检索结果-内蒙古大学图书馆

光电子技术 2022年第4期42卷 241-247页

作者：钱广钱坤何晓舟王子彦陈向飞唐杰王琛全顾晓文孔月婵陈堂胜南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016 南京大学微结构国家实验室和现代工程与应用科学学院南京210093 空军装备部上海局上海200231

微波光子收/发模块是微波光子系统中实现电光/光电转换等功能的核心部件,在雷达、电子对抗及通信等系统中均具有广泛应用。文章介绍了微波光子收/发模块结构原理和典型产品,论述了微波光子收/发模块未来发展趋势及关键技术。

关键词：微波光子收/发模块光电集成

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基于InP DHBT工艺的140 GHz单片功率放大器

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固体电子学研究与进展 2016年第5期36卷 435-页

作者：程伟孙岩王元陆海燕常龙李骁张勇徐锐敏微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京210016 电子科技大学成都611731

磷化铟双异质结双极型晶体管(InP DHBT)具有超高频、高击穿等优点,在亚毫米波/太赫兹单片集成功率放大器应用方面具有独特优势。南京电子器件研究所基于76.2 mm InP DHBT圆片工艺,在国内首次研制出140 GHz单片集成功率放大器,该电路使... 详细信息

磷化铟双异质结双极型晶体管(InP DHBT)具有超高频、高击穿等优点,在亚毫米波/太赫兹单片集成功率放大器应用方面具有独特优势。南京电子器件研究所基于76.2 mm InP DHBT圆片工艺,在国内首次研制出140 GHz单片集成功率放大器,该电路使用多层布线工艺以实现低损耗的薄膜介质微带线。电路拓扑方面,采用4级放大结构,末级采用4个发射极宽度0.5μm的单指InP DHBT器件进行功率合成,芯片面积约为2.0 mm×1.9mm。

关键词： DHBT 单片集成功率放大器 InP DHBT

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铌酸锂薄膜高速电光开关的设计与制备

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光电子技术 2023年第1期43卷 7-10,16页

作者：唐杰王子彦钱坤何晓舟潘时龙王琛全顾晓文钱广孔月婵陈堂胜微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016 南京电子器件研究所南京210016 南京航空航天大学电子信息工程学院南京211106 空军装备部上海局上海200231

基于硅基铌酸锂薄膜(Lithium Niobate on insulator,LNOI)材料平台,设计并制备了高速电光开关芯片,并实现了芯片的光纤耦合、管壳封装和性能测试。测试结果表明,该高速电光开关器件的开关速度达到13.4 ns,消光比达到31.8 dB。研究工作... 详细信息

基于硅基铌酸锂薄膜(Lithium Niobate on insulator,LNOI)材料平台,设计并制备了高速电光开关芯片,并实现了芯片的光纤耦合、管壳封装和性能测试。测试结果表明,该高速电光开关器件的开关速度达到13.4 ns,消光比达到31.8 dB。研究工作对未来研制光学延时芯片和波束形成网络芯片具有重要的支撑意义。

关键词：铌酸锂薄膜电光开关光学波束形成

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薄膜铌酸锂电光调制器研究进展

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光电子技术 2021年第3期41卷 159-166页

作者：秦妍妍吴立枢陈泽贤钱广张晓阳张彤东南大学电子科学与工程学院信息显示与可视化国际合作联合实验室南京210096 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016 东南大学苏州校区苏州金属纳米光电技术重点实验室江苏苏州215123

从铌酸锂电光调制器的工作原理出发,介绍了不同种类的薄膜铌酸锂波导技术和近年来部分具有代表性的薄膜铌酸锂电光调制器研究进展,并对未来发展所面临的挑战和前景进行了展望。

关键词：薄膜铌酸锂电光调制器光子集成

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26.5 GHz InP宽带梳谱单片

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固体电子学研究与进展 2021年第6期41卷 F0003-F0003页

作者：张有涛程伟赵莹莹微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京210016 南京国博电子股份有限公司南京211100

基于101.6mm(4英寸)0.7μm Inp DHBT工艺,南京电子器件研究所首次研制出26.5 GHz宽带梳谱单片集成电路。与常规雪崩二极管及非线性传输线方案不同,芯片采用有源电路实现,具有对外部输入功率不敏感、输出频谱高平坦度、低相噪等特点,芯... 详细信息

