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作者

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  • 288 篇 中文
检索条件"机构=南京电子器件研究所、微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室"
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4°偏轴SiC衬底外延工艺研究
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固体电子研究与进展 2013年 第1期33卷 68-71页
作者: 李赟 尹志军 朱志明 赵志飞 陆东赛 南京电子器件研究所、微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
4°偏轴SiC衬底上生长的外延薄膜容易出现台阶形貌,外延薄膜表面的台阶形貌对后续制作的器件性能有着一定的影响。主要研究了进气端C/Si比及生长前刻蚀工艺对4°偏轴衬底外延的影响。采用外延生长前的氢气刻蚀工艺,结合掺杂浓... 详细信息
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AlGaAs/GaAs PIN超宽带微波毫米波单刀三掷开关
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固体电子研究与进展 2022年 第5期42卷 357-362页
作者: 章军云 齐志央 凌志健 尹志军 王溯源 李信 王学鹏 陈堂胜 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
研制了基于异质结AlGaAs/GaAs PIN二极管的超宽带微波毫米波开关单片。通过异质结外延材料结构的设计和MOCVD生长技术、高台面PIN开关电路制备工艺技术、超宽带模型管S参数测试与电路设计,制作了一款0.05~50 GHz的超宽带PIN单刀三掷开... 详细信息
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金刚石衬底GaN HEMT研究进展
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固体电子研究与进展 2016年 第5期36卷 360-364页
作者: 陈堂胜 孔月婵 吴立枢 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
SiC衬底GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)综合了AlGaN/GaN异质结优异的输运特性与SiC衬底高导热性能,在高频、宽带、高效、大功率应用领域表现出显著的性能优势。但GaN外延材料中存在高密度的缺陷,影响了导电沟道的散热,散热问题成为影响GaN... 详细信息
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具有石墨烯辅助导电层的碳纳米管射频场效应晶体管
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固体电子研究与进展 2018年 第1期38卷 36-39,44页
作者: 江丽红 杨扬 霍帅 曹正义 孔月婵 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
采用纯度高于99%的半导体型单壁碳纳米管分散液制备碳纳米管无序网络作为射频场效应晶体管的有源沟道材料,使用单层石墨烯作为器件源漏的辅助接触电极,研制出T型栅结构的碳纳米管射频场效应晶体管。采用石墨烯加强晶体管器件的欧姆接触... 详细信息
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EMMI故障定位和基于故障树的GaAs MMIC失效分析
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固体电子研究与进展 2017年 第5期37卷 333-338页
作者: 王创国 贾洁 周舟 沈宏昌 贾东铭 林罡 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016 南京电子器件研究所 南京210016
首先通过故障树的方式,分析了某6位数控衰减器衰减态翻转速度异常的失效模式和失效机理。把故障树的顶事件2dB衰减态翻转速度异常分为开关管ESD损伤、驱动信号异常、衰减电阻异常、控制端电阻异常4个子事件,经过分析得出翻转速度异常最... 详细信息
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55~115GHz宽带GaN功率放大器MMIC
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固体电子研究与进展 2018年 第6期38卷 398-402页
作者: 戈勤 徐波 王维波 陶洪琪 吴少兵 薛伟韬 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
研制了一款基于NEDI 50nm GaN功率MMIC工艺的3mm波段高增益、宽频带功率放大器芯片。芯片采用平衡放大器结构,结合多节微带线阻抗匹配方式实现宽带放大器。由于该频段器件增益较低,通过合理选择输出阻抗点,使放大器实现较高的增益和较... 详细信息
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表贴式MMIC高密度封装外壳微波特性设计
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固体电子研究与进展 2014年 第2期34卷 152-156,196页
作者: 徐利 曹坤 李思其 王子良 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
基于高温共烧陶瓷(HTCC)工艺,研制了一款32根引脚方形扁平无引线封装(CQFN)型微波外壳,外形尺寸仅为5mm×5mm×1.4mm。该外壳采用侧面挂孔的方式实现微波信号从基板底部到外壳内部带状线和键合区微带线的传输,底部增加了密集阵... 详细信息
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基于50nm GaN HEMT技术的180~220GHz平衡二倍频器MMIC
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固体电子研究与进展 2020年 第2期40卷 83-86页
作者: 张茂强 张斌 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
采用50 nm GaN HEMT技术实现了一款太赫兹波有源平衡式二倍频器单片微波集成电路(MMIC)。通过在输入端使用巴伦,可以确保二倍频器良好的基波抑制性能。在没有任何后置放大器的情况下,当输入功率为22 dBm时,在205 GHz的输出频率下二倍频... 详细信息
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基于双栅长GaN集成工艺的Ku波段收发芯片
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固体电子研究与进展 2022年 第6期42卷 429-434,472页
作者: 孔令峥 彭龙新 陶洪琪 张亦斌 闫俊达 王维波 韩方彬 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
研制了一款Ku波段GaN收发多功能芯片。芯片集成了接收通道的低噪声放大器和发射通道的功率放大器,使用单刀双掷开关实现通道间切换。该芯片采用两种不同栅长集成的GaN HEMT工艺。低噪声放大器使用0.10μm低压低噪声工艺,功率放大器和开... 详细信息
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SiC MESFET高温工作寿命研究
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固体电子研究与进展 2011年 第4期31卷 331-334页
作者: 李理 柏松 陈刚 蒋浩 陈征 李赟 陈辰 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成电路和模块重点实验室南京210016
对在76.2 mm 4H-SiC半绝缘衬底上研制的SiC MESFET进行了高温工作寿命试验,试验结果表明采用Au/Ti/欧姆接触结构的器件在结温275℃条件下工作500 h后,饱和电流下降幅度超过了29%,器件均发生失效。分析表明器件失效的主要原因是Ti层扩散... 详细信息
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