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  • 22 篇 tao hongqi

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  • 288 篇 中文
检索条件"机构=南京电子器件研究所、微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室"
288 条 记 录,以下是41-50 订阅
排序:
基于0.7μm InP DHBT的毫米波数字化功率放大器
收藏 引用
固体电子研究与进展 2021年 第2期41卷 109-114页
作者: 周广超 郭润楠 张斌 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
基于磷化铟双异质结双极型晶体管(InP DHBT)实现了一款K波段数字化功率放大器芯片。该芯片利用InP DHBT工艺兼容高速数字与射频功率电路的优点,采用多个数字功放单元并联连接的形式,每个数字功放单元可以根据数字基带控制信号接通或断开... 详细信息
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GaN HFET的大信号射频工作模型
收藏 引用
固体电子研究与进展 2014年 第6期34卷 403-408,414页
作者: 薛舫时 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
分析了GaN HFET大信号工作特性随器件漏压、栅压、栅长和工作频率变化的实验特征,发现器件的射频输出功率和功率附加效率随频率升高、漏压增大和栅长缩短而下降的规律及在3mm波段短栅长的高截止频率场效应管没有输出功率的现象。从场效... 详细信息
来源: 评论
八胞合成X波段140W AlGaN/GaN HEMT的研究与应用
收藏 引用
固体电子研究与进展 2011年 第5期31卷 442-444,493页
作者: 钟世昌 陈堂胜 张斌 任春江 陈辰 高涛 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
主要研究第三代半导体AlGaN/GaN功率管内匹配问题。采用8个2.5 mm GaN功率芯片设计、合成以及内匹配电路的测试,在漏极电压40 V,脉冲占空比10%,脉宽100μs的条件下进行功率匹配,实现了GaN功率HEMT在X波段8 GHz 140 W功率输出的内匹配电... 详细信息
来源: 评论
GaN HFET中的陷阱和局域电子
收藏 引用
固体电子研究与进展 2015年 第3期35卷 207-216页
作者: 薛舫时 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
研究了GaN HFET中陷阱的各种行为,发现许多特性不能简单地用陷阱中心俘获带内电子模型来解释。从内、外沟道陷阱密度的巨大差异推出外沟道高密度陷阱不是由陷阱中心俘获带内电子产生的。通过自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程发现栅-漏... 详细信息
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基于毫米波负载调制网络优化设计的26 GHz Doherty功率放大器MMIC
收藏 引用
固体电子研究与进展 2020年 第5期40卷 317-323页
作者: 郭润楠 陶洪琪 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
提出了一种毫米波Doherty放大器负载调制网络结构及优化设计方法。该方法在改善传统方案调制不充分的同时,去除影响工作带宽的四分之一波长线,有效降低输出网络的复杂度,减少匹配损耗,提高了Doherty放大器效率和工作带宽。基于提出的优... 详细信息
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GaN HFET沟道中的强场峰和场效应管能带
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固体电子研究与进展 2018年 第3期38卷 157-167,177页
作者: 薛舫时 孔月婵 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所 南京210016
引入新的解析函数来描绘GaN HFET沟道中的电势、电场强度和电场梯度。自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程计算了沟道强场峰中的场效应管能带。研究了不同栅、漏电压下的场效应管能带,计算出强场峰中的局域电子气势垒。详细计算了强场峰... 详细信息
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砷化镓基毫米波MEMS开关表面工艺研究
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固体电子研究与进展 2012年 第1期32卷 78-82页
作者: 姜理利 贾世星 冯欧 朱健 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
研究了砷化镓基毫米波MEMS开关的表面工艺方法,包括MEMS开关的工艺流程中的牺牲层技术、结构层技术、触点技术、薄膜电阻技术。重点阐述了以光敏聚酰亚胺作牺牲层和以电镀金作结构层的工艺制作方法。形成了砷化镓RF MEMS开关表面工艺流... 详细信息
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基于InPHBT工艺的宽带非线性传输线梳谱发生器MMIC设计
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固体电子研究与进展 2022年 第1期42卷 16-21页
作者: 曹军 刘尧 潘晓枫 程伟 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
基于NEDI 0.7μm InP HBT工艺,设计了一种宽带非线性传输线梳谱发生器MMIC,输出频率范围覆盖DC-100 GHz,最大倍频次数高达60。梳谱发生器由40级非线性传输线单元级联构成,每个非线性单元由高阻微带线以及基极-集电极短接的晶体管组成。... 详细信息
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GaN HFET中局域电子气产生的动态电流
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固体电子研究与进展 2017年 第4期37卷 149-154页
作者: 薛舫时 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
从不同栅电压下异质结能带和电子气状态研究出发,研究了GaN HFET栅压变化时的异质结充放电过程。通过自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程计算出不同偏置电压下内、外沟道的导带底。引入局域电子气势垒来甄别沟道中的漂移电子气和局域电... 详细信息
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碳基射频电子器件研究进展
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固体电子研究与进展 2020年 第2期40卷 94-103,121页
作者: 孔月婵 杨扬 周建军 吴云 顾晓文 郁鑫鑫 王登贵 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
以三维体材料金刚石、二维材料石墨烯和准一维材料碳纳米管为代表的碳基电子材料,分别拥有超宽禁带、超高载流子迁移率、优异的导热性能和机械特性,以及独特的低维结构带来的各种量子效应,在射频大功率、高线性、太赫兹以及光电混频等... 详细信息
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