检索结果-内蒙古大学图书馆

固体电子学研究与进展 2016年第5期36卷 377-381页

作者：吴立枢赵岩沈宏昌张有涛陈堂胜南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

基于圆片级外延层转移技术,将完成GaAs pHEMT有源器件加工的外延层从原有衬底上完整地剥离下来并转移到完成工艺加工的Si CMOS圆片上,基于开发的异类器件互联以及异类器件单片集成电路设计等一系列关键技术,进行了GaAs pHEMT与Si CMOS... 详细信息

基于圆片级外延层转移技术,将完成GaAs pHEMT有源器件加工的外延层从原有衬底上完整地剥离下来并转移到完成工艺加工的Si CMOS圆片上,基于开发的异类器件互联以及异类器件单片集成电路设计等一系列关键技术,进行了GaAs pHEMT与Si CMOS异质集成单片电路的工艺加工。研制的GaAs pHEMT与Si CMOS异质集成单片数字控制开关电路与传统的GaAs pHEMT单片电路相比,芯片面积减小15%。

关键词：转移键合 GaAs赝配高电子迁移率晶体管 Si互补金属氧化物半导体异质互联

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InGaAs的荧光性质与生长温度的关系研究

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固体电子学研究与进展 2021年第4期41卷 309-312页

作者：高汉超王伟于海龙马奔尹志军李忠辉微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京210016

研究了InGaAs外延材料在不同生长温度下的荧光特性。InGaAs的光荧光峰位随生长温度增加向高能方向偏移,荧光半高宽随生长温度的增加而降低。由于存在载流子局域势,荧光峰位偏移与温度依赖关系呈现典型的S形。使用两个激活能Ea和Eb来拟... 详细信息

研究了InGaAs外延材料在不同生长温度下的荧光特性。InGaAs的光荧光峰位随生长温度增加向高能方向偏移,荧光半高宽随生长温度的增加而降低。由于存在载流子局域势,荧光峰位偏移与温度依赖关系呈现典型的S形。使用两个激活能Ea和Eb来拟合荧光的积分强度,Ea可能与局域能Eloc有关,Eb与缺陷引导的非辐射复合过程有关。当生长温度低于490℃时,Eb随生长温度而增加,并在490~520℃之间保持稳定。本实验对生长高质量的InGaAs材料有指导意义。

关键词：化合物半导体分子束外延荧光

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Si基GaN材料寄生导电层的研究

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固体电子学研究与进展 2013年第4期33卷 312-316页

作者：倪金玉李忠辉孔岑周建军陈堂胜郁鑫鑫南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

通过对Si基GaN材料的电学性能进行测量分析,确认了该材料体系所特有的寄生导电层现象。研究了寄生导电层对Si基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)微波功率性能和击穿性能的不良影响。通过材料生长工艺的优化,降低了寄生导电层的导电性,获得... 详细信息

通过对Si基GaN材料的电学性能进行测量分析,确认了该材料体系所特有的寄生导电层现象。研究了寄生导电层对Si基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)微波功率性能和击穿性能的不良影响。通过材料生长工艺的优化,降低了寄生导电层的导电性,获得了击穿电压超过320V的Si基GaN HEMT功率电子器件。

关键词：硅基氮化镓寄生导电层氮化镓高电子迁移率晶体管

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一款W波段GaN HEMT高谐波抑制八次倍频器MMIC

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固体电子学研究与进展 2019年第1期39卷 1-4,27页

作者：项萍王维波陈忠飞郭方金潘晓枫徐志超南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

报道了一款采用0.1μm GaN HEMT工艺制作的W波段八次倍频器芯片。该芯片集成了3个二次倍频器和1个驱动放大器。二次倍频器采用有源平衡电路结构以实现较好的功率输出和有效的基波和奇次谐波抑制;驱动放大器采用单级负反馈电路结构,在实... 详细信息

