咨询与建议

限定检索结果

文献类型

  • 256 篇 期刊文献
  • 32 篇 会议

馆藏范围

  • 288 篇 电子文献
  • 0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

  • 264 篇 工学
    • 243 篇 电子科学与技术(可...
    • 145 篇 材料科学与工程(可...
    • 8 篇 光学工程
    • 6 篇 仪器科学与技术
    • 5 篇 信息与通信工程
    • 4 篇 控制科学与工程
    • 3 篇 机械工程
    • 3 篇 化学工程与技术
    • 3 篇 软件工程
    • 2 篇 电气工程
    • 1 篇 动力工程及工程热...
    • 1 篇 航空宇航科学与技...
  • 15 篇 理学
    • 15 篇 物理学
    • 3 篇 化学

主题

  • 19 篇 氮化镓
  • 15 篇 南京电子器件研究...
  • 15 篇 gan
  • 14 篇 功率放大器
  • 14 篇 太赫兹
  • 12 篇 inp
  • 11 篇 高效率
  • 10 篇 电流崩塌
  • 10 篇 磷化铟
  • 9 篇 高电子迁移率晶体...
  • 9 篇 微波单片集成电路
  • 9 篇 单片微波集成电路
  • 8 篇 dhbt
  • 7 篇 二维电子气
  • 7 篇 金刚石
  • 7 篇 ka波段
  • 6 篇 截止频率
  • 6 篇 局域电子气
  • 6 篇 ku波段
  • 6 篇 mmic

机构

  • 175 篇 南京电子器件研究...
  • 105 篇 微波毫米波单片集...
  • 57 篇 南京电子器件研究...
  • 18 篇 微波毫米波单片集...
  • 13 篇 南京国博电子有限...
  • 11 篇 东南大学
  • 7 篇 南京电子器件研究...
  • 6 篇 南京大学
  • 5 篇 中国电子科技集团...
  • 4 篇 杭州电子科技大学
  • 4 篇 中国电科碳基电子...
  • 3 篇 南京电子器件研究...
  • 3 篇 南京邮电大学
  • 2 篇 南京电子器件研究...
  • 2 篇 空军驻江苏地区军...
  • 2 篇 微波毫米波单片集...
  • 2 篇 上海交通大学
  • 2 篇 空军装备部上海局
  • 2 篇 哈尔滨工业大学
  • 2 篇 南京航空航天大学

作者

  • 66 篇 陈堂胜
  • 57 篇 李忠辉
  • 49 篇 孔月婵
  • 33 篇 周建军
  • 30 篇 程伟
  • 29 篇 张有涛
  • 28 篇 陆海燕
  • 28 篇 董逊
  • 26 篇 张东国
  • 25 篇 朱健
  • 25 篇 彭大青
  • 25 篇 陶洪琪
  • 22 篇 薛舫时
  • 19 篇 王元
  • 18 篇 孔岑
  • 17 篇 李亮
  • 16 篇 张斌
  • 16 篇 郁元卫
  • 16 篇 倪金玉
  • 15 篇 罗伟科

