mm厚50.8mm(2英寸)熔制石英薄膜电路工艺,研制出了W波段PIN二极管SPST开关准单片。为了考察开关性能的一致性,随机抽取了5个SPST开关作了测试,在91~98GHz频率范围内,开... 详细信息

为解决W波段接收机保护开关和发射机调制开关芯片问题,本文基于0.1mm厚50.8mm(2英寸)熔制石英薄膜电路工艺,研制出了W波段PIN二极管SPST开关准单片。为了考察开关性能的一致性,随机抽取了5个SPST开关作了测试,在91~98GHz频率范围内,开关插损典型值1.0dB,不一致性小于0.45dB;91~98GHz测得开关隔离典型值25dB,不一致性小于5dB,92.5~94.5GHz隔离典型值32dB;开关响应时间、导通时间、关断时间、恢复时间分别小于18、20、10和18ns;开关尺寸2.8mm×2.6mm。其作为接收保护开关和发射调制开关可集成应用于W波段收发组件中。

关键词： W波段单刀单掷开关 PIN二极管插损隔离度

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毫米波GaN HEMT器件大信号模型

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固体电子学研究与进展 2017年第2期37卷 73-76页

作者：陆海燕周建军孔月婵陈堂胜南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

介绍了一种毫米波GaN基HEMT器件大信号等效电路模型。该模型采用SDD的建模方法。提出了I-V及C-V表达式,完成了直流及S参数的拟合,并分析了拟合结果。与18GHz的在片loadpull测试结果比较,模型仿真结果显示输出功率及效率与实测数据基本... 详细信息

介绍了一种毫米波GaN基HEMT器件大信号等效电路模型。该模型采用SDD的建模方法。提出了I-V及C-V表达式,完成了直流及S参数的拟合,并分析了拟合结果。与18GHz的在片loadpull测试结果比较,模型仿真结果显示输出功率及效率与实测数据基本一致。

关键词：符号定义器件 GaN高电子迁移率晶体管大信号模型

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MOCVD脉冲法制备InAlGaN/GaN异质结材料特性研究

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固体电子学研究与进展 2017年第4期37卷 229-233页

作者：李忠辉李传皓彭大青张东国罗伟科李亮潘磊杨乾坤董逊南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

采用MOCVD脉冲供源方法制备了76.2 mm(3英寸)高质量薄势垒层的InAlGaN/GaN异质结材料。通过对样品表面形貌及电学特性等测试,研究了进入反应腔MO源的不同脉冲组合对InAlGaN材料生长的影响,并分析了相关机理。其中等效为InAlN/AlGaN类超... 详细信息

采用MOCVD脉冲供源方法制备了76.2 mm(3英寸)高质量薄势垒层的InAlGaN/GaN异质结材料。通过对样品表面形貌及电学特性等测试,研究了进入反应腔MO源的不同脉冲组合对InAlGaN材料生长的影响,并分析了相关机理。其中等效为InAlN/AlGaN类超晶格结构的势垒层外延方法,基于原子层间近晶格匹配和超晶格的原子层调制作用,有效改善了势垒层材料质量和表面形貌,提升了异质结料的电学特性,室温下电子迁移率达到1 620cm^2/(V·s),方块电阻217.2Ω/。

关键词：金属有机物化学气相沉积 InAlGaN 异质结迁移率

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基于0.25μm InP DHBT工艺的340 GHz放大器

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固体电子学研究与进展 2022年第2期42卷 104-108,162页

作者：李茂孙岩陆海燕周浩程伟戴姜平王学鹏陈堂胜微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016 南京电子器件研究所南京210016

基于南京电子器件研究所0.25μm InP DHBT工艺设计并实现了一款340 GHz放大器,采用多层金属堆栈互联的薄膜微带传输线结构,实现了太赫兹低损耗传输线和MIM电容。放大器为六级共发射极拓扑,采用整体匹配方法,通过降低损耗的方式提高增益... 详细信息

基于南京电子器件研究所0.25μm InP DHBT工艺设计并实现了一款340 GHz放大器,采用多层金属堆栈互联的薄膜微带传输线结构,实现了太赫兹低损耗传输线和MIM电容。放大器为六级共发射极拓扑,采用整体匹配方法,通过降低损耗的方式提高增益。通过在片小信号测试系统和功率测试系统测试芯片,测量结果表明该放大器在340 GHz的小信号增益达到10.43 dB,300~340 GHz频率范围内的小信号增益大于10 dB,在340 GHz的输出功率为3.24 dBm。

