检索结果-内蒙古大学图书馆

红外与毫米波学报 2015年第3期34卷 301-306页

作者：赵鑫蒋长宏张德海孟进姚常飞中国科学院空间科学与应用研究中心中国科学院微波遥感技术重点实验室北京100190 中国科学院大学北京100190 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室江苏南京210016

为了在亚毫米波波段进行遥感探测,研制了450GHz的二次谐波混频器.混频器的核心部件是一对反向并联的肖特基二极管,长度为74μm,截止频率高达8THz.在石英基片上搭建悬置微带的匹配电路,并采用一分为二的金属腔体.在二极管的仿真中获得二... 详细信息

为了在亚毫米波波段进行遥感探测,研制了450GHz的二次谐波混频器.混频器的核心部件是一对反向并联的肖特基二极管,长度为74μm,截止频率高达8THz.在石英基片上搭建悬置微带的匹配电路,并采用一分为二的金属腔体.在二极管的仿真中获得二极管管芯的输入阻抗,然后考虑二极管的封装、匹配电路,仿真得到混频器的单边带变频损耗为8.0dB,所需本振功率为4mW.测试表明,本混频器的单边带变频损耗的最佳值为14.0dB,433~451GHz之间的损耗小于17.0dB,3dB带宽为18GHz,所需的本振功率为5mW.

关键词：谐波混频器变频损耗肖特基二极管石英基片亚毫米波

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基于GaAs HBT工艺的12位1GS/s多奈奎斯特域数模转换器

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固体电子学研究与进展 2014年第3期34卷 201-205,215页

作者：李晓鹏王志功张有涛张敏陈新宇杨磊东南大学射频与光电集成电路研究所南京210096 南京国博电子有限公司南京210016 南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

介绍一种基于1μm GaAs HBT工艺的12位1GS/s多奈奎斯特域数模转换器(DAC)。使用信号归零技术将DAC的有效输出带宽拓展到第三奈奎斯特频域。该DAC在第一至第三奈奎斯特频域内具有平坦的输出功率和较好的SFDR。测试结果表明,与传统DAC相比... 详细信息

介绍一种基于1μm GaAs HBT工艺的12位1GS/s多奈奎斯特域数模转换器(DAC)。使用信号归零技术将DAC的有效输出带宽拓展到第三奈奎斯特频域。该DAC在第一至第三奈奎斯特频域内具有平坦的输出功率和较好的SFDR。测试结果表明,与传统DAC相比,多奈奎斯特域DAC在第二奈奎斯特频点附近的输出功率增大37dB,SFDR提高25dB。

关键词：数模转换器多奈奎斯特归零

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毫米波串联接触式MEMS开关的设计(英文)

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纳米技术与精密工程 2012年第4期10卷 318-321页

作者：侯智昊朱锋郁元卫朱健南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成电路和模块重点实验室南京210016 南京大学电子科学与工程学院南京210032

设计并制造了一种应用于毫米波波段的串联接触式RF MEMS开关.为了在毫米波波段获得较高的隔离度,在RF MEMS开关的输入、输出端口使用细长型的接触端,以降低输入、输出端口的耦合电容.为了获得较高的接触可靠性并降低开关的开启电压,RF M... 详细信息

设计并制造了一种应用于毫米波波段的串联接触式RF MEMS开关.为了在毫米波波段获得较高的隔离度,在RF MEMS开关的输入、输出端口使用细长型的接触端,以降低输入、输出端口的耦合电容.为了获得较高的接触可靠性并降低开关的开启电压,RF MEMS开关上电极结构使用蟹形梁结构.该RF MEMS开关利用南京电子器件研究所微纳米研发部的金表面工艺制备.所获得的RF MEMS开关,在30 GHz频率下,其插入损耗为-0.3 dB,隔离度为-20 dB.在20~40 GHz的频率范围内,其插入损耗均优于-0.5 dB,隔离度均优于-20 dB.

关键词： RFMEMS开关串联接触式毫米波

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一款用于5 G功率放大器的分段线性温度补偿偏置电路

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固体电子学研究与进展 2019年第3期39卷 207-213页

作者：李亚军李晓鹏张有涛蒋东铭陈新宇杨磊南京国博电子有限公司南京210016 南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016 东南大学射光所南京210096

实现了一款用于功率放大器的具有温度补偿特性的偏置电路,首先通过正温度系数(PTAT)电流与负温度系数(NTAT)电流对功率放大器所需的偏置电流进行线性温度补偿,然后在线性补偿的基础上引入分段设计,实现分段线性温度补偿,保证全温范围内... 详细信息

