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作者

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语言

  • 177 篇 中文
检索条件"机构=南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室"
177 条 记 录,以下是141-150 订阅
排序:
SOI基双线振动式MEMS陀螺仪的工艺研究
SOI基双线振动式MEMS陀螺仪的工艺研究
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中国微米纳米技术学会第十一届学术年会
作者: 吴璟 刘梅 贾世星 朱健 卓敏 南京电子器件研究所,南京,210016 南京电子器件研究所,南京,210016 单片集成电路与模块国家级重点实验室,南京,210016
SOI-MEMS惯性器件是基于SOI(Silicon-on-insulator)衬底的MEMS惯性器件,具有寄生电容小、噪声低、信噪比高、灵敏度优越、体积小、易批量等优点,在国外已广泛应用并实现商用化,如美国AD公司、Tronic’s Microsystems公司等,主要应... 详细信息
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S波段20W单片功率PIN限幅器
收藏 引用
固体电子研究与进展 2009年 第3期29卷 F0003-F0003页
作者: 彭龙新 蒋幼泉 黄子乾 杨立杰 李建平 单片集成电路与模块国家级重点实验室 南京210016 南京电子器件研究所 南京210016
功率GaAs PIN限幅器已广泛地应用于微波系统中,以保护接收支路中的低噪声放大器.
来源: 评论
基于基片集成波导的硅微机械滤波器
收藏 引用
固体电子研究与进展 2010年 第3期30卷 F0003-F0003页
作者: 郁元卫 贾世星 朱健 单片集成电路和模块国家级重点实验室 南京电子器件研究所南京210016
基片集成波导(SIW)结构是在低损耗的基片上利用金属孔构成的波导结构,具有高品质因数、大功率特性和易于集成的优点,是最近微波电路研究的热点技术.滤波器是微波毫米波电路中最常用的器件,使用SIW可以实现高性能滤波器且保持体积小的优点.
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0.5μm GaN HEMT及其可靠性
0.5μm GaN HEMT及其可靠性
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2012全国第十四届微波集成电路与移动通信学术年会
作者: 任春江 王泉慧 刘海琪 王雯 李忠辉 孔月婵 蒋浩 钟世昌 陈堂胜 张斌 南京电子器件研究所 单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016
文中报道了采用Ⅰ线步进光刻实现的3英寸SiC衬底0.5μm GaN HEMT及其可靠性.器件正面工艺光刻均采用了Ⅰ线步进光刻来实现,背面采用通孔接地.研制的GaN HEMT器件fT为15GHz,fm.为24GHz,6GHz下MSG为17dB,满足C波段及以下频段应用要求.1.2... 详细信息
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离子注入工艺在4H-SiC器件中的应用
离子注入工艺在4H-SiC器件中的应用
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第十五届全国化合物半导体材料,微波器件和光电器件学术会议
作者: 李春 陈刚 南京电子器件研究所五中心 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室
介绍了离子注入工艺可在SiC器件中形成欧姆接触,其电阻值经退火后可达到10Ω·cm;同时也可利用离子注入在平面工艺中形成良好的电学隔离,避免工艺复杂化,提高了成品率。最后通过B注入形成边缘终端制作4H-SiC肖特基势垒二极管的例子... 详细信息
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C波段连续波60W AIGaN/GaN功率管及其应用
C波段连续波60W AIGaN/GaN功率管及其应用
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2013年全国微波毫米波会议
作者: 钟世昌 陈堂胜 景少红 任春江 陈辰 高涛 南京电子器件研究所 单片集成电路及模块电路国家重点实验室
本文通过设计C波段连续波60W GaN内匹配功率管,研究了内匹配电路的设计、合成以及内匹配电路的测试,实现了GaN功率HEMT在C波段60W连续波输出功率的内匹配电路,并使整个电路的输入、输出电路阻抗提升至50Ω。最终研制的A1GaN/GGaN C波... 详细信息
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原位掩模生长时间与GaN外延层性质的关系
原位掩模生长时间与GaN外延层性质的关系
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第十届固体薄膜会议
作者: 李忠辉 董逊 张岚 南京电子器件研究所,单片集成电路与模块国家重点实验室,南京 210016
利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长了低温SiNx 纳米尺寸掩模及GaN/SiNx/Al2O3 外延结构,研究了SiH4处理时间与GaN外延层的晶体质量、发光及电学性质的关系。当SiH4 处理时间为120s 时,GaN 外延层中刃位错和螺位错密度、光致发... 详细信息
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原位生长SiNx缓冲层对GaN薄膜特性的影响
原位生长SiNx缓冲层对GaN薄膜特性的影响
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第六届全国毫米波亚毫米波学术会议
作者: 李忠辉 董逊 张岚 南京电子器件研究所 单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016
本文利用LP-MOCVD在蓝宝石衬底上生长了带有薄SiNx缓冲层的GaN薄膜,并研究了SiH4流量对晶体质量、发光及电学特性的影响.实验发现GaN薄膜中刃位错和螺位错密度均随SiH4流量的增加而增加,最小值分别达到4.28×109 cm-2和1.3×108... 详细信息
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高性能半绝缘4H-SiC衬底AlGaN/GaN HEMT研制
高性能半绝缘4H-SiC衬底AlGaN/GaN HEMT研制
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者: 任春江 李忠辉 焦刚 钟世昌 董逊 薛舫时 陈辰 陈堂胜 南京电子器件研究所 单片集成电路与模块国家重点实验室南京 210016
文中利用南京电了器件研究所的MOCVD设备在半绝缘4H-SiC衬底外延生长了AlGaN/GaN异质结,运用该材料研制了8GHz输出功率密度10.52W/mm的HEMT器件。非接触霍尔测试表明经过优化的AlGaN/GaN异质结材料中的二维电子气(2DEG)面密度为1.0×... 详细信息
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磁控溅射AlN介质的AlGaN/GaN MIS-HEMT
磁控溅射AlN介质的AlGaN/GaN MIS-HEMT
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全国第十二届微波集成电路与移动通信学术会议
作者: 任春江 陈堂胜 焦刚 钟世昌 薛舫时 陈辰 南京电子器件研究所 单片集成电路与模块国家重点实验室南京 210016
本文报道了一种X波段输出功率密度达10.4W/mm的SiC衬底AlGaN/GaN MIS-HEMT.器件研制中采用了MIS结构、凹槽栅以及场板,其中MIS结构中采用了磁控溅射的AlN介质作为绝缘层.采用MIS结构后,器件击穿电压由80V提高到了180V以上,保证了器件能... 详细信息
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