检索结果-内蒙古大学图书馆

Journal of Semiconductors 2007年第z1期28卷 398-401页

作者：陈堂胜王晓亮焦刚钟世昌任春江陈辰李拂晓南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016 中国科学院半导体研究所北京100083 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016

研制的SiC衬底上的AlGaN/GaN微波功率HEMTs,采用凹槽栅和场调制板结构有效抑制了器件的电流崩塌,提高了器件的击穿电压和器件的微波功率特性.研制的1mm栅宽器件在8GHz,34V工作电压下,饱和输出功率达到了9.05W,功率增益为7.5dB,功率附加... 详细信息

研制的SiC衬底上的AlGaN/GaN微波功率HEMTs,采用凹槽栅和场调制板结构有效抑制了器件的电流崩塌,提高了器件的击穿电压和器件的微波功率特性.研制的1mm栅宽器件在8GHz,34V工作电压下,饱和输出功率达到了9.05W,功率增益为7.5dB,功率附加效率为46%.

关键词：宽禁带半导体 AlGaN/GaN)高电子迁移率晶体管场板凹槽栅

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L波段GaN大功率高效率准单片功率放大器

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固体电子学研究与进展 2017年第6期37卷 384-388页

作者：蔺兰峰周衍芳黎明陶洪琪单片集成电路与模块国家重点实验室南京电子器件研究所南京210016

研制了一款基于NEDI 0.25μm GaN功率MMIC工艺的L波段大功率高效率准单片功率放大器。采用两级拓扑结构,以准单片形式实现。输入采用有耗匹配网络提高芯片的稳定性,级间和末级匹配均采用无耗纯电抗网络,其中末级匹配电路通过低损耗陶瓷... 详细信息

研制了一款基于NEDI 0.25μm GaN功率MMIC工艺的L波段大功率高效率准单片功率放大器。采用两级拓扑结构,以准单片形式实现。输入采用有耗匹配网络提高芯片的稳定性,级间和末级匹配均采用无耗纯电抗网络,其中末级匹配电路通过低损耗陶瓷电路实现。合理规划前级与末级间推动比,降低前级漏电流,减小末级匹配损耗,优化谐波匹配,实现大功率高效率设计。芯片在28V脉冲电压下工作,在1.2~1.4GHz范围内,实测输出功率大于49dBm,功率增益大于25dB,功率附加效率达到73%。管芯部分及输入匹配电路采用GaN功率MMIC工艺制作,输出匹配电路采用低损耗陶瓷片介质加工,两块电路键合一起总面积8.0mm×5.6mm。

关键词： GaN L波段高效率大功率准单片

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4H-SiC MESFET工艺中的金属掩膜研究

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半导体技术 2008年第S1期33卷 241-243页

作者：陈刚李哲洋陈征冯忠陈雪兰柏松南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室 210016

在4H-SiC MESFET微波功率器件制造技术中干法刻蚀是一个很重要的工艺,而对SiC外延片的RIE、ICP等干法刻蚀来说,有光刻胶、Ni、Al和NiSi化合物等多种掩膜方法,其中用光刻胶做掩膜时刻蚀形成的台阶角度缓,不垂直,而Ni、Al等金属掩膜在干... 详细信息

在4H-SiC MESFET微波功率器件制造技术中干法刻蚀是一个很重要的工艺,而对SiC外延片的RIE、ICP等干法刻蚀来说,有光刻胶、Ni、Al和NiSi化合物等多种掩膜方法,其中用光刻胶做掩膜时刻蚀形成的台阶角度缓,不垂直,而Ni、Al等金属掩膜在干法刻蚀后易形成接近垂直的台阶。通过对Ni、Al、NiSi化合物等多种金属掩膜的研究,得到了干法刻蚀台阶垂直且表面状况良好的Ni金属掩膜条件,最终成功制备出9mm SiC MESFET微波功率器件,在2GHz脉冲输出功率超过38W,功率增益9dB。

关键词： 4H碳化硅金属掩膜金属-肖特基势垒FET

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Si掺杂对MOCVD生长的n型Al_(0.5)Ga_(0.5)N的影响

