检索结果-内蒙古大学图书馆

电子学报 2006年第6期34卷 1156-1158页

作者：焦世龙冯暐陈堂胜范超李拂晓叶玉堂电子科技大学光电信息学院四川成都610054 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室江苏南京210016

采用0.5μm GaAs PHEMT工艺研制了一种单电源偏置光接收机跨阻抗前置放大器.放大器-3dB带宽约为9.5GHz;在50MHz^7.5GHz范围内,跨阻增益为43.5±1.5dBΩ,输入输出回波损耗均小于-10dB;带内噪声系数在4dB^6.5dB之间,由此得到的最小等... 详细信息

采用0.5μm GaAs PHEMT工艺研制了一种单电源偏置光接收机跨阻抗前置放大器.放大器-3dB带宽约为9.5GHz;在50MHz^7.5GHz范围内,跨阻增益为43.5±1.5dBΩ,输入输出回波损耗均小于-10dB;带内噪声系数在4dB^6.5dB之间,由此得到的最小等效输入噪声电流密度约为17.6pA/Hz;输入12Gb/s NRI伪随机序列时,放大器输出眼图清晰,眼开良好.

关键词： PHEMT 跨阻抗前置放大器

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单片集成GaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管

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电子与封装 2009年第6期9卷 29-32页

作者：章军云林罡陈堂胜南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016

介绍了单片集成GaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺。借助栅金属的热处理过程,形成了热稳定性良好的Pt/Ti/Pt/Au栅。AFM照片结果表明Pt金属膜表面非常平整,2nm厚度膜的粗糙度RMS仅为0.172nm。通过实验,我们还得出第一层P... 详细信息

介绍了单片集成GaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺。借助栅金属的热处理过程,形成了热稳定性良好的Pt/Ti/Pt/Au栅。AFM照片结果表明Pt金属膜表面非常平整,2nm厚度膜的粗糙度RMS仅为0.172nm。通过实验,我们还得出第一层Pt金属膜的厚度和退火后的下沉深度比大概为1∶2。制作的增强型/耗尽型PHEMT的阈值电压(定义于1mA/mm)、最大跨导、最大饱和漏电流密度、电流增益截止频率分别是+0.185/-1.22V、381.2/317.5mS/mm、275/480mA/mm、38/34GHz。增强型器件在4英寸圆片上的阈值电压标准差为19mV。

关键词：单片集成增强型阈值电压

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栅长90nm的晶格匹配InAlAs/InGaAs/InP HEMT

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电子与封装 2009年第7期9卷 34-36页

作者：高喜庆高建峰康耀辉张政南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016

文章报道了90nm栅长的晶格匹配InP基HEMT器件。栅图形是通过80kV的电子束直写的,并采用了优化的三层胶工艺。器件做在匹配的InAlAs/InGaAs/InPHEMT材料上。当Vds=1.0V时,两指75μm栅宽器件的本征峰值跨导达到720ms/mm,最大电流密度为500... 详细信息

文章报道了90nm栅长的晶格匹配InP基HEMT器件。栅图形是通过80kV的电子束直写的,并采用了优化的三层胶工艺。器件做在匹配的InAlAs/InGaAs/InPHEMT材料上。当Vds=1.0V时,两指75μm栅宽器件的本征峰值跨导达到720ms/mm,最大电流密度为500mA/mm,器件的阈值电压为-0.8V,截止频率达到127GHz,最大振荡频率达到152GHz。

关键词：截止频率高电子迁移率晶体管 InAlAs/InGaAs InP

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微波大功率SiC MESFET及MMIC

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中国电子科学研究院学报 2009年第2期4卷 137-139页

作者：柏松陈刚吴鹏李哲洋郑惟彬钱峰南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016

利用本实验室生长的4H-SiC外延材料开展了SiC MESFET和MMIC的工艺技术研究。研制的SiC MESFET采用栅场板结构,显示出优异的脉冲功率特性,20mm栅宽器件在2GHz脉冲输出功率达100W。将四个20mm栅宽的SiC MESFET芯片通过内匹配技术进行功率... 详细信息

