检索结果-内蒙古大学图书馆

固体电子学研究与进展 2021年第6期41卷 F0003-F0003页

作者：张有涛程伟赵莹莹微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京210016 南京国博电子股份有限公司南京211100

基于101.6mm(4英寸)0.7μm Inp DHBT工艺,南京电子器件研究所首次研制出26.5 GHz宽带梳谱单片集成电路。与常规雪崩二极管及非线性传输线方案不同,芯片采用有源电路实现,具有对外部输入功率不敏感、输出频谱高平坦度、低相噪等特点,芯... 详细信息

基于101.6mm(4英寸)0.7μm Inp DHBT工艺,南京电子器件研究所首次研制出26.5 GHz宽带梳谱单片集成电路。与常规雪崩二极管及非线性传输线方案不同,芯片采用有源电路实现,具有对外部输入功率不敏感、输出频谱高平坦度、低相噪等特点,芯片面积约为1.00mm×0.75mm。图1为芯片照片,图2和图3分别为芯片在输入100MHz信号下的频域及时域测试结果。Inp有源梳谱单片可输出脉冲宽度为21ps的极窄脉冲,幅度为500Vpp,在26.5Ghz带宽内的输出平坦度小于12dBc,显示了梳谱单片的性能优势,也体现了InP HBT器件的高频特性。

关键词：单片集成电路雪崩二极管非线性传输线输出频谱高频特性极窄脉冲时域测试平坦度

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一款用于5 G功率放大器的分段线性温度补偿偏置电路

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固体电子学研究与进展 2019年第3期39卷 207-213页

作者：李亚军李晓鹏张有涛蒋东铭陈新宇杨磊南京国博电子有限公司南京210016 南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016 东南大学射光所南京210096

实现了一款用于功率放大器的具有温度补偿特性的偏置电路,首先通过正温度系数(PTAT)电流与负温度系数(NTAT)电流对功率放大器所需的偏置电流进行线性温度补偿,然后在线性补偿的基础上引入分段设计,实现分段线性温度补偿,保证全温范围内... 详细信息

实现了一款用于功率放大器的具有温度补偿特性的偏置电路,首先通过正温度系数(PTAT)电流与负温度系数(NTAT)电流对功率放大器所需的偏置电流进行线性温度补偿,然后在线性补偿的基础上引入分段设计,实现分段线性温度补偿,保证全温范围内功率放大器增益线性化。同时通过分段电流舵型DAC灵活调整偏置电流的大小,将功率放大器偏置在合适工作点的同时降低开关噪声。该偏置电路采用Jazz 0.18μm SOI工艺实现。测试结果表明:在-30~30℃温度区间内,电流补偿斜率为14.9%;在30~90℃温度区间内,电流补偿斜率为29.6%,电流斜率的精度均在1.5%以内;室温下偏置电流的线性调整率为1.4%,输出偏置电流在20.2~1 022.0μA范围内可调。采用该偏置电路的一款功率放大器输出功率典型值为28dBm,误差矢量幅度(EVM)在-30~90℃温度区间内小于3%。

关键词：偏置电路功率放大器温度补偿分段线性温度补偿电流舵

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高质量6英寸SiC基AlGaN/GaN HEMT外延材料

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固体电子学研究与进展 2020年第4期40卷 F0003-F0003页

作者：杨乾坤张东国彭大青李传皓李忠辉南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

南京电子器件研究所基于国产半绝缘SiC衬底研制出了高质量152.4 mm (6英寸)GaN HEMT外延材料。采用高温成核层调制生长技术,有效降低了大尺寸GaN外延材料的位错密度和圆片翘曲度,并利用温流场调控技术,大幅提升了片内均匀性,突破了国产... 详细信息

南京电子器件研究所基于国产半绝缘SiC衬底研制出了高质量152.4 mm (6英寸)GaN HEMT外延材料。采用高温成核层调制生长技术,有效降低了大尺寸GaN外延材料的位错密度和圆片翘曲度,并利用温流场调控技术,大幅提升了片内均匀性,突破了国产半绝缘SiC衬底上高质量152.4 mm (6英寸)GaN HEMT外延材料制备关键技术。

关键词：外延材料 AlGaN/GaN 半绝缘圆片 HEMT 位错密度成核层翘曲度

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基于InP HBT的SFDR>63 dB 12位6 GS/s高速数模转换器

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电子技术应用 2020年第4期46卷 34-39页

作者：王铭张有涛叶庆国罗宁李晓鹏南京电子器件研究所江苏南京210016 南京国博电子有限公司江苏南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室江苏南京210016