关键词：太赫兹放大器 InP DHBT 金属堆栈互联

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微波光子集成芯片技术

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雷达学报（中英文） 2019年第2期8卷 262-280页

作者：钱广钱坤顾晓文孔月婵陈堂胜南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016 空军装备部驻南京地区第二军事代表室南京210016

微波光子集成芯片技术是微波光子雷达的重要支撑技术,不仅可以实现器件的多功能化,缩小微波光子雷达的体积,还可以大大提升微波光子雷达的稳定性与可靠性。该文介绍了目前常用的InP基、Si基和铌酸锂基等材料体系及其异质异构集成的光子... 详细信息

微波光子集成芯片技术是微波光子雷达的重要支撑技术,不仅可以实现器件的多功能化,缩小微波光子雷达的体积,还可以大大提升微波光子雷达的稳定性与可靠性。该文介绍了目前常用的InP基、Si基和铌酸锂基等材料体系及其异质异构集成的光子集成芯片技术和可用于微波光子混合集成的光电集成芯片技术,并展望了未来发展趋势。

关键词：微波光子雷达集成微波光子集成芯片技术光子集成芯片

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1400 V/240 mΩ增强型硅基p-GaN栅结构AlGaN/GaN HEMT器件

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固体电子学研究与进展 2023年第1期43卷 11-15,45页

作者：潘传奇王登贵周建军胡壮壮郁鑫鑫李忠辉陈堂胜微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016 南京电子器件研究所南京210016

基于硅基p-GaN/AlGaN/GaN异质结材料结构,研制了一款横向结构的高压增强型GaN高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)器件。通过采用自对准栅刻蚀与损伤修复技术以及低温无金欧姆合金工艺实现了较低的导通电阻,并借助于叠层介质钝化和多场板峰值... 详细信息

基于硅基p-GaN/AlGaN/GaN异质结材料结构,研制了一款横向结构的高压增强型GaN高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)器件。通过采用自对准栅刻蚀与损伤修复技术以及低温无金欧姆合金工艺实现了较低的导通电阻,并借助于叠层介质钝化和多场板峰值抑制技术提升了器件的击穿特性。测试结果表明,所研制GaN器件的阈值电压为1.95 V(V_(GS)=V_(DS),IDS=0.01 mA/mm),导通电阻为240 mΩ(V_(GS)=6 V,V_(DS)=0.5 V),击穿电压高于1400 V(V_(GS)=0 V,IDS=1μA/mm),彰显了硅基p-GaN栅结构AlGaN/GaN HEMT器件在1200 V等级高压应用领域的潜力。

关键词： GaN HEMT 增强型 p-GaN栅击穿电压导通电阻

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SiN钝化对InGaAs/InP双异质结双极性晶体管直流性能的影响

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固体电子学研究与进展 2015年第6期35卷 597-601页

作者：谢俊领程伟王元常龙牛斌陈堂胜南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

研究了SiN钝化对InGaAs/InP双异质结双极性晶体管(DHBT)直流性能的影响。在不同温度和不同气体组分条件下淀积了SiN薄膜,并对钝化器件的性能进行了测量和比较。结果表明,低的淀积温度有利于减小淀积过程对器件的损伤;采用氮气(N_2)和硅... 详细信息

研究了SiN钝化对InGaAs/InP双异质结双极性晶体管(DHBT)直流性能的影响。在不同温度和不同气体组分条件下淀积了SiN薄膜,并对钝化器件的性能进行了测量和比较。结果表明,低的淀积温度有利于减小淀积过程对器件的损伤;采用氮气(N_2)和硅烷(SiH_4)取代常用的氨气(NH_3)和硅烷(SiH_4)作为淀积SiN薄膜的反应气体,显著地减少了器件发射结(B-E)和集电结(B-C)泄漏电流。另外,与未钝化器件的直流性能相比,钝化后器件的电流增益增加,基区表面复合电流大幅减小,这对提高器件的可靠性至关重要。

关键词：氮化硅钝化磷化铟双异质结双极性晶体管

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