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第十一届全国MOCVD学术会议

作者：李忠辉李亮董逊张岚姜文海单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所

利用MOCVD在Si（111）衬底上生长了3英寸无裂纹的GaN外延薄膜和AIGaN/GaN异质结构。通过优化衬底浸润处理时间、AIN层厚度等参数获得了无裂纹的GaN外延薄膜,研究了缓冲层和插入层厚度对AlGaN/GaN异质结电学性质的影响,2DEG的迁移率和浓... 详细信息

利用MOCVD在Si（111）衬底上生长了3英寸无裂纹的GaN外延薄膜和AIGaN/GaN异质结构。通过优化衬底浸润处理时间、AIN层厚度等参数获得了无裂纹的GaN外延薄膜,研究了缓冲层和插入层厚度对AlGaN/GaN异质结电学性质的影响,2DEG的迁移率和浓度分别达到1580cm/Vs和1.0×10cm。

关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管二维电子气

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Si掺杂对MOCVD生长的n型Al0.5Ga0.5N的影响

Si掺杂对MOCVD生长的n型Al0.5Ga0.5N的影响

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：李亮李忠辉董逊周建军孔月婵姜文海陈辰南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室

采用AlN缓冲层技术在蓝宝石衬底上通过MOCVD方法成功制备出0.5μm的Si掺杂AlGaN外延薄膜,并对其电学、光学与结构特性进行了研究。Hall测量表明,在室温下n型AlGaN中的载流子浓度和迁移率分别为1.2×10cm和12 cm/V·s。载流子浓... 详细信息

采用AlN缓冲层技术在蓝宝石衬底上通过MOCVD方法成功制备出0.5μm的Si掺杂AlGaN外延薄膜,并对其电学、光学与结构特性进行了研究。Hall测量表明,在室温下n型AlGaN中的载流子浓度和迁移率分别为1.2×10cm和12 cm/V·s。载流子浓度随Si掺杂量的增加而增大。利用XRD和Raman等测量方法研究了Si掺杂AlGaN薄膜晶格常数c和Raman散射谱随SiH流量的变化。随着SiH流量的增大,AlGaN薄膜的晶格常数c变小同时E声子峰发生红移,这表明掺Si后AlGaN薄膜中的压应力得到了一定程度的弛豫。

关键词： AlGaN Si掺杂金属有机化学气相淀积蓝宝石衬底外延薄膜

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微波单片集成电路技术快速发展

微波单片集成电路技术快速发展

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全国第十二届微波集成电路与移动通信学术会议

作者：邵凯单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所

本文报告了微波单片集成电路(MMIC)在产业和科研两方面的主要进展和发展趋势,分析了大规模应用和高端应用两种不同的技术发展驱动.重点对砷化镓MMIC,硅基MMIC,宽禁带半导体,毫米波高端技术,窄禁带半导体及三维集成等热点作了描述并报告... 详细信息

本文报告了微波单片集成电路(MMIC)在产业和科研两方面的主要进展和发展趋势,分析了大规模应用和高端应用两种不同的技术发展驱动.重点对砷化镓MMIC,硅基MMIC,宽禁带半导体,毫米波高端技术,窄禁带半导体及三维集成等热点作了描述并报告了国内南京电子器件研究所和单片集成电路与模块国家级重点实验室的相应进展情况.

关键词：微波单片集成电路电子器件宽禁带半导体毫米波技术窄禁带半导体

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BST/AlGaN/GaN铁电/半导体异质结构二维电子气研究

BST/AlGaN/GaN铁电/半导体异质结构二维电子气研究

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：孔月婵薛舫时周建军李亮陈辰南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室

采用自洽计算方法对BS/AlGaN/GaN铁电/半导体异质结构中二维电子气进行研究,通过计入铁电极化随电场变化的非线性关系,模拟了对该异质结构进行"极化/退极化"(加负/正偏压)后,由铁电极化偶极子翻转导致的二维电子气浓度的变化... 详细信息

采用自洽计算方法对BS/AlGaN/GaN铁电/半导体异质结构中二维电子气进行研究,通过计入铁电极化随电场变化的非线性关系,模拟了对该异质结构进行"极化/退极化"(加负/正偏压)后,由铁电极化偶极子翻转导致的二维电子气浓度的变化情况。当对BS/AlGaN/GaN异质结构进行"极化"后,BS极化偶极子部分反转使得BST/AlGaN界面处感生高浓度负极化电荷,对二维电子气产生耗尽作用,而由于极化钉扎作用,此时BS的平均极化方向仍与AlGaN中极化方向相同。当对异质结构进行"退极化"后,BST极化偶极子排列与AlGaN中极化方向相同,二维电子气浓度增加。随AlGaN势垒层厚度减小,BST极化对二维电子气的调制作用增强。另外,通过C-V测量方法对BST/AlGaN/GaN样品进行小范围电压扫描发现C-V曲线呈逆时针滞回方向,证实了铁电体极化对二维电子气的调制作用。

关键词：铁电/半导体异质结构极化调制二维电子气

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8bit1．4GS／s模数转换器

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固体电子学研究与进展 2010年第1期30卷 F0003-F0003页

作者：张有涛李晓鹏刘奡张敏钱峰陈辰单片集成电路与模块国家重点实验室南京电子器件研究所南京210016

超高速模数转换器(ADC)是软件无线电、高速数据采集和宽带数字化雷达的关键组成部分.附带校准技术的折叠内插ADC具有等同快闪(FLASH)ADC的高转换速度,是设计超高速ADC的最佳选择,但仍需综合考虑各项指标来时行校准方法设计及芯片架构优化.

