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作者

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语言

  • 288 篇 中文
检索条件"机构=南京电子器件研究所、微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室"
288 条 记 录,以下是171-180 订阅
排序:
GaN HEMT微波功率管直流和射频加速寿命试验
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固体电子研究与进展 2015年 第3期35卷 217-220 252,252页
作者: 杨洋 徐波 贾东铭 蒋浩 姚实 陈堂胜 钱峰 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
分别选用南京电子器件研究所研制的1.25mm栅宽GaN HEMT和12mm栅宽GaN功率管,对小栅宽器件进行三温直流加速寿命试验,评估其直流工作可靠性,试验结果表明该器件在125℃沟道温度条件下工作的失效率为1.86×10-9/h;对大栅宽器件进行脉... 详细信息
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用于数字相控阵雷达收发组件的0.7~4.0GHz SOI CMOS有源下混频器
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固体电子研究与进展 2015年 第2期35卷 145-149,160页
作者: 陈亮 陈新宇 张有涛 杨磊 南京国博电子有限公司 南京210016 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
基于0.18μm SOI CMOS工艺设计了一款用于数字相控阵雷达的宽带有源下混频器。该混频器集成了射频、本振放大器、Gilbert混频电路、中频放大器以及ESD保护电路。该芯片可以直接差分输出,亦可经过片外balun合成单端信号后输出。射频和本... 详细信息
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基于InP DHBT工艺的140 GHz单片功率放大器
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固体电子研究与进展 2016年 第5期36卷 435-页
作者: 程伟 孙岩 王元 陆海燕 常龙 李骁 张勇 徐锐敏 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所 南京210016 电子科技大学 成都611731
磷化铟双异质结双极型晶体管(InP DHBT)具有超高频、高击穿等优点,在亚毫米波/太赫兹单片集成功率放大器应用方面具有独特优势。南京电子器件研究所基于76.2 mm InP DHBT圆片工艺,在国内首次研制出140 GHz单片集成功率放大器,该电路使... 详细信息
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664GHz接收前端技术研究
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微波学报 2015年 第S1期31卷 14-17页
作者: 姚常飞 周明 罗运生 魏翔 张君直 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室 南京210016 南京电子器件研究所微波毫米波模块电路事业部 南京210016
基于X波段源,通过9×2×2次倍频链实现了输出约1-2m W的320-356GHz全固态倍频源。该信号源作为本振信号驱动664GHz接收前端的二次谐波混频器,该混频器采用了有源偏置技术以降低混频器的本振驱动功率和接收机的噪声温度。仿真结... 详细信息
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基于肖特基二极管的450 GHz二次谐波混频器
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红外与毫米波学报 2015年 第3期34卷 301-306页
作者: 赵鑫 蒋长宏 张德海 孟进 姚常飞 中国科学院空间科学与应用研究中心中国科学院微波遥感技术重点实验室 北京100190 中国科学院大学 北京100190 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 江苏南京210016
为了在亚毫米波波段进行遥感探测,研制了450GHz的二次谐波混频器.混频器的核心部件是一对反向并联的肖特基二极管,长度为74μm,截止频率高达8THz.在石英基片上搭建悬置微带的匹配电路,并采用一分为二的金属腔体.在二极管的仿真中获得二... 详细信息
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一种改进的增强型GaNHEMT大信号模型
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半导体技术 2015年 第12期40卷 904-910页
作者: 陈秋芬 李文钧 刘军 陆海燕 韩春林 杭州电子科技大学教育部射频电路与系统重点实验室 杭州310037 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路国家级重点实验室 南京210016
提出一种改进的增强型GaN HEMT器件建模大信号模型。模型沟道电流方程和电荷方程均连续且高阶可导,栅电荷模型满足电荷守恒原则。提出的沟道电流模型可精确拟合实际器件正、反向区、截止区以及亚阈值区的直流特性。根据GaN HEMT器件特... 详细信息
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基于正交实验的100mm 4°偏轴SiC衬底外延均匀性研究
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人工晶体学报 2014年 第10期43卷 2699-2704页
作者: 李赟 赵志飞 陆东赛 朱志明 李忠辉 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
采用行星热壁式SiC外延炉对100 mm 4°偏轴4H-SiC衬底外延工艺进行了研究。分析了氢气预刻蚀工艺对4°偏轴衬底外延材料表面形貌的影响。采用双指标正交实验,通过极差分析的方法研究了C/Si比、Cl/Si比、主氢流量、生长温度、三... 详细信息
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基于NEDI砷化镓肖特基二极管的D波段和G波段倍频源
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红外与毫米波学报 2014年 第3期33卷 256-262页
作者: 姚常飞 周明 罗运生 林罡 李姣 许从海 寇亚男 吴刚 王继财 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 江苏南京210016 南京电子器件研究所微波毫米波模块电路事业部 江苏南京210016
基于南京电子器件研究所(NEDI)的GaAs工艺线,通过分析器件的有源层(缓冲层、外延层)材料掺杂浓度和厚度、肖特基接触面积等,综合优化二极管性能,研制出了截止频率为3.2THz的太赫兹变阻二极管.基于该二极管,通过建立其三维场结... 详细信息
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MOCVD法生长InAlN材料及其微结构特性研究
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功能材料 2014年 第B06期45卷 104-106页
作者: 董逊 倪金玉 李亮 彭大青 张东国 李忠辉 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
利用MOCVD法,在7.62cm蓝宝石衬底上生长了InAlN薄膜及InAlN/GaN异质结材料。利用XRD、AFM、Hall等测试方法对材料的组分、表面形貌、电学性质等进行了分析,InAlN薄膜中In含量随生长温度的升高明显降低,材料表面为三维岛状结构;与AlGaN/... 详细信息
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一种T/R组件热场问题的研究
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电子与封装 2015年 第12期15卷 38-42页
作者: 周骏 刘伟 盛重 沈亚 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016 南京电子器件研究所 南京210016 空军驻江苏地区军事代表室 南京210016
T/R组件的热设计是有源相控阵雷达的核心技术之一。文章提出了针对高密度组件的各种散热措施,采用热仿真软件对T/R组件沟道温度进行仿真研究,并利用红外热分析仪进行测试验证,并将仿真结果与实验结果进行对比,两者结果吻合较好,满足T/R... 详细信息
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