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  • 177 篇 电子文献
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机构

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  • 3 篇 单片集成电路与模...
  • 3 篇 中国工程物理研究...
  • 2 篇 中国科学院半导体...
  • 2 篇 南京电子器件研究...
  • 2 篇 中国电子科技集团...
  • 2 篇 南京电子器件研究...

作者

  • 65 篇 陈辰
  • 50 篇 陈堂胜
  • 38 篇 陈刚
  • 37 篇 柏松
  • 34 篇 李哲洋
  • 33 篇 任春江
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  • 24 篇 chen tangsheng
  • 24 篇 焦刚
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  • 16 篇 钟世昌
  • 15 篇 li zheyang
  • 15 篇 chen gang
  • 13 篇 ren chunjiang

语言

  • 177 篇 中文
检索条件"机构=南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室"
177 条 记 录,以下是161-170 订阅
排序:
InP基共振遂穿二极管隔离层厚度对器件I-V特性影响的研究
InP基共振遂穿二极管隔离层厚度对器件I-V特性影响的研究
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2007年全国微波毫米波会议
作者: 韩春林 张杨 曾一平 高建峰 薛舫时 陈辰 单片集成电路和模块国家级重点实验室南京电子器件研究所 中国科学院半导体研究所
本文对AlAs/InGaAs/InAs共振遂穿二极管(RTD)不同厚度隔离层对器件Ⅰ-Ⅴ特性的影响进行了研究,研究发现器件的峰谷电流密度在负微分电阻区会随着隔离层材料厚度的增加而降低,同时,在一定隔离层厚度范围内峰谷电流比随着隔离层材料厚度... 详细信息
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基于MEMS圆片封装/通孔互联技术的SIP技术
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固体电子研究与进展 2011年 第2期31卷 F0003-F0003页
作者: 朱健 吴璟 贾世星 姜国庆 南京电子器件研究所 南京210016 单片集成电路与模块国家重点实验室 南京210016
随着科学技术的发展,3DSIP(System—in—package)技术已成为世界热点。基于MEMS圆片封装WLP(Wafer—level packaging)的SIP技术是目前3DSIP最重要技术之一,
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C波段连续波60W AlGaN/GaN功率管及其应用
C波段连续波60W AlGaN/GaN功率管及其应用
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2013年全国微波毫米波会议
作者: 钟世昌 陈堂胜 景少红 任春江 陈辰 高涛 南京电子器件研究所 南京210016 单片集成电路及模块电路国家重点实验室 南京210016 南京电子器件研究所 南京210016
本文通过设计C波段连续波60W GaN内匹配功率管,研究了内匹配电路的设计、合成以及内匹配电路的测试,实现了GaN功率HEMT在C波段60W连续波输出功率的内匹配电路,并使整个电路的输入、输出电路阻抗提升至50Ω.最终研制的AlGaN/GaN C波段... 详细信息
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高介电BST材料对MIS结构AlGaN/GaN HEMT器件性能的影响
高介电BST材料对MIS结构AlGaN/GaN HEMT器件性能的影响
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第十五届全国化合物半导体材料,微波器件和光电器件学术会议
作者: 周建军 张继华 陈堂胜 任春江 焦刚 李忠辉 陈辰 杨传仁 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室 电子科技大学微电子与固体电子学院
采用衬底同步加热磁控溅射的高介电BS材料作为栅绝缘层,研制了BS/AlGaN/GaNMIS结构HEMT器件。通过对器件直流和高频特性的测试以及与同样厚度SiN MIS结构对比,分析了高介电BST材料作为栅绝缘层对AlGaN/GaN MIS HEMT器件性能的影响。使... 详细信息
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新型砷化镓高隔离开关
新型砷化镓高隔离开关
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2010’全国第十三届微波集成电路与移动通信学术会议
作者: 李晓鹏 王志功 许正荣 张有涛 陈新宇 钱峰 东南大学射频与光电集成电路研究所 南京210096 南京电子器件研究所南京210016 东南大学射频与光电集成电路研究所 南京210096 南京电子器件研究所 南京210016 南京电子器件研究所 南京210016 单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016
基于砷化镓场效应结构的赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)技术和CMOS电荷泵技术,研制开发的射频开关无需外加隔直电容,具有插损低、隔离度高、承受功率大和线性度高等特点。芯片采用GaAs0.5umPHEMT标准工艺线和CMOS高压标准工艺线加工... 详细信息
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E面耦合窄带波导滤波器的快速设计方法
E面耦合窄带波导滤波器的快速设计方法
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2007年全国微波毫米波会议
作者: 张华 王勇 丁振宇 南京电子器件研究所 单片集成电路与模块国家重点实验室 上海索辰信息科技有限公司
本文描述了一种基于全波综合CAD软件WASP-NET的小型化窄带波导滤波器快速设计方法,通过设定指标要求,由CAD软件自动全波地综合得到初始设计,然后对设计结果进行评估,选出性能和尺寸都符合要求的,进一步,可以用WASP-NET优化,或采用其他... 详细信息
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4H-SiC外延中的缺陷及其对肖特基二极管的影响
4H-SiC外延中的缺陷及其对肖特基二极管的影响
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者: 陈刚 陈雪兰 柏松 李哲洋 韩平 南京大学物理系 江苏省光电信息功能材料重点实验室210008 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室210016 南京电子器件研究所 单片集成电路与模块国家级重点实验室210016 南京大学物理系 江苏省光电信息功能材料重点实验室210008
本文主要研究了4H-SiC外延片中的缺陷对制作出的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的电学性能的影响。SiC的外延生长是通过LPCVD外延设备在偏8°的(0001)Si面4H-SiC单晶片上进行的,衬底材料来自外购,同质生长的SiC外延层掺杂为n型,掺杂浓度... 详细信息
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GaN高电子迁移率晶体管高频噪声特性的研究
GaN高电子迁移率晶体管高频噪声特性的研究
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2011年全国微波毫米波会议
作者: 陈勇波 周建军 徐跃杭 国云川 徐锐敏 电子科技大学电子工程学院 单片集成电路和模块国家级重点实验室南京电子器件研究所
本文基于FUKUI噪声模型分析了GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件的高频噪声特性,结果表明GaN HEMT由于具有更高的临界电场和更大的电子饱和速度,与第二代半导体(GaAs等)器件相比具有更优越的噪声潜力。对近十多年来国内外在GaN HEMT低噪... 详细信息
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4H-SiC外延中的缺陷及其对肖特基二极管的影响
4H-SiC外延中的缺陷及其对肖特基二极管的影响
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第十五届全国化合物半导体材料,微波器件和光电器件学术会议
作者: 陈刚 陈雪兰 柏松 李哲洋 韩平 南京大学物理系江苏省光电信息功能材料重点实验室 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室
研究了4H-SiC外延片中的缺陷对制作出的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的电学性能的影响。SiC的外延生长是通过LPCVD外延设备在偏8°的(0001)Si面4H-SiC单晶片上进行的,衬底材料来自外购,同质生长的SiC外延层掺杂为n型,掺杂浓度5×... 详细信息
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7~13 GHz GaAs单片40W限幅低噪声放大器
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固体电子研究与进展 2017年 第5期37卷 F0003-F0003页
作者: 彭龙新 王溯源 凌志健 章军云 徐波 单片集成电路与模块国家重点实验室 南京210016 南京电子器件研究所 南京210016
南京电子器件研究所首次研制出7~13GHz连续波40W大功率限幅器+低噪声放大器集成单片。根据大功率和低噪声要求,将PIN二极管和低噪声PHEMT两种材料集成在同~GaAs衬底上,
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