检索结果-内蒙古大学图书馆

2009年全国微波毫米波会议

作者：张华陈安定於晓峰丁玉宁王子良戴雷南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室

本文设计了基于LTCC基板的三维多层微波延迟线,用于SIP系统。采用同轴线的概念,设计了类同轴垂直转换结构,以提供多层传输线间的连接。设计了多层弯折延迟线,对延迟线进行了三维全波电磁仿真优化,获得了较好的信号完整性:并在4～8GHz频... 详细信息

本文设计了基于LTCC基板的三维多层微波延迟线,用于SIP系统。采用同轴线的概念,设计了类同轴垂直转换结构,以提供多层传输线间的连接。设计了多层弯折延迟线,对延迟线进行了三维全波电磁仿真优化,获得了较好的信号完整性:并在4～8GHz频率内,分别获得了0.2nS和0.55nS的延迟时间。

关键词：三维微波延迟线 LTCC多层基板类同轴垂直转换 SIP

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大功率器件及材料的热特性表征技术研究进展

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中国材料进展 2018年第12期37卷 1017-1023,1047页

作者：郭怀新黄语恒黄宇龙陶鹏孔月婵李忠辉陈堂胜南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室江苏南京210016 上海交通大学材料科学与工程学院金属基复合材料国家重点实验室上海200240

以氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体高功率密度的发展受限于自身热积累效应引起器件结温升高问题,严重导致器件性能和可靠性的下降。因此,器件的热管理已成为大功率器件研发和应用领域的一个重要研究方向,而器件本身及其材料的热特性表... 详细信息

以氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体高功率密度的发展受限于自身热积累效应引起器件结温升高问题,严重导致器件性能和可靠性的下降。因此,器件的热管理已成为大功率器件研发和应用领域的一个重要研究方向,而器件本身及其材料的热特性表征贯穿于功率器件散热技术开发的整个过程,是评估和指导热管理研发的重要途径。为此,综述了国内外正在开展的器件芯片级热特性表征技术研究进展,系统分析了器件结温、外延薄膜热导率、界面热阻等热性能表征技术的优势及局限性,并阐述了这些热性能表征技术对芯片级热管理开发提供的技术指导及其面临的技术挑战。

关键词：功率器件热管理结温热导率界面热阻

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12 Gb/s GaAs PHEMT跨阻抗前置放大器

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电子学报 2006年第6期34卷 1156-1158页

作者：焦世龙冯暐陈堂胜范超李拂晓叶玉堂电子科技大学光电信息学院四川成都610054 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室江苏南京210016

采用0.5μm GaAs PHEMT工艺研制了一种单电源偏置光接收机跨阻抗前置放大器.放大器-3dB带宽约为9.5GHz;在50MHz^7.5GHz范围内,跨阻增益为43.5±1.5dBΩ,输入输出回波损耗均小于-10dB;带内噪声系数在4dB^6.5dB之间,由此得到的最小等... 详细信息

采用0.5μm GaAs PHEMT工艺研制了一种单电源偏置光接收机跨阻抗前置放大器.放大器-3dB带宽约为9.5GHz;在50MHz^7.5GHz范围内,跨阻增益为43.5±1.5dBΩ,输入输出回波损耗均小于-10dB;带内噪声系数在4dB^6.5dB之间,由此得到的最小等效输入噪声电流密度约为17.6pA/Hz;输入12Gb/s NRI伪随机序列时,放大器输出眼图清晰,眼开良好.

关键词： PHEMT 跨阻抗前置放大器

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GaN MSM型紫外探测器

GaN MSM型紫外探测器

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2007年全国微波毫米波会议

作者：姜文海陈辰李忠辉周建军董逊南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室

采用以MOCVD设备生长的宽带隙非故意掺杂的n-GaN材料制备了金属-半导体-金属型的紫外光电探测器。在1.5V偏压下具有陡峭的截止边,表现出可见盲特性,其响应度为0.71A/W,峰值在362nm处,紫外/可见抑制比接近10～3。通过击穿单侧肖特基结对... 详细信息

采用以MOCVD设备生长的宽带隙非故意掺杂的n-GaN材料制备了金属-半导体-金属型的紫外光电探测器。在1.5V偏压下具有陡峭的截止边,表现出可见盲特性,其响应度为0.71A/W,峰值在362nm处,紫外/可见抑制比接近10～3。通过击穿单侧肖特基结对另一侧的肖特基结进行了测试,并以此对器件的工作方式和设计优化进行了分析。

关键词：紫外探测器可见盲宽带隙

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C波段窄带腔体滤波器设计

C波段窄带腔体滤波器设计

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2007年全国微波毫米波会议

作者：张华孙健陶若燕南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室

本文对同轴腔体滤波器的电磁结构模型进行了理论分析,得出计算谐振腔体间耦合系数的公式,以及谐振单元本征值等关键参数,并应用三维电磁仿真软件进行分析、优化,最后对滤波器实物进行测试,实测与仿真结果吻合。与传统的C波段腔体、波导... 详细信息

本文对同轴腔体滤波器的电磁结构模型进行了理论分析,得出计算谐振腔体间耦合系数的公式,以及谐振单元本征值等关键参数,并应用三维电磁仿真软件进行分析、优化,最后对滤波器实物进行测试,实测与仿真结果吻合。与传统的C波段腔体、波导窄带带通滤波器相比,该同轴腔体滤波器实现了小型化。

关键词：窄带同轴腔体滤波器全波分析耦合系数本征值

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单片集成GaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管

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电子与封装 2009年第6期9卷 29-32页

作者：章军云林罡陈堂胜南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016

介绍了单片集成GaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺。借助栅金属的热处理过程,形成了热稳定性良好的Pt/Ti/Pt/Au栅。AFM照片结果表明Pt金属膜表面非常平整,2nm厚度膜的粗糙度RMS仅为0.172nm。通过实验,我们还得出第一层P... 详细信息

