检索结果-内蒙古大学图书馆

半导体技术 2008年第S1期33卷 266-268页

作者：李赟李哲洋董逊陈辰中国电子科技集团公司第五十五研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室南京210016

使用水平热壁式化学气相沉积系统,固定生长源碳硅比(C/Si),改变生长源流量,在偏向〈1120〉方向8°的4H-SiC(0001)衬底上进行了一系列同质外延实验,研究了生长源流量对外延速率和掺杂浓度的影响。样品表面形貌通过原子力显微镜(AFM)... 详细信息

使用水平热壁式化学气相沉积系统,固定生长源碳硅比(C/Si),改变生长源流量,在偏向〈1120〉方向8°的4H-SiC(0001)衬底上进行了一系列同质外延实验,研究了生长源流量对外延速率和掺杂浓度的影响。样品表面形貌通过原子力显微镜(AFM)进行表征,在不影响薄膜质量的条件下成功将生长速率提高至12μm/h。

关键词： 4H-SiC 水平热壁式化学气相沉积碳硅比生长速率掺杂浓度

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4H-SiC MESFET工艺中的金属掩膜研究

4H-SiC MESFET工艺中的金属掩膜研究

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：陈刚李哲洋陈征冯忠陈雪兰柏松南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室 210016

在4H-SiC MESFET微波功率器件制造技术中干法刻蚀是一个很重要的工艺,而对SiC外延片的RIE、ICP等干法刻蚀来说,有光刻胶、Ni、Al和镍硅化物等多种掩膜方法。其中用光刻胶做掩膜时刻蚀形成的台阶角度缓不垂直,而Ni、Al等金属掩膜在干法... 详细信息

在4H-SiC MESFET微波功率器件制造技术中干法刻蚀是一个很重要的工艺,而对SiC外延片的RIE、ICP等干法刻蚀来说,有光刻胶、Ni、Al和镍硅化物等多种掩膜方法。其中用光刻胶做掩膜时刻蚀形成的台阶角度缓不垂直,而Ni、Al等金属掩膜在干法刻蚀后易形成接近垂直的台阶。本论文通过对Ni、Al、镍硅化物等多种金属掩膜的研究,得到了干法刻蚀台阶垂直且表面状况良好的Ni金属掩膜条件,最终成功制备出9mm的SiCMESFET微波功率器件,在2GHz脉冲输出功率超过38W,功率增益9dB。

关键词：碳化硅金属掩膜微波功率器件干法刻蚀功率增益

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3.6mm SiC MESFET器件的射频功率特性

3.6mm SiC MESFET器件的射频功率特性

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第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

作者：陈刚柏松张涛李哲洋蒋幼泉南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室南京 210016

介绍了S波段3.6mm栅宽4H-SiC MESFET功率管的材料设计，制作工艺和微波性能研究。采用半绝缘衬底的自主外延的SiC三层外延片，成功制作出单胞3.6mm栅宽的芯片，经过装架、压丝，未作内匹配，单管器件在S波段2 GHz频率连续波下，输出功率... 详细信息

介绍了S波段3.6mm栅宽4H-SiC MESFET功率管的材料设计，制作工艺和微波性能研究。采用半绝缘衬底的自主外延的SiC三层外延片，成功制作出单胞3.6mm栅宽的芯片，经过装架、压丝，未作内匹配，单管器件在S波段2 GHz频率连续波下，输出功率为15.1W，小信号增益大于10dB，功率附加效率(PAE)为39％;在2GHz频率脉冲测试条件下，测试功率输出为18.3W，此时增益大于8dB。

关键词：金属-半导体场效应晶体管制造工艺材料性能优化设计

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SiC MESFET器件工艺研究

SiC MESFET器件工艺研究

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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：陈刚柏松张涛汪浩李哲洋蒋幼泉南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室210016

本文介绍制作4H-SiC MESFET器件中的总栅宽1mm,2GHz连续波下输出功率大于4W,小信号增益大于10dB的SiC MESFET管.