基于101.6mm(4英寸)0.7μm Inp DHBT工艺,南京电子器件研究所首次研制出26.5 GHz宽带梳谱单片集成电路。与常规雪崩二极管及非线性传输线方案不同,芯片采用有源电路实现,具有对外部输入功率不敏感、输出频谱高平坦度、低相噪等特点,芯片面积约为1.00mm×0.75mm。图1为芯片照片,图2和图3分别为芯片在输入100MHz信号下的频域及时域测试结果。Inp有源梳谱单片可输出脉冲宽度为21ps的极窄脉冲,幅度为500Vpp,在26.5Ghz带宽内的输出平坦度小于12dBc,显示了梳谱单片的性能优势,也体现了InP HBT器件的高频特性。

关键词：单片集成电路雪崩二极管非线性传输线输出频谱高频特性极窄脉冲时域测试平坦度

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芯片级原子钟碱金属吸收泡

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固体电子学研究与进展 2015年第3期35卷 307-页

作者：黄旼朱健石归雄曹远洪王文军南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016 成都天奥电子股份有限公司成都611731

基于原子相干布局囚禁(Coherent population trapping)原理的芯片级原子钟是原子钟微型化发展的必然趋势,其中的核心微型化碱金属吸收泡起着关键性的作用。南京电子器件研究所与成都天奥电子股份有限公司联合研究。

关键词：芯片级结构设计 trapping 双腔圆片联合研究吸收谱线样品图本征吸收漏气率

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60 GHz带宽石墨烯光电探测器

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固体电子学研究与进展 2022年第6期42卷 F0003-F0003页

作者：陶然吴云曹正义王东辰李冠宇李忠辉南京电子器件研究所中国电子科技集团有限公司碳基电子重点实验室微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

针对石墨烯光电探测器的感光增强、光生载流子分离等技术难点,南京电子器件研究所结合前期石墨烯器件和电路的研制经验,建立了一套低损伤、高扩展性的短间距曲折沟道与异种电极一体化的制备工艺。有效降低了石墨烯的欧姆接触电阻,并使... 详细信息

针对石墨烯光电探测器的感光增强、光生载流子分离等技术难点,南京电子器件研究所结合前期石墨烯器件和电路的研制经验,建立了一套低损伤、高扩展性的短间距曲折沟道与异种电极一体化的制备工艺。有效降低了石墨烯的欧姆接触电阻,并使石墨烯的光生载流子具有高漂移速度,促进其在短沟道中快速分离;同时基于石墨烯沟道与电极的图形结构设计,增强了石墨烯与光的相互作用;成功制备了一款60 GHz大带宽的光电探测器,显微照片如图1所示。该石墨烯光电探测器的工作电压小于0.3 V,对1550 nm光的实测响应度达到0.17 A/W,如图2(a)所示。通过矢量网络分析仪实测探测器的3 dB带宽均达60 GHz以上,当频率从10 MHz上升至60 GHz时,探测器的响应度仅下降2.18 dB,如图2(b)所示。此外,该探测器还具备硅光集成潜力,可为高速通讯应用奠定基础。

关键词：矢量网络分析仪响应度光电探测器图形结构显微照片光生载流子高速通讯漂移速度

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基于微环谐振腔的偏振转换器

基于微环谐振腔的偏振转换器

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全国第17次光纤通信暨第18届集成光学学术会议

作者：吴鲁刚黄梦昊李思敏牛斌潘时龙南京航空航天大学雷达成像与微波光子技术教育部重点实验室南京电子器件研究所砷化镓微波毫米波单片和模块电路国防科技重点实验室

本文提出了一种基于微环谐振腔的偏振转换器,通过在耦合区引入非对称波导结构改变了光的偏振态。与传统直线型结构的偏振转换器相比,该器件尺寸变小,同时兼具偏振转换器和微环谐振器的特性,既能实现偏振转换,又具有微环谐振器滤波的能... 详细信息

本文提出了一种基于微环谐振腔的偏振转换器,通过在耦合区引入非对称波导结构改变了光的偏振态。与传统直线型结构的偏振转换器相比,该器件尺寸变小,同时兼具偏振转换器和微环谐振器的特性,既能实现偏振转换,又具有微环谐振器滤波的能力。仿真结果显示,输入横电模(TE模)光波,满足微环谐振条件的光波从下载端输出,且转换为横磁模(TM模),不满足谐振条件的光波从直通端输出,偏振态保持不变。

关键词：集成光子偏振转换器微环谐振器

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