实现了一款用于功率放大器的具有温度补偿特性的偏置电路,首先通过正温度系数(PTAT)电流与负温度系数(NTAT)电流对功率放大器所需的偏置电流进行线性温度补偿,然后在线性补偿的基础上引入分段设计,实现分段线性温度补偿,保证全温范围内功率放大器增益线性化。同时通过分段电流舵型DAC灵活调整偏置电流的大小,将功率放大器偏置在合适工作点的同时降低开关噪声。该偏置电路采用Jazz 0.18μm SOI工艺实现。测试结果表明:在-30~30℃温度区间内,电流补偿斜率为14.9%;在30~90℃温度区间内,电流补偿斜率为29.6%,电流斜率的精度均在1.5%以内;室温下偏置电流的线性调整率为1.4%,输出偏置电流在20.2~1 022.0μA范围内可调。采用该偏置电路的一款功率放大器输出功率典型值为28dBm,误差矢量幅度(EVM)在-30~90℃温度区间内小于3%。

关键词：偏置电路功率放大器温度补偿分段线性温度补偿电流舵

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微波等离子体化学气相沉积法合成高导热金刚石材料及器件应用进展

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硅酸盐学报 2022年第7期50卷 1852-1864页

作者：赵继文郝晓斌赵柯臣李一村张森刘康代兵郭怀新韩杰才朱嘉琦哈尔滨工业大学特种环境复合材料技术国家级重点实验室哈尔滨150080 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210006 哈尔滨工业大学微系统与微结构制造教育部重点实验室哈尔滨150080

随着第3代半导体的应用,电子器件向高功率、小型化发展,由此带来的“热”问题逐渐凸显,金刚石由于其超高的热导率及稳定的性质,被认为是最优的散热材料之一。简要介绍了微波等离子体化学气相沉积装备的原理及发展历程,对比分析了不同种... 详细信息

随着第3代半导体的应用,电子器件向高功率、小型化发展,由此带来的“热”问题逐渐凸显,金刚石由于其超高的热导率及稳定的性质,被认为是最优的散热材料之一。简要介绍了微波等离子体化学气相沉积装备的原理及发展历程,对比分析了不同种类生长设备的差异,对单晶、多晶及纳米晶金刚石在器件散热应用中的现状进行总结,结合第3代半导体总结了金刚石增强散热产业化过程中将面临的性能与尺寸方面的瓶颈问题及金刚石材料“大、纯、快”的发展方向,并对散热应用的未来研究方向做出展望。

关键词：金刚石微波等离子体化学气相沉积散热氮化镓器件

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氧化物功能薄膜材料在柔性传感器件中的应用

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中国科学：信息科学 2018年第6期48卷 635-649页

作者：潘泰松廖非易姚光王宇轩高敏林媛电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

柔性传感器件因其在医疗健康、人机交互等应用中的巨大前景,受到了广泛关注,也是近年来的研究热点.作为无机功能材料中的一类重要材料,氧化物功能薄膜因其具有丰富的电子学、光学、热学、力学、磁学等方面性质已经在各种电子和光电子器... 详细信息

柔性传感器件因其在医疗健康、人机交互等应用中的巨大前景,受到了广泛关注,也是近年来的研究热点.作为无机功能材料中的一类重要材料,氧化物功能薄膜因其具有丰富的电子学、光学、热学、力学、磁学等方面性质已经在各种电子和光电子器件中得到了广泛的应用.将氧化物功能薄膜应用于柔性传感器件,有望进一步提高柔性传感器件的性能,并为新型柔性传感器件的设计提供材料保障.本文分析了目前氧化物功能薄膜在柔性传感器件中应用所面临的重点科学技术问题,并介绍了近年来在基于氧化物功能薄膜的柔性传感器件所涉及的关键技术和器件应用上的研究进展.

关键词：无机功能材料氧化物功能薄膜柔性器件传感器件

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背势垒对InAlN/GaN异质结构中二维电子气的影响

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微纳电子技术 2014年第6期51卷 359-365页

作者：甘天胜李毅刘斌孔月婵陈敦军谢自力修向前陈鹏陈辰韩平张荣南京大学电子科学与工程学院南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室

利用有效质量理论自洽求解Poisson和Schrdinger方程理论研究了背势垒插入层对InAlN/GaN晶格匹配异质结构的电学性能的影响。研究表明,对于In0.17Al0.83N/AlN/GaN的异质结构,AlN的临界厚度为2.43 nm。此时,异质结中二维电子气(2DEG)浓... 详细信息

利用有效质量理论自洽求解Poisson和Schrdinger方程理论研究了背势垒插入层对InAlN/GaN晶格匹配异质结构的电学性能的影响。研究表明,对于In0.17Al0.83N/AlN/GaN的异质结构,AlN的临界厚度为2.43 nm。此时,异质结中二维电子气(2DEG)浓度达到2.49×1013 cm-2,且不随势垒层厚度的变化而变化。重点模拟研究了具有背势垒的InAlN/AlN/GaN/AlGaN/GaN和InAlN/AlN/GaN/InGaN/GaN两种结构的能带结构和2DEG的分布情况。理论结果表明,采用AlGaN背势垒结构时,对于AlGaN的任意Al组分,GaN沟道层导带底能量均被抬升,增强了AlN/GaN三角势阱对2DEG的限制作用,提高了电子迁移率。采用InGaN/GaN作为背势垒结构,当InGaN厚度为2或3 nm时,三角势阱中的2DEG随InGaN中In组分的增加先升高后降低,这主要是由于GaN/InGaN界面处产生的正极化电荷的影响,引起电子在AlN/GaN三角势阱和InGaN/GaN势阱之间的分布变化。