报道了一款采用0.1μm GaN HEMT工艺制作的W波段八次倍频器芯片。该芯片集成了3个二次倍频器和1个驱动放大器。二次倍频器采用有源平衡电路结构以实现较好的功率输出和有效的基波和奇次谐波抑制;驱动放大器采用单级负反馈电路结构,在实现良好输入输出匹配的同时兼顾增益平坦度。最终实现的八次倍频器芯片3 dB工作带宽为16 GHz(84～100 GHz),输出功率大于13 dBm,谐波抑制度大于40 dBc,带内谐波抑制度大于60 dBc。芯片面积3.6 mm×1.7 mm。

关键词： W波段倍频器 GaN 高谐波抑制度

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基于70nm GaAs MHEMT工艺的W波段低噪声放大器

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固体电子学研究与进展 2017年第2期37卷 94-98页

作者：吴少兵王维波郭方金高建峰黄念宁南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

报道了一种采用电子束直写70nm"Y"型栅工艺制备的GaAs MHEMT器件及W波段低噪声放大器。器件的最大跨导可达到1 050mS/mm,最大电流密度可达650mA/mm。通过小信号S参数测试,可外推其电流增益截至频率fT及最大振荡频率fmax分别达... 详细信息

报道了一种采用电子束直写70nm"Y"型栅工艺制备的GaAs MHEMT器件及W波段低噪声放大器。器件的最大跨导可达到1 050mS/mm,最大电流密度可达650mA/mm。通过小信号S参数测试,可外推其电流增益截至频率fT及最大振荡频率fmax分别达350GHz及470GHz。采用该工艺制备的W波段低噪声放大器,在86~96GHz频段可实现噪声系数小于3dB,增益大于20dB。

关键词：电子束直写 W波段低噪声放大器

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GaN HEMT的温度特性及其应用

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固体电子学研究与进展 2011年第3期31卷 226-232页

作者：任春江陈堂胜余旭明张斌南京电子器件研究所微波毫米波单片集成模块和电路国家重点实验室南京210016

对0.25μm双场板结构GaN HEMT器件的温度特性进行了研究。负载牵引测试结果显示,GaN HEMT增益的温度系数为-0.02 dB/℃、饱和输出功率系数为-0.004 dB/℃。大的增益温度系数结合GaN HEMT自热效应引起的高温升对实际应用特别是功率MMIC... 详细信息

对0.25μm双场板结构GaN HEMT器件的温度特性进行了研究。负载牵引测试结果显示,GaN HEMT增益的温度系数为-0.02 dB/℃、饱和输出功率系数为-0.004 dB/℃。大的增益温度系数结合GaN HEMT自热效应引起的高温升对实际应用特别是功率MMIC的设计带来了挑战。按常温设计的GaN功率MMIC在高温下输出功率出现了较大幅度的下降,并且连续波与脉冲下工作输出功率存在较大差异。针对GaN HEMT应用中的这些问题提出了解决措施,包括降低2DEG浓度来减小增益的温度系数,通过选择SiC衬底和衬底减薄以及版图设计改善器件散热,降低器件工作时的温升。

关键词：铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管场板栅挖槽难熔栅

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C波段高效率GaN HEMT功率放大器

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固体电子学研究与进展 2017年第6期37卷 379-383页

作者：孙嘉庆郑惟彬钱峰南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

通过负载牵引测试验证了源端二次谐波对器件效率的影响,同时又进一步验证了输出谐波匹配对放大器的作用。基于此结果,研制了两款采用0.25μm工艺的GaN功率MMIC 4.0~5.6GHz高效率放大器芯片,芯片采用二级放大的结构。第一款输出级只考虑... 详细信息