利用本实验室生长的4H-SiC外延材料开展了SiC MESFET和MMIC的工艺技术研究。研制的SiC MESFET采用栅场板结构,显示出优异的脉冲功率特性,20mm栅宽器件在2GHz脉冲输出功率达100W。将四个20mm栅宽的SiC MESFET芯片通过内匹配技术进行功率合成,合成器件的脉冲功率超过320W,增益8.6dB。在实现SiC衬底减薄和通孔技术的基础上,设计并研制了国内第一片SiC微波功率MMIC,在2～4GHz频带内小信号增益大于10dB,脉冲输出功率最大超过10W。

关键词： SiC MESFET 微波功率宽带 MMIC

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SiC半导体探测器性能测量研究

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核电子学与探测技术 2012年第12期32卷 1372-1375,1427页

作者：蒋勇范晓强荣茹吴建柏松李理中国工程物理研究院核物理与化学研究所四川绵阳621900 四川大学原子与分子物理研究所四川成都610065 南京电子器件研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室江苏南京210016

采用241Am-α粒子源测量了研制的SiC半导体探测器的上升时间、脉冲幅度以及能量分辨率等性能,计算了空气和肖特基Ni/Au层厚度对α粒子的能量损失,测量了抽真空和加不同偏压等条件对SiC探测器性能的影响。计算表明:0.8 cm的空气层对α粒... 详细信息

采用241Am-α粒子源测量了研制的SiC半导体探测器的上升时间、脉冲幅度以及能量分辨率等性能,计算了空气和肖特基Ni/Au层厚度对α粒子的能量损失,测量了抽真空和加不同偏压等条件对SiC探测器性能的影响。计算表明:0.8 cm的空气层对α粒子有20%的能量损失,3.5μm的肖特基Au层对α粒子有39%的能量损失。在1 700 Pa的低真空环境中、350 V偏压下SiC探测器达到最佳工作条件,此时探测器的上升时间为76.9 ns,输出幅度为22.8 mV,能量分辨率为13.7%。采用更薄肖特基金属镀层(≤0.1μm)可制备出更高能量分辨率的SiC探测器。

关键词： SiC探测器宽禁带 α粒子能量分辨率

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4H-SiC外延中的缺陷及其对肖特基二极管的影响

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半导体技术 2008年第S1期33卷 247-249页

作者：陈刚陈雪兰柏松李哲洋韩平南京大学物理系江苏省光电信息功能材料重点实验室南京210008 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016

研究了4H-SiC外延片中的缺陷对制作出的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的电学性能的影响。SiC的外延生长是通过LPCVD外延设备在偏8°的(0001)Si面4H-SiC单晶片上进行的,衬底材料来自外购,同质生长的SiC外延层掺杂为n型,掺杂浓度5×1... 详细信息

研究了4H-SiC外延片中的缺陷对制作出的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的电学性能的影响。SiC的外延生长是通过LPCVD外延设备在偏8°的(0001)Si面4H-SiC单晶片上进行的,衬底材料来自外购,同质生长的SiC外延层掺杂为n型,掺杂浓度5×1015cm-3,厚度为10μm。通过对外延好的4H-SiC片进行2cm×2cm划片,使用扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)及喇曼光谱多种测试手段对边长为2cm的方形SiC外延材料的表面形貌、缺陷和晶型进行了分析研究,制作了简单的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管,制造的二极管为直径110μm的圆形。简述了制作肖特基势垒二极管的相关工艺流程;通过电学测试得到了性能较好的特性参数为理想因子n=1.24,势垒高度=0.87eV,击穿电压在650V。

关键词： 4H-SiC 缺陷肖特基二极管理想因子势垒高度测试

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高温正向栅电流下Ti／Pt／Au栅SiC MESFET的栅退化机理

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微电子学 2009年第1期39卷 132-136页

作者：崔晓英黄云恩云飞陈刚柏松工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室广州510610 南京电子器件研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室南京210016

SiC MESFET器件的性能强烈依赖于栅肖特基结的特性,而栅肖特基接触的稳定性直接影响其可靠性。针对SiC MESFET器件在微波频率的应用中射频过驱动导致高栅电流密度的现象,设计了两种栅极大电流的条件,观察栅肖特基接触和器件特性的变化,... 详细信息