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半导体技术 2008年第S1期33卷 136-139页

作者：李亮李忠辉董逊周建军孔月婵姜文海陈辰南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016

采用AlN缓冲层技术在蓝宝石衬底上通过MOCVD方法成功制备出0.5μm的Si掺杂Al0.5Ga0.5N外延薄膜,并对其电学、光学与结构特性进行了研究。Hall测量表明,在室温下n型Al0.5Ga0.5N中的载流子浓度和迁移率分别为1.2×1019cm-3和12cm2/V.... 详细信息

采用AlN缓冲层技术在蓝宝石衬底上通过MOCVD方法成功制备出0.5μm的Si掺杂Al0.5Ga0.5N外延薄膜,并对其电学、光学与结构特性进行了研究。Hall测量表明,在室温下n型Al0.5Ga0.5N中的载流子浓度和迁移率分别为1.2×1019cm-3和12cm2/V.s。载流子浓度随Si掺杂量的增加而增大。利用XRD和Raman等测量方法研究了Si掺杂Al0.5Ga0.5N薄膜晶格常数c和Raman散射谱随SiH4流量的变化。随着SiH4流量的增大,Al0.5Ga0.5N薄膜的晶格常数c变小同时E2声子峰发生红移,这表明掺Si后Al0.5Ga0.5N薄膜中的压应力得到了一定程度的弛豫。

关键词： AlGaN Si掺杂金属有机化学气相淀积蓝宝石衬底外延薄膜

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4H-SiC欧姆接触与测试方法研究

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固体电子学研究与进展 2008年第1期28卷 38-41页

作者：陈刚柏松李哲阳韩平南京大学物理系江苏省光电信息功能材料重点实验室南京210008 南京电子器件研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室南京210016

主要针对不同金属和工艺条件下的4H-SiC欧姆接触特性进行对比研究,形成4H-SiC的优良欧姆接触的最佳条件。通过TLM方法结合四探针测量得到特征接触电阻率,测得NiCr和Ni与4H-SiC的最佳特征接触电阻率分别达到ρc=9.02×10-6Ω.cm2,ρc... 详细信息

主要针对不同金属和工艺条件下的4H-SiC欧姆接触特性进行对比研究,形成4H-SiC的优良欧姆接触的最佳条件。通过TLM方法结合四探针测量得到特征接触电阻率,测得NiCr和Ni与4H-SiC的最佳特征接触电阻率分别达到ρc=9.02×10-6Ω.cm2,ρc=2.22×10-7Ω.cm2,能够很好满足SiC器件的需要。

关键词：碳化硅欧姆接触特征接触电阻率退火

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S波段SiC MESFET微波功率MMIC

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半导体技术 2008年第S1期33卷 244-246页

作者：柏松陈刚冯忠钱峰陈征吴鹏任春江李哲洋郑惟彬蒋幼泉陈辰南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016

利用本实验室生长的半绝缘衬底上的4H-SiC外延材料开展了SiC MESFET和MMIC的工艺技术研究。在实现SiC衬底减薄和通孔技术的基础上,采用微带技术以及全套的无源器件,设计并研制了国内第一片SiC微波功率MMIC。研制的SiC MMIC工作频段为S波... 详细信息

利用本实验室生长的半绝缘衬底上的4H-SiC外延材料开展了SiC MESFET和MMIC的工艺技术研究。在实现SiC衬底减薄和通孔技术的基础上,采用微带技术以及全套的无源器件,设计并研制了国内第一片SiC微波功率MMIC。研制的SiC MMIC工作频段为S波段,在1.8~3.4GHz的频带内小信号增益大于12dB,漏电压为32V时带内脉冲输出功率超过5W。SiCMMIC小信号特性达到了设计预期,但输出功率低于设计值。这是由于受到MI M电容耐压能力的限制,SiC MMIC的工作电压比较低。

关键词：碳化硅金属半导体场效应晶体管微波功率单片微波集成电路

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BST/AlGaN/GaN铁电/半导体异质结构二维电子气研究

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半导体技术 2008年第S1期33卷 83-86页

作者：孔月婵薛舫时周建军李亮陈辰南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016

采用自洽计算方法对BST/AlGaN/GaN铁电/半导体异质结构中二维电子气进行研究,通过计入铁电极化随电场变化的非线性关系,模拟了对该异质结构进行"极化/退极化"(加负/正偏压)后,由铁电极化偶极子翻转导致的二维电子气浓度的变... 详细信息

