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2007年全国微波毫米波会议

作者：韩春林张杨曾一平高建峰薛舫时陈辰单片集成电路和模块国家级重点实验室南京电子器件研究所中国科学院半导体研究所

本文对AlAs/InGaAs/InAs共振遂穿二极管(RTD)不同厚度隔离层对器件Ⅰ-Ⅴ特性的影响进行了研究,研究发现器件的峰谷电流密度在负微分电阻区会随着隔离层材料厚度的增加而降低,同时,在一定隔离层厚度范围内峰谷电流比随着隔离层材料厚度... 详细信息

本文对AlAs/InGaAs/InAs共振遂穿二极管(RTD)不同厚度隔离层对器件Ⅰ-Ⅴ特性的影响进行了研究,研究发现器件的峰谷电流密度在负微分电阻区会随着隔离层材料厚度的增加而降低,同时,在一定隔离层厚度范围内峰谷电流比随着隔离层材料厚度的增加而增加。通过优化材料结构,研制出峰谷电流比PVR=20的InP基RTD器件。

关键词：共振遂穿二极管分子束外延隔离层

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基于MEMS圆片级封装/通孔互联技术的SIP技术

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固体电子学研究与进展 2011年第2期31卷 F0003-F0003页

作者：朱健吴璟贾世星姜国庆南京电子器件研究所南京210016 单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016

随着科学技术的发展，3DSIP（System—in—package）技术已成为世界热点。基于MEMS圆片级封装WLP（Wafer—level packaging）的SIP技术是目前3DSIP最重要技术之一，

关键词：圆片级封装 IP技术 MEMS 互联技术通孔 level 科学技术

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C波段连续波60W AlGaN/GaN功率管及其应用

C波段连续波60W AlGaN/GaN功率管及其应用

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2013年全国微波毫米波会议

作者：钟世昌陈堂胜景少红任春江陈辰高涛南京电子器件研究所南京210016 单片集成电路及模块电路国家重点实验室南京210016 南京电子器件研究所南京210016

本文通过设计C波段连续波60W GaN内匹配功率管,研究了内匹配电路的设计、合成以及内匹配电路的测试,实现了GaN功率HEMT在C波段60W连续波输出功率的内匹配电路,并使整个电路的输入、输出电路阻抗提升至50Ω.最终所研制的AlGaN/GaN C波段... 详细信息

本文通过设计C波段连续波60W GaN内匹配功率管,研究了内匹配电路的设计、合成以及内匹配电路的测试,实现了GaN功率HEMT在C波段60W连续波输出功率的内匹配电路,并使整个电路的输入、输出电路阻抗提升至50Ω.最终所研制的AlGaN/GaN C波段内匹配功率管在28V漏电压,5.3～5.9GHz频带内输出功率大于60W,最高功率输出77.6W,带内功率增益大于10dB,最大功率附加效率52.9％,充分展示了GaN功率器件在性能上的优势.

关键词：氮化镓功率管内匹配电路设计理念输出功率

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高介电BST材料对MIS结构AlGaN/GaN HEMT器件性能的影响

高介电BST材料对MIS结构AlGaN/GaN HEMT器件性能的影响

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：周建军张继华陈堂胜任春江焦刚李忠辉陈辰杨传仁南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室电子科技大学微电子与固体电子学院

采用衬底同步加热磁控溅射的高介电BS材料作为栅绝缘层,研制了BS/AlGaN/GaNMIS结构HEMT器件。通过对器件直流和高频特性的测试以及与同样厚度SiN MIS结构对比,分析了高介电BST材料作为栅绝缘层对AlGaN/GaN MIS HEMT器件性能的影响。使... 详细信息

