检索结果-内蒙古大学图书馆

中国微米纳米技术学会第十一届学术年会

作者：吴璟刘梅贾世星朱健卓敏南京电子器件研究所，南京，210016 南京电子器件研究所，南京，210016 单片集成电路与模块国家级重点实验室，南京，210016

SOI-MEMS惯性器件是基于SOI(Silicon-on-insulator)衬底的MEMS惯性器件，具有寄生电容小、噪声低、信噪比高、灵敏度优越、体积小、易批量等优点，在国外已广泛应用并实现商用化，如美国AD公司、Tronic’s Microsystems公司等，主要应... 详细信息

SOI-MEMS惯性器件是基于SOI(Silicon-on-insulator)衬底的MEMS惯性器件，具有寄生电容小、噪声低、信噪比高、灵敏度优越、体积小、易批量等优点，在国外已广泛应用并实现商用化，如美国AD公司、Tronic’s Microsystems公司等，主要应用于集成硅压力传感器、汽车牵引控制系统、摄像机稳定补偿系统、医用仪器等广泛领域。SOI材料结构的特殊性使得它在MEMS领域里具有简化工艺的作用：1.整体仍为单晶硅结构，应力小，抗机械疲劳性能好;***2薄膜功能多种多样，可用于自停止腐蚀层、信号隔离层、释放结构的牺牲层等;3.柔性化设计，量程随硅膜厚度的改变而改变，设计灵活;***与CMOS、IC工艺相通，易于电路集成。

关键词：陀螺仪单晶硅疲劳性能惯性器件压力传感器

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S波段20W单片功率PIN限幅器

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固体电子学研究与进展 2009年第3期29卷 F0003-F0003页

作者：彭龙新蒋幼泉黄子乾杨立杰李建平单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016 南京电子器件研究所南京210016

功率GaAs PIN限幅器已广泛地应用于微波系统中,以保护接收支路中的低噪声放大器.

关键词： PIN限幅器耐功率 S波段 PIN二极管单片低噪声放大器 GaAs 非线性模型

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基于基片集成波导的硅微机械滤波器

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固体电子学研究与进展 2010年第3期30卷 F0003-F0003页

作者：郁元卫贾世星朱健单片集成电路和模块国家级重点实验室南京电子器件研究所南京210016

基片集成波导(SIW)结构是在低损耗的基片上利用金属孔构成的波导结构,具有高品质因数、大功率特性和易于集成的优点,是最近微波电路研究的热点技术.滤波器是微波毫米波电路中最常用的器件,使用SIW可以实现高性能滤波器且保持体积小的优点.

关键词：基片集成波导微机械滤波器波导结构微波电路高品质因数毫米波电路功率特性热点技术

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0.5μm GaN HEMT及其可靠性

0.5μm GaN HEMT及其可靠性

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2012全国第十四届微波集成电路与移动通信学术年会

作者：任春江王泉慧刘海琪王雯李忠辉孔月婵蒋浩钟世昌陈堂胜张斌南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016

文中报道了采用Ⅰ线步进光刻实现的3英寸SiC衬底0.5μm GaN HEMT及其可靠性.器件正面工艺光刻均采用了Ⅰ线步进光刻来实现,背面采用通孔接地.研制的GaN HEMT器件fT为15GHz,fm.为24GHz,6GHz下MSG为17dB,满足C波段及以下频段应用要求.1.2... 详细信息

文中报道了采用Ⅰ线步进光刻实现的3英寸SiC衬底0.5μm GaN HEMT及其可靠性.器件正面工艺光刻均采用了Ⅰ线步进光刻来实现,背面采用通孔接地.研制的GaN HEMT器件fT为15GHz,fm.为24GHz,6GHz下MSG为17dB,满足C波段及以下频段应用要求.1.25mm栅宽GaN HEMT在2GHz、28V工作电压下进行负载牵引测试,最佳功率匹配时功率附加效率70％,对应输出功率以及功率增益分别为36.4dBm和15dB.对1.25mm栅宽器件在28V工作电压下的直流三温加速寿命得到器件激活能和150℃结温下平均失效时间(MTTF)分别为1.51eV和1.8×107小时.对研制的L波段GaN功率管开展了射频过载寿命试验,150℃结温、3dB过载下工作1000小时器件输出功率下降小于0.2dB.