采用自洽计算方法对BST/AlGaN/GaN铁电/半导体异质结构中二维电子气进行研究,通过计入铁电极化随电场变化的非线性关系,模拟了对该异质结构进行"极化/退极化"(加负/正偏压)后,由铁电极化偶极子翻转导致的二维电子气浓度的变化情况。当对BST/AlGaN/GaN异质结构进行"极化"后,BST极化偶极子部分反转使得BST/AlGaN界面处感生高浓度负极化电荷,对二维电子气产生耗尽作用,而由于极化钉扎作用,此时BST的平均极化方向仍与Al-GaN中极化方向相同。当对异质结构进行"退极化"后,BST极化偶极子排列与AlGaN中极化方向相同,二维电子气浓度增加。随AlGaN势垒层厚度减小,BST极化对二维电子气的调制作用增强。另外,通过C-V测量方法对BST/AlGaN/GaN样品进行小范围电压扫描发现C-V曲线呈逆时针滞回方向,证实了铁电体极化对二维电子气的调制作用。

关键词：铁电/半导体异质结构极化调制二维电子气

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InP基共振遂穿二极管研究

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半导体技术 2008年第S1期33卷 1-3页

作者：韩春林薛舫时高建峰陈辰南京电子器件研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室南京210016

在实验中对InGaAs/AlAs/InP共振遂穿二极管(RTD)进行了优化设计,并用MBE设备在(100)半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。采用电子束光刻工艺和空气桥互连技术,制作了InP基RTD器件。在室温下测试了器件的电学特性,峰值电流密度24.6kA/c... 详细信息

在实验中对InGaAs/AlAs/InP共振遂穿二极管(RTD)进行了优化设计,并用MBE设备在(100)半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。采用电子束光刻工艺和空气桥互连技术,制作了InP基RTD器件。在室温下测试了器件的电学特性,峰值电流密度24.6kA/cm2,峰谷电流比为8.6。通过MATLAB软件对器件I-V测试曲线进行了数值拟合,结果与实验数据吻合得很好。

关键词：共振遂穿二极管空气桥 MATLAB 电子束光刻分子束外延

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Al_(0.66)Ga_(0.34)N日盲紫外光电探测器研究

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半导体技术 2008年第S1期33卷 210-212页

作者：姜文海陈辰周建军李忠辉董逊南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016

采用MOCVD生长的高Al含量n-AlxGa1-xN制备了金属-半导体-金属(MSM)结构紫外日盲探测器。材料为非故意掺杂n型,表面无裂缝。经三轴X射线衍射(TAXRD)对外延材料进行测试,AlxGa1-xN半峰宽(FWHM)为155arcs,显示了良好的晶体质量。经光谱响... 详细信息

采用MOCVD生长的高Al含量n-AlxGa1-xN制备了金属-半导体-金属(MSM)结构紫外日盲探测器。材料为非故意掺杂n型,表面无裂缝。经三轴X射线衍射(TAXRD)对外延材料进行测试,AlxGa1-xN半峰宽(FWHM)为155arcs,显示了良好的晶体质量。经光谱响应测试,探测器存在两个峰值响应,波长分别位于255、365nm处,说明探测器同时具有日盲探测和双色探测特征。在6V偏压下255nm处响应度为0.1A/W,并以此推算出AlxGa1-xN材料的Al含量为0.66。

关键词：金属-半导体-金属日盲探测器半峰宽双色响应度

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MSM型氮化镓紫外探测器研究

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光电子技术 2009年第1期29卷 11-13页

作者：姜文海陈辰周建军李忠辉郑惟彬董逊南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016

以宽禁带半导体氮化镓材料制备了金属-半导体-金属型的紫外光电探测器。材料生长是以MOCVD设备完成的,为非故意掺杂的n型材料。器件在362nm处具有陡峭的截止边,表现出可见盲特性,在1.5 V偏压下响应度为0.71 A/W,紫外/可见抑制比接近103... 详细信息

以宽禁带半导体氮化镓材料制备了金属-半导体-金属型的紫外光电探测器。材料生长是以MOCVD设备完成的,为非故意掺杂的n型材料。器件在362nm处具有陡峭的截止边,表现出可见盲特性,在1.5 V偏压下响应度为0.71 A/W,紫外/可见抑制比接近103。通过击穿单侧肖特基结对另一侧的肖特基结进行测试,结果表明肖特基结具有较理想的特性,并以此对器件的工作方式和设计优化进行了讨论分析。

关键词：紫外探测器可见盲宽带隙

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