采用衬底同步加热磁控溅射的高介电BS材料作为栅绝缘层,研制了BS/AlGaN/GaNMIS结构HEMT器件。通过对器件直流和高频特性的测试以及与同样厚度SiN MIS结构对比,分析了高介电BST材料作为栅绝缘层对AlGaN/GaN MIS HEMT器件性能的影响。使用高介电BST材料作为栅绝缘层可以改善器件的线性特性和跨导特性,提高器件栅的正向工作电压,并有效降低AlGaN/GaN HEMT器件的夹断电压。同时,由于只引入很薄一层高介电材料作为栅绝缘层,器件的高频特性没有显著降低,BST/AlGaN/GaN MIS HEMT器件的电流增益截止频率达到23 GHz。

关键词： AlGaN/GaN HEMT BST MIS 高介电材料

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新型砷化镓高隔离开关

新型砷化镓高隔离开关

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2010’全国第十三届微波集成电路与移动通信学术会议

作者：李晓鹏王志功许正荣张有涛陈新宇钱峰东南大学射频与光电集成电路研究所南京210096 南京电子器件研究所南京210016 东南大学射频与光电集成电路研究所南京210096 南京电子器件研究所南京210016 南京电子器件研究所南京210016 单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016

基于砷化镓场效应结构的赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)技术和CMOS电荷泵技术，研制开发的射频开关无需外加隔直电容，具有插损低、隔离度高、承受功率大和线性度高等特点。芯片采用GaAs0.5umPHEMT标准工艺线和CMOS高压标准工艺线加工... 详细信息

基于砷化镓场效应结构的赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)技术和CMOS电荷泵技术，研制开发的射频开关无需外加隔直电容，具有插损低、隔离度高、承受功率大和线性度高等特点。芯片采用GaAs0.5umPHEMT标准工艺线和CMOS高压标准工艺线加工实现。测试结果表明，在0.01～4.0GHz频带内，插入损耗≤1.5dB，带内输入输出驻波比≤1.5，4GHz频率处隔离度≥46dB，1dB压缩功率点达到30dBm，IP3超过+54dBm。

关键词：砷化镓高隔离开关场效应结构

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E面耦合窄带波导滤波器的快速设计方法

E面耦合窄带波导滤波器的快速设计方法

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2007年全国微波毫米波会议

作者：张华王勇丁振宇南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室上海索辰信息科技有限公司

本文描述了一种基于全波综合CAD软件WASP-NET的小型化窄带波导滤波器快速设计方法,通过设定指标要求,由CAD软件自动全波地综合得到初始设计,然后对设计结果进行评估,选出性能和尺寸都符合要求的,进一步,可以用WASP-NET优化,或采用其他... 详细信息

本文描述了一种基于全波综合CAD软件WASP-NET的小型化窄带波导滤波器快速设计方法,通过设定指标要求,由CAD软件自动全波地综合得到初始设计,然后对设计结果进行评估,选出性能和尺寸都符合要求的,进一步,可以用WASP-NET优化,或采用其他工具进行对照验证。这种设计方法能够在较短的时间内获得较好的设计结果,是一种值得推广的现代波导滤波器设计方法。

关键词：波导滤波器综合 CAD

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4H-SiC外延中的缺陷及其对肖特基二极管的影响

4H-SiC外延中的缺陷及其对肖特基二极管的影响

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：陈刚陈雪兰柏松李哲洋韩平南京大学物理系江苏省光电信息功能材料重点实验室210008 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室210016 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室210016 南京大学物理系江苏省光电信息功能材料重点实验室210008

本文主要研究了4H-SiC外延片中的缺陷对制作出的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的电学性能的影响。SiC的外延生长是通过LPCVD外延设备在偏8°的(0001)Si面4H-SiC单晶片上进行的,衬底材料来自外购,同质生长的SiC外延层掺杂为n型,掺杂浓度... 详细信息

