检索结果-内蒙古大学图书馆

固体电子学研究与进展 2019年第3期39卷 F0003-F0003页

作者：郁元卫张洪泽黄旼朱健张斌单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016 南京电子器件研究所南京210016

南京电子器件研究所根据射频组件芯片化的发展趋势,在国内首先提出了硅基射频微系统架构,在203.2mm(8英寸)硅晶圆上,建立起了TSV射频转接板的设计/工艺能力,通过基于TSV射频转接板的三维异构集成先进工艺技术,制备出硅基首款38GHz异构... 详细信息

南京电子器件研究所根据射频组件芯片化的发展趋势,在国内首先提出了硅基射频微系统架构,在203.2mm(8英寸)硅晶圆上,建立起了TSV射频转接板的设计/工艺能力,通过基于TSV射频转接板的三维异构集成先进工艺技术,制备出硅基首款38GHz异构集成收发芯片,研制出4层硅片堆叠集成的X波段硅基变频芯片,形成了1.0版本的射频微系统工艺规则和多用户流程能力。TSV尺寸(30:200)μm,可以支持4层硅片的圆片级堆叠。该工艺架构在DC-40GHz的微波性能已通过了验证。

关键词：射频微系统异构集成

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毫米波15 W GaAs单片大功率PIN限幅器

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固体电子学研究与进展 2018年第4期38卷 F0003-F0003页

作者：彭龙新李真翟明单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016 南京电子器件研究所南京210016

南京电子器件研究所研制出第一款Ka波段15 WGaAs单片大功率PIN限幅器。根据高频、大功率要求,优化了GaAs PIN二极管的Ⅰ层厚度和表面结构,优化了大、小信号模型。通过调整优化结构,在Φ50mm外延片上,研制出了10 W以上Ka波段大功率PIN限... 详细信息

南京电子器件研究所研制出第一款Ka波段15 WGaAs单片大功率PIN限幅器。根据高频、大功率要求,优化了GaAs PIN二极管的Ⅰ层厚度和表面结构,优化了大、小信号模型。通过调整优化结构,在Φ50mm外延片上,研制出了10 W以上Ka波段大功率PIN限幅器芯片。在33～37 GHz内,测得该限幅器插入损耗约1.3 dB,输入输出驻波≤1.65。

关键词： PIN限幅器大功率单片毫米波南京电子器件研究所 PIN二极管 Ka波段表面结构

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高功率AlGaN/GaN微波功率HEMT

高功率AlGaN/GaN微波功率HEMT

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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：陈堂胜王晓亮焦刚钟世昌任春江陈辰李拂晓南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016 中国科学院半导体研究所北京100083

报告了研制的SiC衬底上的AlGaN/GaN微波功率HEMTs.器件研制中采用凹槽栅和场调制板结构,有效抑制了电流崩塌并提高了器件的击穿电压,提高了器件的微波功率特性.研制的1 mm栅宽器件在8GHz、34V工作电压下,饱和输出功率达到了9.05W,功率... 详细信息

报告了研制的SiC衬底上的AlGaN/GaN微波功率HEMTs.器件研制中采用凹槽栅和场调制板结构,有效抑制了电流崩塌并提高了器件的击穿电压,提高了器件的微波功率特性.研制的1 mm栅宽器件在8GHz、34V工作电压下,饱和输出功率达到了9.05W,功率增益为7.5dB、功率附加效率(PAE)为46％.

关键词：宽禁带半导体 AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管 SiC衬底场板栅挖槽微波功率器件

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应用于微波/毫米波领域的集成无源器件硅基转接板技术

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电子工业专用设备 2017年第4期46卷 20-23页

作者：黄旼朱健石归雄微波毫米波单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016 中国电子科技集团公司第五十五研究所南京210016

展示了一种应用于射频微系统领域的可以集成射频无源器件的硅基转接板结构。该结构将电感、电容、电阻、传输线和TSV等集成在适用于微波应用的高阻硅衬底上,可实现芯片级的CMOS、MMIC及MEMS多种不同材料器件集成。采用这种方法制备的传... 详细信息

展示了一种应用于射频微系统领域的可以集成射频无源器件的硅基转接板结构。该结构将电感、电容、电阻、传输线和TSV等集成在适用于微波应用的高阻硅衬底上,可实现芯片级的CMOS、MMIC及MEMS多种不同材料器件集成。采用这种方法制备的传输线损耗在40 GHz为0.34 dB/mm,电容密度达到1.05 fF/μm^2,2.5圈8 n H电感最大Q值在1.5 GHz达到16。这项制造技术与CMOS制造工艺兼容,可为超高集成度的三维集成型化射频微系统提供有力支撑。