SiC MESFET器件的性能强烈依赖于栅肖特基结的特性,而栅肖特基接触的稳定性直接影响其可靠性。针对SiC MESFET器件在微波频率的应用中射频过驱动导致高栅电流密度的现象,设计了两种栅极大电流的条件,观察栅肖特基接触和器件特性的变化,并通过对试验数据的分析,确定了栅的寄生并联电阻的缓慢退化是导致栅肖特基结和器件特性退化,甚至器件烧毁失效的主要原因。

关键词： SiC MESFET肖特基结栅退化可靠性

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GaN高电子迁移率晶体管高频噪声特性的研究

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微波学报 2011年第6期27卷 84-88页

作者：陈勇波周建军徐跃杭国云川徐锐敏电子科技大学电子工程学院成都611731 南京电子器件研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室南京210016

基于FUKUI噪声模型,分析了GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件的高频噪声特性,结果表明,由于GaN HEMT具有更高的临界电场和更大的电子饱和速度,与第2代半导体器件(GaAs HEMT等)相比具有更优越的噪声性能。对近10多年来国内外在GaN HEMT低... 详细信息

基于FUKUI噪声模型,分析了GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件的高频噪声特性,结果表明,由于GaN HEMT具有更高的临界电场和更大的电子饱和速度,与第2代半导体器件(GaAs HEMT等)相比具有更优越的噪声性能。对近10多年来国内外在GaN HEMT低噪声器件及其低噪声功率放大器单片集成电路(MMIC)方面的研究进行了综述,并分析了GaN HEMT在低噪声应用领域目前存在的主要问题及其发展趋势。

关键词：氮化镓(GaN) 高电子迁移率晶体管(HEMT) 高频噪声低噪声放大器

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利用空气桥技术实现InP基共振遂穿二极管器件

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中国电子科学研究院学报 2009年第5期4卷 516-518页

作者：韩春林邹鹏辉高建峰薛舫时张政耿涛陈辰单片集成电路和模块国家级重点实验室南京电子器件研究所南京210016

优化设计了InGaAs/AlAs/InP共振遂穿二极管(RTD)材料结构,并用MBE设备在(100)半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。利用电子束光刻工艺和空气桥互连技术,制作了InP基RTD器件。并在室温下测试了器件的电学特性:峰值电流密度78kA/cm2,峰... 详细信息

优化设计了InGaAs/AlAs/InP共振遂穿二极管(RTD)材料结构,并用MBE设备在(100)半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。利用电子束光刻工艺和空气桥互连技术,制作了InP基RTD器件。并在室温下测试了器件的电学特性:峰值电流密度78kA/cm2,峰谷电流比(PVCR)为7.8。利用空气桥互连技术实现该类器件,在国内尚属首次。

关键词：共振遂穿二极管电子束光刻空气桥

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采用场板和边缘终端技术的大电流Ni／4H-SiCSBDs

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固体电子学研究与进展 2009年第4期29卷 611-614页

作者：陈刚秦宇飞柏松李哲洋韩平南京大学物理系江苏省光电信息功能材料重点实验室南京210008 南京电子器件研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室南京210016 空军第一航空学院飞机战伤抢修技术研究所河南信阳464000

研究了4H-SiC低缺陷密度外延层的制造和Ni/SiC肖特基势垒二极管的正、反向电学特性。采用了偏8°4H-SiC衬底上台阶控制外延方法进行同质外延,外延温度1580℃,最后得到了低缺陷密度的3英寸外延片。采用了原子力显微镜和扫描电子显微... 详细信息

研究了4H-SiC低缺陷密度外延层的制造和Ni/SiC肖特基势垒二极管的正、反向电学特性。采用了偏8°4H-SiC衬底上台阶控制外延方法进行同质外延,外延温度1580℃,最后得到了低缺陷密度的3英寸外延片。采用了原子力显微镜和扫描电子显微镜进行了测试。在外延片上进行的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的制造,采用了B+离子注入形成的一个非晶区域作为边缘终端,然后使用经过1000℃下退火10min的PECVD生长的SiO2作为场板介质。最终得到的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的理想因子为1.03,势垒高度为1.6eV,在反向偏压1102V时,漏电流密度只有1.15×10-3A/cm2。在正向压降3.5V时得到了7.47A的大电流输出,特征导通电阻为6.22Ω.cm2。

关键词：碳化硅退火肖特基势垒理想因子势垒高度离子注入

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