关键词： 4H碳化硅金属半导体场效应管微波宽禁带半导体

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S波段4W SiC MESFET器件研制

S波段4W SiC MESFET器件研制

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2006全国第十一届微波集成电路与移动通信学术年会

作者：陈刚柏松张涛汪浩李哲洋陈雪兰蒋幼泉南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室210016

本论文介绍了S波段4H-SiC MESFET功率管的材料设计、制作工艺和微波性能.采用半绝缘衬底的自主研制的SiC三层外延片,成功制作出单胞1mm栅宽的芯片.经过装架、压丝,未作内匹配,单管器件在S波段2GHz频率连续波下,输出功率为4.1W,小信号增... 详细信息

本论文介绍了S波段4H-SiC MESFET功率管的材料设计、制作工艺和微波性能.采用半绝缘衬底的自主研制的SiC三层外延片,成功制作出单胞1mm栅宽的芯片.经过装架、压丝,未作内匹配,单管器件在S波段2GHz频率连续波下,输出功率为4.1W,小信号增益大于10dB,漏极效率η为35.5％.

关键词：碳化硅金属半导体场效应管宽禁带半导体微波性能

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大栅宽SiC MESFET器件的制造与研究

大栅宽SiC MESFET器件的制造与研究

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全国第十二届微波集成电路与移动通信学术会议

作者：陈刚蒋幼泉李哲洋张涛吴鹏冯忠汪浩陈征陈雪兰柏松南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室210016

本论文针对S波段1mm、3.6mm、9mm、20mm多种大栅宽4H-SiC MESFET功率管的版图设计、制作工艺和微波性能进行研究及比较.采用半绝缘衬底的自主外延的SiC三层外延片,制作出单胞总栅宽1mm、3.6mm、9mm、20mm的芯片,经过装架、压丝,通过自... 详细信息

本论文针对S波段1mm、3.6mm、9mm、20mm多种大栅宽4H-SiC MESFET功率管的版图设计、制作工艺和微波性能进行研究及比较.采用半绝缘衬底的自主外延的SiC三层外延片,制作出单胞总栅宽1mm、3.6mm、9mm、20mm的芯片,经过装架、压丝,通过自主搭建的脉冲微波测试系统,在S波段2GHz频率脉冲测试条件下得到各个测试结果.

关键词： 4H碳化硅金属半导体场效应管微波技术宽禁带半导体

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InP基共振遂穿二极管研究

InP基共振遂穿二极管研究

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：韩春林薛舫时高建峰陈辰南京电子器件研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室

在实验中对InGaAs/AlAs/InP共振遂穿二极管（RD）进行了优化设计,并用MBE设备在（100）半绝缘InP单晶片上生长了RD外延材料。采用电子束光刻工艺和空气桥互连技术,制作了InP基RD器件。在室温下测试了器件的电学特性,峰值电流密度24.6 kA... 详细信息

在实验中对InGaAs/AlAs/InP共振遂穿二极管（RD）进行了优化设计,并用MBE设备在（100）半绝缘InP单晶片上生长了RD外延材料。采用电子束光刻工艺和空气桥互连技术,制作了InP基RD器件。在室温下测试了器件的电学特性,峰值电流密度24.6 kA/cm,峰谷电流比为8.6。通过MALAB软件对器件I-V测试曲线进行了数值拟合,结果与实验数据吻合得很好。

关键词：共振遂穿二极管空气桥 MATLAB 电子束光刻分子束外延

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L波段16.5W/cm碳化硅静电感应晶体管研究

L波段16.5W/cm碳化硅静电感应晶体管研究

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2013年全国微波毫米波会议

作者：陈刚李理蒋浩陶然柏松李赟尹志军单片集成电路和模块国家级重点实验室南京电子器件研究所

本文通过采用导通4H-SiC衬底上的同质多层外延材料,成功制作出L波段SiC SIT（静电感应晶体管）。该器件研制中,采用了介质辅助剥离、高能离子注入及高温退火、密集栅凹槽、介质钝化等工艺,有效抑制了漏电并提高了器件击穿电压,器件功率... 详细信息