通过负载牵引测试验证了源端二次谐波对器件效率的影响,同时又进一步验证了输出谐波匹配对放大器的作用。基于此结果,研制了两款采用0.25μm工艺的GaN功率MMIC 4.0~5.6GHz高效率放大器芯片,芯片采用二级放大的结构。第一款输出级只考虑基波的匹配;第二款输出级匹配电路兼顾二次和三次谐波进行匹配。两款的末前级均考虑二次谐波的匹配,同时级间优化推动比,进一步提高效率。输入级和级间匹配电路采用有耗匹配,提高稳定性。芯片在4.0~5.6 GHz范围内漏压28 V,脉宽100μs,占空比10%条件下输出功率41dBm,功率增益20~21dB,功率附加效率分别在48%和45%以上。芯片面积3.9mm×3.3mm。

关键词：功率放大器谐波匹配 C波段源/负载牵引高效率

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基于毛纽扣的LTCC微波模块垂直互连技术

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固体电子学研究与进展 2013年第6期33卷 538-541页

作者：徐利王子良胡进陈昱晖郭玉红南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

基于独立的二维LTCC微波模块间的垂直互连技术展开研究,采用了一种三线型毛纽扣微波垂直互连结构并使用三维电磁仿真软件HFSS对三线型毛纽扣垂直互连结构的模型进行分析与优化。通过对相应工艺的研究,制作了三线型毛纽扣垂直互连样品,... 详细信息

基于独立的二维LTCC微波模块间的垂直互连技术展开研究,采用了一种三线型毛纽扣微波垂直互连结构并使用三维电磁仿真软件HFSS对三线型毛纽扣垂直互连结构的模型进行分析与优化。通过对相应工艺的研究,制作了三线型毛纽扣垂直互连样品,其中毛纽扣的高度为3mm,直径为0.5mm。样品测试结果与仿真结果相符,在X波段插入损耗小于1.5dB,回波损耗大于15dB。

关键词：三维多芯片组件低温共烧陶瓷三线型毛纽扣微波垂直互连

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低应力掺钪氮化铝薄膜制备技术研究

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固体电子学研究与进展 2021年第4期41卷 319-322页

作者：王雷王冬蕊沈雁飞姜理利郁元卫黄旼南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

分析了双层膜薄膜失效模型,提出了制备低应力掺钪氮化铝薄膜在薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器工艺中的必要性。利用反应溅射法制备掺钪氮化铝薄膜,并使用应力测试仪表征薄膜的力学性能,研究薄膜厚度、工艺时溅射功率、偏置功率以及工艺... 详细信息

分析了双层膜薄膜失效模型,提出了制备低应力掺钪氮化铝薄膜在薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器工艺中的必要性。利用反应溅射法制备掺钪氮化铝薄膜,并使用应力测试仪表征薄膜的力学性能,研究薄膜厚度、工艺时溅射功率、偏置功率以及工艺气压等参数对薄膜应力的影响,通过优化工艺参数制备了接近零应力的掺钪氮化铝薄膜。

关键词：掺钪氮化铝低应力应力匹配

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基于AlN/GaN异质结的Ka波段GaN低噪声放大器研制

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固体电子学研究与进展 2021年第1期41卷 14-17,23页

作者：张亦斌吴少兵李建平韩方彬李忠辉陈堂胜南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

报道了基于AlN/GaN异质结的Ka波段低噪声放大器的研制结果。在SiC衬底上生长AlN/GaN异质结材料结构,采用电子束直写工艺制备了栅长70 nm的"T"型栅结构。器件最大电流密度为1.50 A/mm,最大跨导为650 mS/mm,通过S参数测试外推... 详细信息

报道了基于AlN/GaN异质结的Ka波段低噪声放大器的研制结果。在SiC衬底上生长AlN/GaN异质结材料结构,采用电子束直写工艺制备了栅长70 nm的"T"型栅结构。器件最大电流密度为1.50 A/mm,最大跨导为650 mS/mm,通过S参数测试外推特征频率和最大频率分别为105 GHz和235 GHz。基于70 nm工艺制备的自偏压三级低噪声放大器,在33~40 GHz小信号增益大于27 dB,典型噪声系数为1.5 dB。

关键词： GaN高电子迁移率晶体管 Ka波段电子束直写低噪声放大器

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