关键词：集成无源器件硅通孔互补金属氧化物半导体转接板射频

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5Gb/s GaAs MSM/PHEMT单片集成光接收机前端

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固体电子学研究与进展 2006年第3期26卷 426-426页

作者：焦世龙陈堂胜蒋幼泉冯欧冯忠杨立杰李拂晓陈辰邵凯叶玉堂电子科技大学光电信息学院成都610054 单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016 南京电子器件研究所南京210016

由光探测器和前置放大器组成的光接收机前端将经过传输通道后发生了衰减和畸变的微弱光信号转变为电压信号并初步放大，是光通信系统的关键环节。相对于混合集成，单片集成将光探测器和前置放大器制作在同一衬底上，二者通过空气桥相连... 详细信息

由光探测器和前置放大器组成的光接收机前端将经过传输通道后发生了衰减和畸变的微弱光信号转变为电压信号并初步放大，是光通信系统的关键环节。相对于混合集成，单片集成将光探测器和前置放大器制作在同一衬底上，二者通过空气桥相连，可以最大程度地减小芯片间互连寄生参数的影响，并提高可靠性、减小体积和降低成本。

关键词：接收机前端单片集成 PHEMT GaAs b/s MSM 前置放大器光探测器

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碳化硅MOSFET栅氧化层可靠性研究

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智能电网 2015年第2期3卷 99-102页

作者：黄润华钮应喜杨霏陶永洪柏松陈刚汪玲刘奥卫能李赟赵志飞单片集成电路和模块国家级重点实验室江苏省南京市210016 国网智能电网研究院北京市昌平区102209 南京电子器件研究所江苏省南京市210016

通过TCAD仿真的方法对器件可靠性与结构设计之间的关系进行分析;对栅极电压和栅氧化层最强电场进行仿真,以对碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)单胞结构参数进行优化;在N... 详细信息

通过TCAD仿真的方法对器件可靠性与结构设计之间的关系进行分析;对栅极电压和栅氧化层最强电场进行仿真,以对碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)单胞结构参数进行优化;在N型碳化硅外延层上制作金属氧化物半导体(metal-oxide-semiconductor,MOS)电容,并且通过对MOS电容进行C-V测试的方法评估Si O2/Si C界面质量。对导带附近界面陷阱密度进行比较。NO退火的样品与干氧氧化样品相比界面质量明显改善,界面态密度小于5×10~11 cm–2e V–1。

关键词：界面态碳化硅金属氧化物半导体(metal-oxide-semiconductor,MOS)电容可

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高介BST材料对MIS结构AlGaN/GaN HEMT器件性能的影响

高介BST材料对MIS结构AlGaN/GaN HEMT器件性能的影响

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：周建军张继华陈堂胜任春江焦刚李忠辉陈辰杨传仁单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所南京 210016 电子科技大学微电了与同体电子学院成都 610054 电子科技大学微电了与固体电子学院成都 610054

采用衬底同步加热磁控溅射的高介电BST材料作为栅绝缘层,研制了BST/AlGaN/GaN MIS结构HEMT器件。通过对器件直流和高频特性的测试,以及与同样厚度SiN MIS结构对比分析了高介电BST材料作为栅绝缘层对AlGaN/GaN MISHEMT器件性能的影响。... 详细信息

采用衬底同步加热磁控溅射的高介电BST材料作为栅绝缘层,研制了BST/AlGaN/GaN MIS结构HEMT器件。通过对器件直流和高频特性的测试,以及与同样厚度SiN MIS结构对比分析了高介电BST材料作为栅绝缘层对AlGaN/GaN MISHEMT器件性能的影响。使用高介电BST材料作为栅绝缘层可以改善器件的线性特性和跨导特性,提高器件栅的正向工作电压,并有效降低AlGaN/GaN HEMT器件的夹断电压。同时,由于只引入很薄一层高介电材料作为栅绝缘层,器件的高频特性没有硅著降低,BST/AlGaN/GaN MIS HEMT器件的电流增益截止频率达到了23GHz。

关键词： GaN HEMT器件高介BST材料 MIS结构磁控溅射栅绝缘层

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