基于0.7μm、ft=280 GHz的InP异质结双极晶体管(HBT)工艺设计了一款12位6 GS/s的电流舵型数模转换器(DAC)。通过改进电流源开关结构,增大了输出阻抗和稳定性;在DAC输出端引入去毛刺(Deglitch)电路,可以有效消除高速DAC开关切换期间产生... 详细信息

基于0.7μm、ft=280 GHz的InP异质结双极晶体管(HBT)工艺设计了一款12位6 GS/s的电流舵型数模转换器(DAC)。通过改进电流源开关结构,增大了输出阻抗和稳定性;在DAC输出端引入去毛刺(Deglitch)电路,可以有效消除高速DAC开关切换期间产生的毛刺,从而提升电路无杂散动态范围(SFDR)。仿真结果表明,电路实现了0.75 LSB的DNL和0.5 LSB的INL,去毛刺电路可以在高频下将DAC的SFDR提升10 dB,并且在整个奈奎斯域内实现SFDR>63 dB,极大地提升了DAC的动态特性。

关键词：数模转换器(DAC) 电流舵 InP HBT Deglitch 无杂散动态范围(SFDR)

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基于100mm国产SiC衬底高性能AlGaN/GaN异质结外延材料

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固体电子学研究与进展 2020年第1期40卷 F0003-F0003页

作者：张东国杨乾坤李忠辉彭大青李传皓罗伟科董逊南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

南京电子器件研究所提出了一种"AlN表面原位图形化"技术,将AlN成核岛台阶化(图1),改善GaN缓冲层的外延生长模式,抑制GaN/AlN界面位错的生成以及纵向延伸,从而降低GaN缓冲层的穿透位错密度。另外,原位制备工艺容易实现,避免杂... 详细信息

南京电子器件研究所提出了一种"AlN表面原位图形化"技术,将AlN成核岛台阶化(图1),改善GaN缓冲层的外延生长模式,抑制GaN/AlN界面位错的生成以及纵向延伸,从而降低GaN缓冲层的穿透位错密度。另外,原位制备工艺容易实现,避免杂质引入,降低外延成本。采用该技术在100 mm国产高纯半绝缘SiC衬底上制备出1.8 μm厚高质量GaN HEMT外延材料,GaN缓冲层(002)和(102)面摇摆曲线半高宽分别达到56、147 arcsec(图2),与常规工艺相比位错密度降低80%,二维电子气室温迁移率达到2 300 cm^2/(V·s),材料结晶质量和电学特性获得显著提升。

关键词：外延材料 AlGaN/GaN 二维电子气缓冲层摇摆曲线外延生长半绝缘迁移率

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基于ASM-HEMT的AlGaN/GaN FinFET 器件建模

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固体电子学研究与进展 2019年第4期39卷 245-249,258页

作者：汪流刘军陶洪琪孔月婵南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016 杭州电子科技大学教育部射频电路与系统重点实验室杭州310018

在ASM-HEMT模型的基础上,对GaN FinFET的直流(DC)特性和S参数进行建模.在Keysight ICCAP建模软件中,通过开路和短路去嵌方法对测试结构引入的寄生去嵌.将包含ASM-HEMT模型内核的VA文件导入软件中并调用Keysight ADS仿真器进行仿真.通过... 详细信息

在ASM-HEMT模型的基础上,对GaN FinFET的直流(DC)特性和S参数进行建模.在Keysight ICCAP建模软件中,通过开路和短路去嵌方法对测试结构引入的寄生去嵌.将包含ASM-HEMT模型内核的VA文件导入软件中并调用Keysight ADS仿真器进行仿真.通过调节模型参数并用仿真的结果拟合测试曲线,该模型可以准确表征GaN FinFET器件的DC特性和S参数,证明了ASM-HEMT模型对非平面GaN器件的建模能力.模型的提取和验证采用栅长180nm、栅宽152nm、625个鳍、1个栅指的T-型栅GaN FinFET器件,应用此模型所得DC特性和S参数与测试结果拟合良好.