语言

  • 288 篇 中文
检索条件"机构=南京电子器件研究所、微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室"
288 条 记 录,以下是81-90 订阅
排序:
26.5 GHz InP宽带梳谱单片
收藏 引用
固体电子研究与进展 2021年 第6期41卷 F0003-F0003页
作者: 张有涛 程伟 赵莹莹 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京电子器件研究所南京210016 南京国博电子股份有限公司 南京211100
基于101.6mm(4英寸)0.7μm Inp DHBT工艺,南京电子器件研究所首次研制出26.5 GHz宽带梳谱单片集成电路。与常规雪崩二极管及非线性传输线方案不同,芯片采用有源电路实现,具有对外部输入功率不敏感、输出频谱高平坦度、低相噪等特点,芯... 详细信息
来源: 评论
一款用于5 G功率放大器的分段线性温度补偿偏置电路
收藏 引用
固体电子研究与进展 2019年 第3期39卷 207-213页
作者: 李亚军 李晓鹏 张有涛 蒋东铭 陈新宇 杨磊 南京国博电子有限公司 南京210016 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016 东南大学 射光所南京210096
实现了一款用于功率放大器的具有温度补偿特性的偏置电路,首先通过正温度系数(PTAT)电流与负温度系数(NTAT)电流对功率放大器需的偏置电流进行线性温度补偿,然后在线性补偿的基础上引入分段设计,实现分段线性温度补偿,保证全温范围内... 详细信息
来源: 评论
高质量6英寸SiC基AlGaN/GaN HEMT外延材料
收藏 引用
固体电子研究与进展 2020年 第4期40卷 F0003-F0003页
作者: 杨乾坤 张东国 彭大青 李传皓 李忠辉 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
南京电子器件研究所基于国产半绝缘SiC衬底研制出了高质量152.4 mm (6英寸)GaN HEMT外延材料。采用高温成核层调制生长技术,有效降低了大尺寸GaN外延材料的位错密度和圆片翘曲度,并利用温流场调控技术,大幅提升了片内均匀性,突破了国产... 详细信息
来源: 评论
基于InP HBT的SFDR>63 dB 12位6 GS/s高速数模转换器
收藏 引用
电子技术应用 2020年 第4期46卷 34-39页
作者: 王铭 张有涛 叶庆国 罗宁 李晓鹏 南京电子器件研究所 江苏南京210016 南京国博电子有限公司 江苏南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 江苏南京210016
基于0.7μm、ft=280 GHz的InP异质结双极晶体管(HBT)工艺设计了一款12位6 GS/s的电流舵型数模转换器(DAC)。通过改进电流源开关结构,增大了输出阻抗和稳定性;在DAC输出端引入去毛刺(Deglitch)电路,可以有效消除高速DAC开关切换期间产生... 详细信息
来源: 评论
基于100mm国产SiC衬底高性能AlGaN/GaN异质结外延材料
收藏 引用
固体电子研究与进展 2020年 第1期40卷 F0003-F0003页
作者: 张东国 杨乾坤 李忠辉 彭大青 李传皓 罗伟科 董逊 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
南京电子器件研究所提出了一种"AlN表面原位图形化"技术,将AlN成核岛台阶化(图1),改善GaN缓冲层的外延生长模式,抑制GaN/AlN界面位错的生成以及纵向延伸,从而降低GaN缓冲层的穿透位错密度。另外,原位制备工艺容易实现,避免杂... 详细信息
来源: 评论
基于ASM-HEMT的AlGaN/GaN FinFET 器件建模
收藏 引用
固体电子研究与进展 2019年 第4期39卷 245-249,258页
作者: 汪流 刘军 陶洪琪 孔月婵 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016 杭州电子科技大学教育部射频电路与系统重点实验室 杭州310018
在ASM-HEMT模型的基础上,对GaN FinFET的直流(DC)特性和S参数进行建模.在Keysight ICCAP建模软件中,通过开路和短路去嵌方法对测试结构引入的寄生去嵌.将包含ASM-HEMT模型内核的VA文件导入软件中并调用Keysight ADS仿真器进行仿真.通过... 详细信息
来源: 评论
基于InP HBT工艺的50 Gb/s 1:4量化降速电路
收藏 引用
电子技术应用 2020年 第6期46卷 45-50页
作者: 周浩 张有涛 南京电子器件研究所 江苏南京210016 南京国博电子有限公司 江苏南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 江苏南京210016
基于南京电子器件研究所的0.7μm InP HBT工艺设计了一种数据转换速率达到50 Gb/s的1:4量化降速芯片。该芯片同时将前端高速高灵敏度比较器与一个1:4分接器集成到单芯片中,能够直接一次性实现对2~18 GHz带宽的模拟输入信号的可靠接收和... 详细信息
来源: 评论
InP DHBT Ka波段四通道发射芯片
收藏 引用
固体电子研究与进展 2020年 第5期40卷 F0003-F0003页
作者: 潘晓枫 刘尧 张宇辰 徐波 程伟 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
基于南京电子器件研究所开发的0.7μm InP DHBT工艺,研制了一款工作在Ka波段的四通道变频发射芯片。该款芯片集成四倍频、功分、放大、检波、温度传感及逻辑控制等功能。在输入功率-18 dBm条件下,实测30~40 GHz内四个通道的四倍频差分... 详细信息
来源: 评论
高电流密度金刚石肖特基势垒二极管研究
收藏 引用
固体电子研究与进展 2019年 第2期39卷 77-80,85页
作者: 郁鑫鑫 周建军 王艳丰 邱风 孔月婵 王宏兴 陈堂胜 南京电子器件研究所微波毫米波单片和模块电路重点实验室 南京210016 西安交通大学电子与信息工程学院 西安710049
报道了一种具有高正向电流密度和高反向击穿场强的垂直型金刚石肖特基势垒二极管器件。采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术在高掺p^+单晶金刚石衬底上外延了一层275 nm厚的低掺p^-金刚石漂移层,并通过在样品背面和正面分别制备欧... 详细信息
来源: 评论
基于InP DHBT工艺的32.2 GHz超高速全加器
收藏 引用
固体电子研究与进展 2019年 第2期39卷 97-101页
作者: 李晓鹏 王志功 张有涛 张敏 程伟 张翼 陈新宇 东南大学 南京210096 南京国博电子有限公司 南京210016 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016 南京邮电大学微电子学院 南京210046
介绍了一种基于0.7μm磷化铟(InP)双异质结双极型晶体管(DHBT)工艺的超高速全加器,将加法运算与数据同步锁存融合设计来提高计算速度,采用多数决定运算法则设计单层晶体管并联型进位电路来降低功耗。测试结果表明,全加器的最高时钟频率... 详细信息
来源: 评论