介绍了单片集成GaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺。借助栅金属的热处理过程,形成了热稳定性良好的Pt/Ti/Pt/Au栅。AFM照片结果表明Pt金属膜表面非常平整,2nm厚度膜的粗糙度RMS仅为0.172nm。通过实验,我们还得出第一层Pt金属膜的厚度和退火后的下沉深度比大概为1∶2。制作的增强型/耗尽型PHEMT的阈值电压(定义于1mA/mm)、最大跨导、最大饱和漏电流密度、电流增益截止频率分别是+0.185/-1.22V、381.2/317.5mS/mm、275/480mA/mm、38/34GHz。增强型器件在4英寸圆片上的阈值电压标准差为19mV。

关键词：单片集成增强型阈值电压

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高功率GaN微波功率放大模块及其应用

高功率GaN微波功率放大模块及其应用

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2010’全国半导体器件技术研讨会

作者：唐世军徐永刚陈堂胜任春江钟世昌陈辰南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室

采用GaN微波功率HEMT 0.4 mm和2 mm管芯,应用GaAs匹配电路实现C波段微波功率模块。该器件研制中采用两级放大电路,正负电源结构,在5.5 GHz,28 V工作电压下,饱和输出功率达到了14 W,此时功率增益为20 dB、功率附加效率(PAE)为46%。实现... 详细信息

采用GaN微波功率HEMT 0.4 mm和2 mm管芯,应用GaAs匹配电路实现C波段微波功率模块。该器件研制中采用两级放大电路,正负电源结构,在5.5 GHz,28 V工作电压下,饱和输出功率达到了14 W,此时功率增益为20 dB、功率附加效率(PAE)为46%。实现了低电流、高效、高可靠性、可实用的功率模块。

关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管功率放大模块

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SiC基AlGaN/GaN HEMTs外延工艺研究

SiC基AlGaN/GaN HEMTs外延工艺研究

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：李忠辉董逊任春江李亮焦刚陈辰陈堂胜南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室

利用MOCVD研究了SiC衬底AlGaN/GaN HEMTs材料外延生长工艺。所研制GaNHEMTs外延材料的2DEG方块电阻不均匀性约为2%,n×μ达到2.2×10/V·s（室温）。采用上述材料制作1 mm栅宽HEMTs器件,8 GHz、45 V工作时输出功率密度10.52... 详细信息

利用MOCVD研究了SiC衬底AlGaN/GaN HEMTs材料外延生长工艺。所研制GaNHEMTs外延材料的2DEG方块电阻不均匀性约为2%,n×μ达到2.2×10/V·s（室温）。采用上述材料制作1 mm栅宽HEMTs器件,8 GHz、45 V工作时输出功率密度10.52 W/mm,功率增益7.62 dB,功率附加效率45.8%,表明该外延材料具有较好的微波应用潜力。

关键词：碳化硅氮化镓高电子迁移率晶体管

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SiC半导体探测器性能测量研究

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核电子学与探测技术 2012年第12期32卷 1372-1375,1427页

作者：蒋勇范晓强荣茹吴建柏松李理中国工程物理研究院核物理与化学研究所四川绵阳621900 四川大学原子与分子物理研究所四川成都610065 南京电子器件研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室江苏南京210016

采用241Am-α粒子源测量了研制的SiC半导体探测器的上升时间、脉冲幅度以及能量分辨率等性能,计算了空气和肖特基Ni/Au层厚度对α粒子的能量损失,测量了抽真空和加不同偏压等条件对SiC探测器性能的影响。计算表明:0.8 cm的空气层对α粒... 详细信息

采用241Am-α粒子源测量了研制的SiC半导体探测器的上升时间、脉冲幅度以及能量分辨率等性能,计算了空气和肖特基Ni/Au层厚度对α粒子的能量损失,测量了抽真空和加不同偏压等条件对SiC探测器性能的影响。计算表明:0.8 cm的空气层对α粒子有20%的能量损失,3.5μm的肖特基Au层对α粒子有39%的能量损失。在1 700 Pa的低真空环境中、350 V偏压下SiC探测器达到最佳工作条件,此时探测器的上升时间为76.9 ns,输出幅度为22.8 mV,能量分辨率为13.7%。采用更薄肖特基金属镀层(≤0.1μm)可制备出更高能量分辨率的SiC探测器。

关键词： SiC探测器宽禁带 α粒子能量分辨率

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亚微米GaAs PHEMT器件的结构设计与优化

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微波学报 2007年第1期23卷 52-55页

作者：李拂晓郑惟彬康耀辉黄庆安林罡东南大学MEMS教育部重点实验室江苏省南京市210000 南京电子器件研究所单片集成电路与模块电路国家重点试验室江苏省南京市210000

主要论述了采用POSES软件对亚微米GaAs PHEMT器件进行的结构设计与优化。在结构设计过程中,本文首先简要分析了PHEMT器件的工作原理;然后利用POSES软件数值求解了材料结构和器件性能之间的关系,并根据上述分析结果优化器件结构设计,完... 详细信息

主要论述了采用POSES软件对亚微米GaAs PHEMT器件进行的结构设计与优化。在结构设计过程中,本文首先简要分析了PHEMT器件的工作原理;然后利用POSES软件数值求解了材料结构和器件性能之间的关系,并根据上述分析结果优化器件结构设计,完成流片实验。流片得到的0.25μm GaAs PHEMT器件的性能参数为:跨导gm=440mS/mm、截止频率fT=50GHz、最大振荡频率fmax>80GHz,显示出良好的DC和AC小信号特性。

关键词：砷化镓膺配高电子迁移率晶体管二维电子气

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