关键词：氮化镓鳍式晶体管 ASM-高电子迁移率晶体管模型器件建模

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基于InP HBT工艺的50 Gb/s 1:4量化降速电路

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电子技术应用 2020年第6期46卷 45-50页

作者：周浩张有涛南京电子器件研究所江苏南京210016 南京国博电子有限公司江苏南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室江苏南京210016

基于南京电子器件研究所的0.7μm InP HBT工艺设计了一种数据转换速率达到50 Gb/s的1:4量化降速芯片。该芯片同时将前端高速高灵敏度比较器与一个1:4分接器集成到单芯片中,能够直接一次性实现对2~18 GHz带宽的模拟输入信号的可靠接收和... 详细信息

基于南京电子器件研究所的0.7μm InP HBT工艺设计了一种数据转换速率达到50 Gb/s的1:4量化降速芯片。该芯片同时将前端高速高灵敏度比较器与一个1:4分接器集成到单芯片中,能够直接一次性实现对2~18 GHz带宽的模拟输入信号的可靠接收和降速处理,输入信号灵敏度在芯片最高工作速率下达到1 mV,工作电压3.3 V,芯片功耗1.5 W,最高数据转换速率达到50 Gb/s,输出数据信号与时钟信号幅值均达到200 mV。

关键词：高速电路比较器分接器树型结构 InP HBT 高灵敏度

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InP DHBT Ka波段四通道发射芯片

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固体电子学研究与进展 2020年第5期40卷 F0003-F0003页

作者：潘晓枫刘尧张宇辰徐波程伟南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

基于南京电子器件研究所开发的0.7μm InP DHBT工艺,研制了一款工作在Ka波段的四通道变频发射芯片。该款芯片集成四倍频、功分、放大、检波、温度传感及逻辑控制等功能。在输入功率-18 dBm条件下,实测30~40 GHz内四个通道的四倍频差分... 详细信息

基于南京电子器件研究所开发的0.7μm InP DHBT工艺,研制了一款工作在Ka波段的四通道变频发射芯片。该款芯片集成四倍频、功分、放大、检波、温度传感及逻辑控制等功能。在输入功率-18 dBm条件下,实测30~40 GHz内四个通道的四倍频差分输出信号功率大于5 dBm,三次谐波抑制大于30 dBc,五次谐波抑制大于35 dBc。线性功率检波范围为-10~10 dBm(0.05 V/dBm),温度传感器检测范围为-55~125℃(1 mV/K)。图1-4展示了该款芯片的测试结果。

关键词： Ka波段温度传感 DHBT 四倍频 InP 五次谐波四通道三次谐波

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高电流密度金刚石肖特基势垒二极管研究

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固体电子学研究与进展 2019年第2期39卷 77-80,85页

作者：郁鑫鑫周建军王艳丰邱风孔月婵王宏兴陈堂胜南京电子器件研究所微波毫米波单片和模块电路重点实验室南京210016 西安交通大学电子与信息工程学院西安710049

报道了一种具有高正向电流密度和高反向击穿场强的垂直型金刚石肖特基势垒二极管器件。采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术在高掺p^+单晶金刚石衬底上外延了一层275 nm厚的低掺p^-金刚石漂移层,并通过在样品背面和正面分别制备欧... 详细信息

报道了一种具有高正向电流密度和高反向击穿场强的垂直型金刚石肖特基势垒二极管器件。采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术在高掺p^+单晶金刚石衬底上外延了一层275 nm厚的低掺p^-金刚石漂移层,并通过在样品背面和正面分别制备欧姆和肖特基接触电极完成了器件的研制。欧姆接触比接触电阻率低至1.73×10^(-5)Ω·cm^2,肖特基接触理想因子1.87,势垒高度1.08 eV。器件在正向-10 V电压时的电流密度达到了22 000 A/cm^2,比导通电阻0.45 mΩ·cm^2,整流比1×10^(10)以上。器件反向击穿电压110 V,击穿场强达到了4 MV/cm。

关键词：金刚石肖特基二极管高电流密度

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基于InP DHBT工艺的32.2 GHz超高速全加器

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固体电子学研究与进展 2019年第2期39卷 97-101页

作者：李晓鹏王志功张有涛张敏程伟张翼陈新宇东南大学南京210096 南京国博电子有限公司南京210016 南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016 南京邮电大学微电子学院南京210046

介绍了一种基于0.7μm磷化铟(InP)双异质结双极型晶体管(DHBT)工艺的超高速全加器,将加法运算与数据同步锁存融合设计来提高计算速度,采用多数决定运算法则设计单层晶体管并联型进位电路来降低功耗。测试结果表明,全加器的最高时钟频率... 详细信息

介绍了一种基于0.7μm磷化铟(InP)双异质结双极型晶体管(DHBT)工艺的超高速全加器,将加法运算与数据同步锁存融合设计来提高计算速度,采用多数决定运算法则设计单层晶体管并联型进位电路来降低功耗。测试结果表明,全加器的最高时钟频率达32.2 GHz,包含锁存器的全加器整体电路功耗为350 mW。

关键词：全加器双异质结双极型晶体管磷化铟超高速电路电流模逻辑

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