关键词：高电子迁移率晶体管步进光刻通孔接地可靠性评估

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离子注入工艺在4H-SiC器件中的应用

离子注入工艺在4H-SiC器件中的应用

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：李春陈刚南京电子器件研究所五中心南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室

介绍了离子注入工艺可在SiC器件中形成欧姆接触,其电阻值经退火后可达到10Ω·cm;同时也可利用离子注入在平面工艺中形成良好的电学隔离,避免工艺复杂化,提高了成品率。最后通过B注入形成边缘终端制作4H-SiC肖特基势垒二极管的例子... 详细信息

介绍了离子注入工艺可在SiC器件中形成欧姆接触,其电阻值经退火后可达到10Ω·cm;同时也可利用离子注入在平面工艺中形成良好的电学隔离,避免工艺复杂化,提高了成品率。最后通过B注入形成边缘终端制作4H-SiC肖特基势垒二极管的例子说明了离子注入在SiC器件制造过程中所起的重要作用。

关键词：离子注入 4H碳化硅欧姆接触肖特基势垒二极管隔离技术

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C波段连续波60W AIGaN/GaN功率管及其应用

C波段连续波60W AIGaN/GaN功率管及其应用

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2013年全国微波毫米波会议

作者：钟世昌陈堂胜景少红任春江陈辰高涛南京电子器件研究所单片集成电路及模块电路国家重点实验室

本文通过设计C波段连续波60W GaN内匹配功率管,研究了内匹配电路的设计、合成以及内匹配电路的测试,实现了GaN功率HEMT在C波段60W连续波输出功率的内匹配电路,并使整个电路的输入、输出电路阻抗提升至50Ω。最终所研制的A1GaN/GGaN C波... 详细信息

本文通过设计C波段连续波60W GaN内匹配功率管,研究了内匹配电路的设计、合成以及内匹配电路的测试,实现了GaN功率HEMT在C波段60W连续波输出功率的内匹配电路,并使整个电路的输入、输出电路阻抗提升至50Ω。最终所研制的A1GaN/GGaN C波段内匹配功率管在28V漏电压,5.3～5.9GHz频带内输出功率大于60W,最高功率输出77.6W,.带内功率增益大于10dB,最大功率附加效率52.9%,充分展示了GaN功率器件在性能上的优势。

关键词： GaN 功率管内匹配功率附加效率

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原位掩模生长时间与GaN外延层性质的关系

原位掩模生长时间与GaN外延层性质的关系

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第十届固体薄膜会议

作者：李忠辉董逊张岚南京电子器件研究所，单片集成电路与模块国家重点实验室，南京 210016

利用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）生长了低温SiNx 纳米尺寸掩模及GaN/SiNx/Al2O3 外延结构，研究了SiH4处理时间与GaN外延层的晶体质量、发光及电学性质的关系。当SiH4 处理时间为120s 时，GaN 外延层中刃位错和螺位错密度、光致发... 详细信息

利用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）生长了低温SiNx 纳米尺寸掩模及GaN/SiNx/Al2O3 外延结构，研究了SiH4处理时间与GaN外延层的晶体质量、发光及电学性质的关系。当SiH4 处理时间为120s 时，GaN 外延层中刃位错和螺位错密度、光致发光谱FWHM、方块电阻分别达到最小值。

