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  • 2 篇 南京航空航天大学

作者

  • 66 篇 陈堂胜
  • 57 篇 李忠辉
  • 49 篇 孔月婵
  • 33 篇 周建军
  • 30 篇 程伟
  • 29 篇 张有涛
  • 28 篇 陆海燕
  • 28 篇 董逊
  • 26 篇 张东国
  • 25 篇 朱健
  • 25 篇 彭大青
  • 25 篇 陶洪琪
  • 22 篇 薛舫时
  • 19 篇 王元
  • 18 篇 孔岑
  • 17 篇 李亮
  • 16 篇 张斌
  • 16 篇 郁元卫
  • 16 篇 倪金玉
  • 15 篇 罗伟科

语言

  • 288 篇 中文
检索条件"机构=南京电子器件研究所、微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室"
288 条 记 录,以下是161-170 订阅
排序:
AlGaN/GaN势垒层异质结构与二维电子气密度的相互作用
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固体电子研究与进展 2015年 第1期35卷 1-9页
作者: 薛舫时 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
在忽略二维电子气波函数对势垒层渗透的前提下提出了直接求解无电子势垒层泊松方程来计算势垒层能带的新思路,提出了把势垒层以外的极化电荷、杂质电荷及电子电荷作为势垒层边界上的界面电荷来解势垒层泊松方程的新方法。由此计算出的... 详细信息
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f_T/f_(max)>230/290GHZ的超薄势垒InAlGaN/AlN/GaN HEMTs
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固体电子研究与进展 2016年 第2期36卷 171-页
作者: 朱广润 张凯 孔月婵 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所 南京210016
氮化镓(GaN)材料具有大的禁带宽度、高击穿场强、高电子迁移率和高电子饱和速度等优良特性,不仅在微波大功率器件领域有广泛的应用,而且在超高频器件领域具备独特优势。南京电子器件研究所采用高极化强度的超薄InAlGaN势垒层形成InAlGaN... 详细信息
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基于InP DHBT工艺的13 GHz 1:8量化降速电路
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固体电子研究与进展 2016年 第6期36卷 521-页
作者: 程伟 张有涛 李晓鹏 王元 常龙 谢俊领 陆海燕 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所 南京210016
磷化铟双异质结双极型晶体管(InP DHBT)具有高截止频率、高击穿电压(相对Si及SiGe而言)及高器件一致性等优点,适合于超高速、大动态范围数模混合电路的研制,例如美国Keysight公司采样率高达160 GSa/s的数字示波器即采用InP DHBT超高速... 详细信息
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氧等离子体处理对薄势垒增强型AlGaN/GaN HEMT的影响
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固体电子研究与进展 2015年 第4期35卷 307-310,345页
作者: 王哲力 周建军 孔月婵 孔岑 董逊 杨洋 陈堂胜 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
提出了一种利用薄势垒结构制造增强型AlGaN/GaN HEMT的方法。研究了SiN钝化对薄势垒AlGaN/GaN异质结的影响,并利用其控制沟道中的二维电子气密度。具有10nm SiN介质插入层欧姆接触在800℃下退火可以得到较好的接触性能。栅极区域中的Si... 详细信息
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91~98GHz集成单刀单掷开关设计
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固体电子研究与进展 2015年 第6期35卷 513-517,544页
作者: 姚常飞 罗运生 周明 赵博 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
为解决W波段接收机保护开关和发射机调制开关芯片问题,本文基于0.1mm厚50.8mm(2英寸)熔制石英薄膜电路工艺,研制出了W波段PIN二极管SPST开关准单片。为了考察开关性能的一致性,随机抽取了5个SPST开关作了测试,在91~98GHz频率范围内,开... 详细信息
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SiN钝化对InGaAs/InP双异质结双极性晶体管直流性能的影响
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固体电子研究与进展 2015年 第6期35卷 597-601页
作者: 谢俊领 程伟 王元 常龙 牛斌 陈堂胜 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
研究了SiN钝化对InGaAs/InP双异质结双极性晶体管(DHBT)直流性能的影响。在不同温度和不同气体组分条件下淀积了SiN薄膜,并对钝化器件的性能进行了测量和比较。结果表明,低的淀积温度有利于减小淀积过程对器件的损伤;采用氮气(N_2)和硅... 详细信息
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Ku波段GaN T/R一体多功能MMIC的研制
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固体电子研究与进展 2016年 第3期36卷 257-页
作者: 彭龙新 任春江 戈勤 詹月 沈宏昌 李建平 彭建业 徐波 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016 南京电子器件研究所 南京210016
首次研制了国内第一块Ku波段GaN T/R一体多功能全单片芯片,该芯片集成了T/R的接收通道和发射通道。接收通道含功率输出开关、前级低噪声放大器、5位数字衰减器、后级低噪声放大器、小信号开关和5位数字移相器;发射通道含5位数字移相器... 详细信息
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小型化宽阻带抑制LTCC低通滤波器设计
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固体电子研究与进展 2015年 第2期35卷 156-160页
作者: 郑琨 王子良 戴雷 严蓉 徐利 陈昱晖 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
设计了一款基于低温共烧陶瓷(LTCC)工艺的小型化宽阻带抑制低通滤波器,该滤波器的体积仅为3.2mm×1.6mm×1.0mm。设计时为了增强阻带的抑制作用,以具有一个传输零点的低通滤波器为原型,通过合理设置各个元件的外形及位置,有效... 详细信息
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3C-SiC悬臂结构干法刻蚀研究
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固体电子研究与进展 2015年 第1期35卷 100-103页
作者: 焦宗磊 朱健 王守旭 姜国庆 李赟 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
基于感应离子耦合等离子体(ICP)刻蚀技术,采用SF6和O2作为刻蚀气体,以金属铝和SiO2作为刻蚀掩膜,系统地研究了3C-SiC悬臂结构的加工方法以及掩膜材料对刻蚀悬臂结构的影响。首先采用SF6和O2作为刻蚀气体刻蚀出SiC结构,其次采用SF6气体... 详细信息
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基于功率合成技术的75~115GHz六倍频源
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电子学报 2015年 第9期43卷 1864-1869页
作者: 姚常飞 陈振华 周明 罗运生 许从海 郁建 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 江苏南京210016 南京电子器件研究所微波毫米波模块电路事业部 江苏南京210016 南京信息工程大学电子与信息工程学院 江苏南京210044
本文采用混合集成技术,实现了75~115GHz的w波段六倍频功率合成信号源.其Ku波段输入信号经有源二倍频、功分及放大后,输出两路各约24dBm的Ka波段信号,以驱动75~115GHz三倍频器,变阻二极管基于南京电子器件研究所(NEDI)的GaAs工... 详细信息
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