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语言

  • 181 篇 中文
检索条件"机构=南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室"
181 条 记 录,以下是151-160 订阅
排序:
2~11GHz GaN HEMT功率MMIC
收藏 引用
固体电子研究与进展 2009年 第1期29卷 F0003-F0003页
作者: 陈辰 张斌 陈堂胜 焦刚 任春江 单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所 南京210016
GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)以其输出功率密度大、工作电压高和输出阻抗高等特点,在微波通信、雷达等领域有着广泛的应用前景,将成为下一代高频固态微波功率器件.
来源: 评论
基于3英寸0.25μm工艺的GaN HEMT宽带功率MMIC
收藏 引用
固体电子研究与进展 2011年 第1期31卷 F0003-F0003页
作者: 张斌 陈堂胜 任春江 余旭明 单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所 南京210016
GaN HEMT具有工作电压高、功率密度大、输出阻抗高、散热性能好等特点,大大扩展了功率MMIC的设计空间。具体表现在:GaN HEMT可工作于高电压下,同样的输出功率工作电流较小,大大简化了系统电源和电磁兼容设计;高密度的输出功率使得... 详细信息
来源: 评论
6 bit 1.8 GS/s模数转换器
收藏 引用
固体电子研究与进展 2009年 第2期29卷 F0003-F0003页
作者: 张有涛 李晓鹏 刘奡 张敏 陈新宇 钱峰 单片集成电路与模块国家级重点实验室 南京电子器件研究所南京210016
超高速模数转换器(ADC)是软件无线电、高速数据采集和宽带数字化雷达的关健组成部分.快闪(SLASH)ADC具有最高的转换速度,是设计超高速ADC的最佳选择,但是其功耗、面积都随分辨率指数增长,且对工艺离散敏感,因此需要综合考虑各项指标来... 详细信息
来源: 评论
S波段280W SiC内匹配脉冲功率管
收藏 引用
固体电子研究与进展 2008年 第2期28卷 -页
作者: 柏松 吴鹏 陈刚 冯忠 李哲洋 林川 蒋幼泉 陈辰 邵凯 单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所 南京210016
现代雷达和通讯系统要求不断地提高微波功率器件的功率、效率以及带宽.SiCMESFET具有高功率密度、高工作电压等优势,成为目前国际上重点研究的微波功率器件之一.
来源: 评论
耐250℃高温的1200 V-5 A 4H-SiC JBS二极管
收藏 引用
固体电子研究与进展 2010年 第2期30卷 F0003-F0003页
作者: 倪炜江 李宇柱 李哲洋 李赞 陈辰 陈效建 南京电子器件研究所 单片集成电路和模块国家级重点实验室南京210016
碳化硅(4H-SiC)材料具有宽带隙、高饱和电子漂移速率和高热导率等优良特性,因此SiC电力电子器件在高功率、大电流、高频率、耐高温和抗辐射等方面相对于Si器件性能要优胜得多,被认为在更高功率、更苛刻环境下有取代Si的非常广泛的应用前景.
来源: 评论
SOI基双线振动式MEMS陀螺仪的工艺研究
SOI基双线振动式MEMS陀螺仪的工艺研究
收藏 引用
中国微米纳米技术学会第十一届学术年会
作者: 吴璟 刘梅 贾世星 朱健 卓敏 南京电子器件研究所,南京,210016 南京电子器件研究所,南京,210016 单片集成电路与模块国家级重点实验室,南京,210016
SOI-MEMS惯性器件是基于SOI(Silicon-on-insulator)衬底的MEMS惯性器件,具有寄生电容小、噪声低、信噪比高、灵敏度优越、体积小、易批量等优点,在国外已广泛应用并实现商用化,如美国AD公司、Tronic’s Microsystems公司等,主要应... 详细信息
来源: 评论
E面耦合窄带波导滤波器的快速设计方法
E面耦合窄带波导滤波器的快速设计方法
收藏 引用
2007年全国微波毫米波会议
作者: 张华 王勇 丁振宇 南京电子器件研究所 单片集成电路与模块国家重点实验室 上海索辰信息科技有限公司
本文描述了一种基于全波综合CAD软件WASP-NET的小型化窄带波导滤波器快速设计方法,通过设定指标要求,由CAD软件自动全波地综合得到初始设计,然后对设计结果进行评估,选出性能和尺寸都符合要求的,进一步,可以用WASP-NET优化,或采用其他... 详细信息
来源: 评论
离子注入工艺在4H-SiC器件中的应用
离子注入工艺在4H-SiC器件中的应用
收藏 引用
第十五届全国化合物半导体材料,微波器件和光电器件学术会议
作者: 李春 陈刚 南京电子器件研究所五中心 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室
介绍了离子注入工艺可在SiC器件中形成欧姆接触,其电阻值经退火后可达到10Ω·cm;同时也可利用离子注入在平面工艺中形成良好的电学隔离,避免工艺复杂化,提高了成品率。最后通过B注入形成边缘终端制作4H-SiC肖特基势垒二极管的例子... 详细信息
来源: 评论
S波段20W单片功率PIN限幅器
收藏 引用
固体电子研究与进展 2009年 第3期29卷 F0003-F0003页
作者: 彭龙新 蒋幼泉 黄子乾 杨立杰 李建平 单片集成电路与模块国家级重点实验室 南京210016 南京电子器件研究所 南京210016
功率GaAs PIN限幅器已广泛地应用于微波系统中,以保护接收支路中的低噪声放大器.
来源: 评论
基于基片集成波导的硅微机械滤波器
收藏 引用
固体电子研究与进展 2010年 第3期30卷 F0003-F0003页
作者: 郁元卫 贾世星 朱健 单片集成电路和模块国家级重点实验室 南京电子器件研究所南京210016
基片集成波导(SIW)结构是在低损耗的基片上利用金属孔构成的波导结构,具有高品质因数、大功率特性和易于集成的优点,是最近微波电路研究的热点技术.滤波器是微波毫米波电路中最常用的器件,使用SIW可以实现高性能滤波器且保持体积小的优点.
来源: 评论