关键词：高速模数转换器南京电子器件研究所高速ADC 高速数据采集校准技术软件无线电数字化雷达组成部分

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X-波段AlGaN/GaN HEMT功率MMIC

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固体电子学研究与进展 2007年第3期27卷 F0003-F0003页

作者：陈堂胜张斌焦刚任春江陈辰邵凯杨乃彬单片集成电路与模块国家重点实验室南京电子器件研究所南京210016

AIGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）以其高输出功率密度、高电压工作和易于宽带匹配等优势将成为下一代高频固态微波功率器件。微波功率器件主要有内匹配功率管和功率单片微波集成电路（MMIC）两种结构形式，功率MMIC尽管其研制成本... 详细信息

AIGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）以其高输出功率密度、高电压工作和易于宽带匹配等优势将成为下一代高频固态微波功率器件。微波功率器件主要有内匹配功率管和功率单片微波集成电路（MMIC）两种结构形式，功率MMIC尽管其研制成本相对较高，但功率MMIC可实现宽带匹配，同时功率MMIC的体积较内匹配功率管小得多，

关键词：功率密度 AlGaN/GaN MMIC X-波段 HEMT 高电子迁移率晶体管 AIGaN/GaN 单片微波集成电路

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硅膜RFMEMS开关

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电子工业专用设备 2017年第4期46卷 30-34页

作者：杜国平朱健郁元卫姜理利南京电子器件研究所江苏南京210016 单片集成电路与模块国家重点实验室江苏南京210016

利用静电驱动原理设计了一种新颖的射频硅膜RF MEMS开关,其开关的优点在于:巧妙的运用CPW传输线的地线作为下电极,加大了开关驱动面积,减小了驱动电压;利用硅膜作为结构层,利用硅本身优良的机械特性可提高开关的可靠性;具有静电接触式... 详细信息

利用静电驱动原理设计了一种新颖的射频硅膜RF MEMS开关,其开关的优点在于:巧妙的运用CPW传输线的地线作为下电极,加大了开关驱动面积,减小了驱动电压;利用硅膜作为结构层,利用硅本身优良的机械特性可提高开关的可靠性;具有静电接触式开关低频隔离度的优点。通过流片得到了满意的开关样品,测试结果表明:在DC-6 GHz频率范围内,开关的插入损耗小于0.5 dB,隔离度大于30 dB。

关键词：射频MEMS 开关硅膜

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AlN成核层对MOCVD系统中AlN生长的影响

AlN成核层对MOCVD系统中AlN生长的影响

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第十一届全国MOCVD学术会议

作者：李亮李忠辉董逊周建军孔月婵姜文海陈辰南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室

本文研究了MOCVD系统中AIN成核层对MOCVD系统中AIN外延薄膜生长的影响。通过改变了AIN成核层的生长条件,得到了不同生长温度、反应室压力、NH流量下AIN成核层与AIN薄膜外延生长的关系。

关键词： AIN MOCVD

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Al0.66Ga0.34N日盲紫外光电探测器研究

Al0.66Ga0.34N日盲紫外光电探测器研究

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：姜文海陈辰周建军李忠辉董逊南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室

采用MOCVD生长的高Al含量n-AlGaN制备了金属半导体金属（MSM）结构紫外日盲探测器。材料为非故意掺杂n型,表面无裂缝。经三轴X射线衍射（AXRD）对外延材料进行测试,AlGaN半峰宽（FWHM）为155 arcs,显示了良好的晶体质量。经光谱响应测试... 详细信息

采用MOCVD生长的高Al含量n-AlGaN制备了金属半导体金属（MSM）结构紫外日盲探测器。材料为非故意掺杂n型,表面无裂缝。经三轴X射线衍射（AXRD）对外延材料进行测试,AlGaN半峰宽（FWHM）为155 arcs,显示了良好的晶体质量。经光谱响应测试,探测器存在两个峰值响应,波长分别位于255、365 nm处,说明探测器同时具有日盲探测和双色探测特征。在6 V偏压下255 nm处响应度为0.1 A/W,并以此推算出AlGaN材料的Al含量为0.66。

关键词：金属-半导体-金属日盲探测器半峰宽双色响应度

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S波段SiC MESFET微波功率MMIC

S波段SiC MESFET微波功率MMIC

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：柏松陈刚冯忠钱峰陈征吴鹏任春江李哲洋郑惟彬蒋幼泉陈辰南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室

利用本实验室生长的半绝缘衬底上的4H-SiC外延材料开展了SiC MESFE和MMIC的工艺技术研究。在实现SiC衬底减薄和通孔技术的基础上,采用微带技术以及全套的无源器件,设计并研制了国内第一片SiC微波功率MMIC。研制的SiC MMIC工作频段为S波... 详细信息

利用本实验室生长的半绝缘衬底上的4H-SiC外延材料开展了SiC MESFE和MMIC的工艺技术研究。在实现SiC衬底减薄和通孔技术的基础上,采用微带技术以及全套的无源器件,设计并研制了国内第一片SiC微波功率MMIC。研制的SiC MMIC工作频段为S波段,在1.8～3.4 GHz的频带内小信号增益大于12 dB,漏电压为32 V时带内脉冲输出功率超过5 W。SiCMMIC小信号特性达到了设计预期,但输出功率低于设计值。这是由于受到MIM电容耐压能力的限制,SiC MMIC的工作电压比较低。

关键词：碳化硅金属半导体场效应晶体管微波功率单片微波集成电路

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