本文主要研究了4H-SiC外延片中的缺陷对制作出的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的电学性能的影响。SiC的外延生长是通过LPCVD外延设备在偏8°的(0001)Si面4H-SiC单晶片上进行的,衬底材料来自外购,同质生长的SiC外延层掺杂为n型,掺杂浓度5×1015cm-3,厚度为10um。通过对外延好的4H-SiC片进行2cm×2cm划片,然后使用扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)及拉曼光谱(raman spectrum)多种测试手段对边长为2cm的方形SiC外延材料的表面形貌、缺陷和晶型进行了分析研究。然后制作了简单的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管,制造的二极管大小是直径110um的圆形;文中简述了制作肖特基势垒二极管的相关工艺流程:通过电学测试得到了性能较好的特性参数为理想因子n=1.24,势垒高度φ=0.87eV,击穿电压在650V 。

关键词： 4H碳化硅外延材料缺陷肖特基二极管电学性能势垒高度拉曼光谱

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GaN高电子迁移率晶体管高频噪声特性的研究

GaN高电子迁移率晶体管高频噪声特性的研究

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2011年全国微波毫米波会议

作者：陈勇波周建军徐跃杭国云川徐锐敏电子科技大学电子工程学院单片集成电路和模块国家级重点实验室南京电子器件研究所

本文基于FUKUI噪声模型分析了GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件的高频噪声特性,结果表明GaN HEMT由于具有更高的临界电场和更大的电子饱和速度,与第二代半导体(GaAs等)器件相比具有更优越的噪声潜力。对近十多年来国内外在GaN HEMT低噪... 详细信息

本文基于FUKUI噪声模型分析了GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件的高频噪声特性,结果表明GaN HEMT由于具有更高的临界电场和更大的电子饱和速度,与第二代半导体(GaAs等)器件相比具有更优越的噪声潜力。对近十多年来国内外在GaN HEMT低噪声器件及其低噪声功率放大器单片集成电路(MMIC)方面的研究现状进行了综述,并分析了目前存在的主要问题及其发展趋势。

关键词： GaN 高电子迁移率晶体管(HEMT) 高频噪声低噪声放大器(LNA)

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4H-SiC外延中的缺陷及其对肖特基二极管的影响

4H-SiC外延中的缺陷及其对肖特基二极管的影响

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：陈刚陈雪兰柏松李哲洋韩平南京大学物理系江苏省光电信息功能材料重点实验室南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室

研究了4H-SiC外延片中的缺陷对制作出的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的电学性能的影响。SiC的外延生长是通过LPCVD外延设备在偏8°的（0001）Si面4H-SiC单晶片上进行的,衬底材料来自外购,同质生长的SiC外延层掺杂为n型,掺杂浓度5×... 详细信息

研究了4H-SiC外延片中的缺陷对制作出的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的电学性能的影响。SiC的外延生长是通过LPCVD外延设备在偏8°的（0001）Si面4H-SiC单晶片上进行的,衬底材料来自外购,同质生长的SiC外延层掺杂为n型,掺杂浓度5×10cm,厚度为10μm。通过对外延好的4H-SiC片进行2cm×2 cm划片,使用扫描电镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）及喇曼光谱多种测试手段对边长为2cm的方形SiC外延材料的表面形貌、缺陷和晶型进行了分析研究,制作了简单的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管,制造的二极管为直径110μm的圆形。简述了制作肖特基势垒二极管的相关工艺流程;通过电学测试得到了性能较好的特性参数为理想因子n=1.24,势垒高度φ=0.87 eV,击穿电压在650 V。

关键词： 4H-SiC 缺陷肖特基二极管理想因子势垒高度测试

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7～13 GHz GaAs单片40W限幅低噪声放大器

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固体电子学研究与进展 2017年第5期37卷 F0003-F0003页

作者：彭龙新王溯源凌志健章军云徐波单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016 南京电子器件研究所南京210016

南京电子器件研究所首次研制出7～13GHz连续波40W大功率限幅器＋低噪声放大器集成单片。根据大功率和低噪声要求，将PIN二极管和低噪声PHEMT两种材料集成在同～GaAs衬底上，

关键词：低噪声放大器 GaAs衬底限幅器单片南京电子器件研究所 PIN二极管 PHEMT 大功率

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