本文通过采用导通4H-SiC衬底上的同质多层外延材料,成功制作出L波段SiC SIT（静电感应晶体管）。该器件研制中,采用了介质辅助剥离、高能离子注入及高温退火、密集栅凹槽、介质钝化等工艺,有效抑制了漏电并提高了器件击穿电压,器件功率输出能力由此得到提升。正向特性测试:在栅压+3.5V,漏压10V时,0.5mm栅宽的SIT的电流密度达到130mA/mm,G=24mS/mm。反向特性测试:V=-12V时,BV=202V,电压增益BV gain=22;V=-16V:BV=320V,最大达到440V。最终4cm栅宽SiC SIT器件,在L波段的1GHz、80V工作电压下,脉冲宽度100μs,占空比1%时,输出功率达到了66W,功率密度16.5W/cm,此时功率增益为6.2dB。脉冲宽度100μs,占空比10%时,输出功率最大达到56.89W,同时功率增益为5.55dB,效率为35.55%。

关键词：碳化硅静电感应晶体管 SiC SIT

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Al0.66Ga0.34N日盲紫外光电探测器研究

Al0.66Ga0.34N日盲紫外光电探测器研究

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：姜文海陈辰周建军李忠辉董逊南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室南京 210016

本文中采用MOCVD生长的高Al含量n-AlxGa1-x制备了MSM结构紫外日盲探测器。材料为非故意掺杂n型,表面无裂缝。经二轴X射线衍射(TAXRD)对外延材料进行测试,AlxGa1-x半峰宽(FWHM)为155 arcsec,显示了良好的晶体质量。经光谱响应测试,探测... 详细信息

本文中采用MOCVD生长的高Al含量n-AlxGa1-x制备了MSM结构紫外日盲探测器。材料为非故意掺杂n型,表面无裂缝。经二轴X射线衍射(TAXRD)对外延材料进行测试,AlxGa1-x半峰宽(FWHM)为155 arcsec,显示了良好的晶体质量。经光谱响应测试,探测器存在两个峰值响应,波长分别位于255nm和365nm处,说明探测器同时具有日盲探测和双色探测特征。存6V偏压下255nm处响应度为0.1A/W,并以此推算出AlxGa1-xN材料的Al含量为0.66。

关键词： MSM结构紫外日盲探测器光电探测器化学气相沉积法半峰宽

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Si掺杂对于n型Al0.5Ga0.5N的影响

Si掺杂对于n型Al0.5Ga0.5N的影响

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：李亮李忠辉董逊周建军孔月婵姜文海陈辰南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室南京 210016

AIN缓冲层技术在蓝宝石衬底上通过MOCVD方法成功制备出0.5μm的Si掺杂Al0.5Ga0.5N外延薄膜,并对其电学、光学与结构特性进行了研究。Hall测量表明,在室温下n型Al0.5Ga0.5N中的载流子浓度和迁移率分别为1.2×1019cm-3和12cm2/V&a... 详细信息

AIN缓冲层技术在蓝宝石衬底上通过MOCVD方法成功制备出0.5μm的Si掺杂Al0.5Ga0.5N外延薄膜,并对其电学、光学与结构特性进行了研究。Hall测量表明,在室温下n型Al0.5Ga0.5N中的载流子浓度和迁移率分别为1.2×1019cm-3和12cm2/V·s载流子浓度随Si掺杂量的增加而增大。利用XRD和Raman等测量方法研究了Zi掺杂Al0.5Ga0.5N薄膜晶格常数c和Raman散射谱随SiH4流量的变化。随着SiH4流量的增大,Al0.5Ga0.5N薄膜的晶格常数c变小同时E2声子峰发生红移。这表明掺Si后Al0.5Ga0.5N薄膜中的压应力得到了一定程度的弛豫。

关键词：氮化镓外延薄膜硅掺杂 MOCVD法蓝宝石衬底载流子浓度

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