关键词： InAlN/GaN异质结构背势垒插入层二维电子气(2DEG) 能带结构电子迁移率

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基于复合势垒的AlGaN/GaN异质结材料的制备与性能研究

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人工晶体学报 2023年第5期52卷 746-752页

作者：彭大青李忠辉蔡利康李传皓杨乾坤张东国罗伟科南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016 中国电子科技集团有限公司碳基电子重点实验室南京210016

针对高线性氮化镓微波功率器件研制需求,设计并外延生长了复合势垒的Al_(0.26)Ga_(0.74)N/GaN/Al_(0.20)Ga_(0.80)N/GaN异质结构材料,通过理论计算和电容-电压(C-V)测试表明复合势垒材料存在两层二维电子气沟道。生长的复合势垒材料二... 详细信息

针对高线性氮化镓微波功率器件研制需求,设计并外延生长了复合势垒的Al_(0.26)Ga_(0.74)N/GaN/Al_(0.20)Ga_(0.80)N/GaN异质结构材料,通过理论计算和电容-电压(C-V)测试表明复合势垒材料存在两层二维电子气沟道。生长的复合势垒材料二维电子气迁移率达到1510 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1),面密度达到9.7×10^(12)cm^(-2)。得益于双沟道效应,基于复合势垒材料研制的器件跨导存在两个峰,使得跨导明显展宽,达到3.0 V,是常规材料的1.5倍。复合势垒结构器件的跨导一阶导数与二阶导数具有更加优异的特性,表明其具有更高的谐波抑制能力,显示复合势垒AlGaN/GaN异质结构在高线性应用上的优势。

关键词： AlGaN/GaN异质结复合势垒金属有机物气相沉积高线性跨导二维电子气

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基于ASM-HEMT的AlGaN/GaN FinFET 器件建模

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固体电子学研究与进展 2019年第4期39卷 245-249,258页

作者：汪流刘军陶洪琪孔月婵南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016 杭州电子科技大学教育部射频电路与系统重点实验室杭州310018

在ASM-HEMT模型的基础上,对GaN FinFET的直流(DC)特性和S参数进行建模.在Keysight ICCAP建模软件中,通过开路和短路去嵌方法对测试结构引入的寄生去嵌.将包含ASM-HEMT模型内核的VA文件导入软件中并调用Keysight ADS仿真器进行仿真.通过... 详细信息

在ASM-HEMT模型的基础上,对GaN FinFET的直流(DC)特性和S参数进行建模.在Keysight ICCAP建模软件中,通过开路和短路去嵌方法对测试结构引入的寄生去嵌.将包含ASM-HEMT模型内核的VA文件导入软件中并调用Keysight ADS仿真器进行仿真.通过调节模型参数并用仿真的结果拟合测试曲线,该模型可以准确表征GaN FinFET器件的DC特性和S参数,证明了ASM-HEMT模型对非平面GaN器件的建模能力.模型的提取和验证采用栅长180nm、栅宽152nm、625个鳍、1个栅指的T-型栅GaN FinFET器件,应用此模型所得DC特性和S参数与测试结果拟合良好.

关键词：氮化镓鳍式晶体管 ASM-高电子迁移率晶体管模型器件建模

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基片集成波导缝隙式滤波器的设计与实现

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固体电子学研究与进展 2014年第4期34卷 354-356,361页

作者：王元庆丁玉宁刘蕾蕾葛培虎南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016 南京邮电大学南京210003 空军驻江苏地区军事代表室南京210016

基于基片集成波导技术和印刷电路板工艺设计、CST软件模拟,实现了一种四缝隙和五缝隙基片集成波导缝隙式滤波器。仿真结果和实验结果吻合良好。滤波器的中心频率分别为15.85GHz和34GHz,相对3dB带宽为11.9%和12.9%,插损分别为1.4dB和2.9... 详细信息

基于基片集成波导技术和印刷电路板工艺设计、CST软件模拟,实现了一种四缝隙和五缝隙基片集成波导缝隙式滤波器。仿真结果和实验结果吻合良好。滤波器的中心频率分别为15.85GHz和34GHz,相对3dB带宽为11.9%和12.9%,插损分别为1.4dB和2.9dB,且具有良好的选择性。与传统的基片集成波导谐振腔式滤波器相比,这种滤波器可以提供更宽的阻带且便于后期调试。

关键词：基片集成波导缝隙式滤波器印刷电路板

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