关键词：位错密度掩模生长外延层金属有机物化学气相沉积电学性质

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原位生长SiNx缓冲层对GaN薄膜特性的影响

原位生长SiNx缓冲层对GaN薄膜特性的影响

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第六届全国毫米波亚毫米波学术会议

作者：李忠辉董逊张岚南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016

本文利用LP-MOCVD在蓝宝石衬底上生长了带有薄SiNx缓冲层的GaN薄膜,并研究了SiH4流量对晶体质量、发光及电学特性的影响.实验发现GaN薄膜中刃位错和螺位错密度均随SiH4流量的增加而增加,最小值分别达到4.28×109 cm-2和1.3×108... 详细信息

本文利用LP-MOCVD在蓝宝石衬底上生长了带有薄SiNx缓冲层的GaN薄膜,并研究了SiH4流量对晶体质量、发光及电学特性的影响.实验发现GaN薄膜中刃位错和螺位错密度均随SiH4流量的增加而增加,最小值分别达到4.28×109 cm-2和1.3×108 cm-2;GaN薄膜的PL FWHM和方块电阻的最小值分别为5.4 nm和496 Ω/sq..

关键词：单片集成电路氮化镓极化效应化学气相沉积

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高性能半绝缘4H-SiC衬底AlGaN/GaN HEMT研制

高性能半绝缘4H-SiC衬底AlGaN/GaN HEMT研制

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：任春江李忠辉焦刚钟世昌董逊薛舫时陈辰陈堂胜南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室南京 210016

文中利用南京电了器件研究所的MOCVD设备在半绝缘4H-SiC衬底外延生长了AlGaN/GaN异质结,运用该材料研制了8GHz输出功率密度10.52W/mm的HEMT器件。非接触霍尔测试表明经过优化的AlGaN/GaN异质结材料中的二维电子气(2DEG)面密度为1.0×... 详细信息

文中利用南京电了器件研究所的MOCVD设备在半绝缘4H-SiC衬底外延生长了AlGaN/GaN异质结,运用该材料研制了8GHz输出功率密度10.52W/mm的HEMT器件。非接触霍尔测试表明经过优化的AlGaN/GaN异质结材料中的二维电子气(2DEG)面密度为1.0×10 12cm-2、迁移率达188cm2/V·s。在该材料上研制了栅长0.35μm带场板的AlGaN/GaN HEMT,小信号测试表明器件fT为31.6GHz、最高振荡频率fmax为36.8GHz。研制的1mm栅宽器件8GHz、45V工作电压下饱和输出功率10.52W,功率增益和功率附加小率分别为7.62dB和45.8％。

关键词：电子迁移率晶体管电流崩塌输出功率异质结振荡频率半绝缘衬底

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磁控溅射AlN介质的AlGaN/GaN MIS-HEMT

磁控溅射AlN介质的AlGaN/GaN MIS-HEMT

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全国第十二届微波集成电路与移动通信学术会议

作者：任春江陈堂胜焦刚钟世昌薛舫时陈辰南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室南京 210016

本文报道了一种X波段输出功率密度达10.4W/mm的SiC衬底AlGaN/GaN MIS-HEMT.器件研制中采用了MIS结构、凹槽栅以及场板,其中MIS结构中采用了磁控溅射的AlN介质作为绝缘层.采用MIS结构后,器件击穿电压由80V提高到了180V以上,保证了器件能... 详细信息

本文报道了一种X波段输出功率密度达10.4W/mm的SiC衬底AlGaN/GaN MIS-HEMT.器件研制中采用了MIS结构、凹槽栅以及场板,其中MIS结构中采用了磁控溅射的AlN介质作为绝缘层.采用MIS结构后,器件击穿电压由80V提高到了180V以上,保证了器件能够实现更高的工作电压.在8GHz、55V的工作电压下,研制的1mm栅宽AlGaN/GaN MIS-HEMT输出功率达到了10.4W,此时器件的功率增益和功率富家小率分别达到了6.56dB和39.2％.

关键词：磁控溅射高电子迁移率晶体管 MIS结构场板结构

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