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语言

  • 177 篇 中文
检索条件"机构=南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室"
177 条 记 录,以下是61-70 订阅
排序:
2.5Gb/s GaAsPIN/PHEMT单片集成光接收机前端
收藏 引用
电子.激光 2008年 第2期19卷 191-195页
作者: 焦世龙 叶玉堂 陈堂胜 杨先明 李拂晓 邵凯 吴云峰 电子科技大学光电信息学院 四川成都610054 单片集成电路与模块国家级重点实验室 江苏南京210016 南京电子器件研究所 江苏南京210016
采用0.5μm GaAs PHEMT工艺,研制了一种PIN光探测器和分布放大器单片集成850nm光接收机前端。探测器光敏面直径为30μm,电容为0.25pF,10V反向偏压下的暗电流小于20nA。分布放大器-3dB带宽接近20GHz,跨阻增益约46dBΩ;在50MHz^16GHz范围... 详细信息
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MMIC用NiFe-SiO_x磁性金属颗粒膜电感研究
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固体电子研究与进展 2010年 第2期30卷 208-211页
作者: 孔岑 李辉 张万里 陈辰 陈效建 电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054 南京电子器件研究所 单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016
在蓝宝石基的氮化镓衬底上采用射频磁控溅射结合剥离的方法制作了NiFe-SiOx磁性金属颗粒膜,利用PECVD淀积绝缘层,制备出"SiN绝缘层/NiFe-SiOx薄膜/SiN绝缘层/金属线圈"结构的平面电感。测试表明,对于单圈电感,与无磁膜结构相... 详细信息
来源: 评论
20GHz宽带GaAs PHEMT分布式前置放大器
收藏 引用
电子学报 2007年 第5期35卷 955-958页
作者: 焦世龙 陈堂胜 蒋幼泉 钱峰 李拂晓 邵凯 叶玉堂 电子科技大学光电信息学院 四川成都610054 单片集成电路与模块国家级重点实验室 江苏南京210016 南京电子器件研究所 江苏南京210016
采用0.5μm GaAs PHEMT工艺研制了一种光接收机分布式前置放大器.该放大器-3dB带宽接近20GHz,跨阻增益约46dBΩ;在50MHz^16GHz范围内,输入、输出电压驻波比(VSWR)均小于2;带内噪声系数在3.03~6.5dB之间,平均等效输入噪声电流密度约为14.... 详细信息
来源: 评论
离子注入工艺在4H-SiC器件中的应用
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半导体技术 2008年 第S1期33卷 252-255页
作者: 李春 陈刚 南京电子器件研究所五中心 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室 南京210016
介绍了离子注入工艺可在SiC器件中形成欧姆接触,其电阻值经退火后可达到10-6Ω.cm2;同时也可利用离子注入在平面工艺中形成良好的电学隔离,避免工艺复杂化,提高了成品率。最后通过B+注入形成边缘终端制作4H-SiC肖特基势垒二极管的例子... 详细信息
来源: 评论
高性能半绝缘4H-SiC衬底AlGaN/GaN HEMT
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半导体技术 2008年 第S1期33卷 80-82,90页
作者: 任春江 李忠辉 焦刚 钟世昌 董逊 薛舫时 陈辰 陈堂胜 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室 南京210016
利用南京电子器件研究所的MOCVD设备在半绝缘4H-SiC衬底外延生长了Al GaN/GaN异质结,运用该材料研制了8GHz输出功率密度10.52W/mm的HEMT器件。非接触霍尔测试表明,经过优化的Al GaN/GaN异质结材料中的二维电子气(2DEG)面密度为1.0×... 详细信息
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10Gb/s GaAs PHEMT Current Mode Transimpedance Preamplifier for Optical Receiver
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Journal of Semiconductors 2007年 第1期28卷 24-30页
作者: 焦世龙 叶玉堂 陈堂胜 冯欧 蒋幼泉 范超 李拂晓 电子科技大学光电信息学院 成都610054 单片集成电路与模块国家级重点实验室 南京210016 南京电子器件研究所 南京210016
A single power supply common-gate (CG) current mode transimpedance preamplifier (TIA) is developed with a 0.5μm GaAs PHEMT process. The amplifier has a measured - 3dB bandwidth of 7. 5GHz and a transimpedance gai... 详细信息
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A 10Gb/s GaAs PHEMT High Gain Preamplifier for Optical Receivers
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Journal of Semiconductors 2007年 第12期28卷 1902-1911页
作者: 焦世龙 杨先明 赵亮 李辉 陈镇龙 陈堂胜 邵凯 叶玉堂 电子科技大学光电信息学院 成都610054 南京电子器件研究所 南京210016 单片集成电路与模块国家级重点实验室 南京210016
A high gain cascade connected preamplifier for optical receivers is developed with 0.5μm GaAs PHEMT technology from the Nanjing Electronic Devices Institute. To begin with, the transimpedance amplifier has a -3dB ban... 详细信息
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基于4H-SiC肖特基二极管的中子探测器
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原子能科学技术 2013年 第4期47卷 664-668页
作者: 蒋勇 吴健 韦建军 范晓强 陈雨 荣茹 邹德慧 李勐 柏松 陈刚 李理 四川大学原子与分子物理研究所 四川成都610065 中国工程物理研究院核物理与化学研究所 四川绵阳621900 南京电子器件研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室 江苏南京210016
针对当前极端环境下耐辐照半导体中子探测器的需求,采用耐高温、耐辐照的碳化硅宽禁带半导体材料,利用6 Li(n,α)3 H核反应原理,研制了基于4H-SiC肖特基二极管的中子探测器。利用磁控溅射完成中子转化层的制作,并用SEM表征6 LiF膜厚。... 详细信息
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砷化镓0.5 μm PHEMT开关标准工艺研究
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固体电子研究与进展 2006年 第4期26卷 545-549页
作者: 李拂晓 郑华 郑惟彬 林罡 吴振海 黄庆安 东南大学MEMS教育部重点实验室 南京210096 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室 南京210016
采用PCM技术对砷化镓0.5μmPHEMT开关工艺关键工艺步骤进行定量严格监控,并对关键工艺节点进行工序能力评价(Cpk),运用统计过程控制(SPC)技术对采集的工艺数据进行分析,实现了开关工艺的稳定受控,工艺水平不断提高,砷化镓单片开关的成... 详细信息
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7.5~9.5GHz AlGaN/GaN HEMT内匹配微波功率管
收藏 引用
固体电子研究与进展 2007年 第2期27卷 159-162,206页
作者: 王帅 陈堂胜 张斌 李拂晓 陈辰 龚敏 四川大学物理科学与技术学院微电子学四川省重点实验室 成都610064 单片集成电路及模块国家重点实验室南京电子器件研究所 南京210016
报道了研制的1mm栅宽的AlGaN/GaN HEMT内匹配微波功率管,在32V漏偏压下在7.5~9.5GHz频率范围内输出功率大于5W,功率附加效率典型值为30%,功率增益大于6dB,带内增益平坦度为±0.4dB,带内最大输出功率为6W。
来源: 评论