检索结果-内蒙古大学图书馆

2～11GHz GaN HEMT功率MMIC

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固体电子学研究与进展 2009年第1期29卷 F0003-F0003页

作者：陈辰张斌陈堂胜焦刚任春江单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所南京210016

GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)以其输出功率密度大、工作电压高和输出阻抗高等特点,在微波通信、雷达等领域有着广泛的应用前景,将成为下一代高频固态微波功率器件.

关键词：功率密度 MMIC HEMT GaN 高电子迁移率晶体管南京电子器件研究所微波单片集成电路输出阻抗

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基于3英寸0.25μm工艺的GaN HEMT宽带功率MMIC

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固体电子学研究与进展 2011年第1期31卷 F0003-F0003页

作者：张斌陈堂胜任春江余旭明单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所南京210016

GaN HEMT具有工作电压高、功率密度大、输出阻抗高、散热性能好等特点，大大扩展了功率MMIC的设计空间。具体表现在：GaN HEMT可工作于高电压下，同样的输出功率工作电流较小，大大简化了系统电源和电磁兼容设计；高密度的输出功率使得... 详细信息

GaN HEMT具有工作电压高、功率密度大、输出阻抗高、散热性能好等特点，大大扩展了功率MMIC的设计空间。具体表现在：GaN HEMT可工作于高电压下，同样的输出功率工作电流较小，大大简化了系统电源和电磁兼容设计；高密度的输出功率使得芯片面积和器件的封装得以减小；GaN HEMT更高的输出阻抗，扩展了器件工作带宽；

关键词： HEMT 0.25μm工艺功率密度 MMIC GaN 宽带电磁兼容设计输出阻抗

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6 bit 1．8 GS／s模数转换器

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固体电子学研究与进展 2009年第2期29卷 F0003-F0003页

作者：张有涛李晓鹏刘奡张敏陈新宇钱峰单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所南京210016

超高速模数转换器(ADC)是软件无线电、高速数据采集和宽带数字化雷达的关健组成部分.快闪(SLASH)ADC具有最高的转换速度,是设计超高速ADC的最佳选择,但是其功耗、面积都随分辨率指数增长,且对工艺离散敏感,因此需要综合考虑各项指标来... 详细信息

超高速模数转换器(ADC)是软件无线电、高速数据采集和宽带数字化雷达的关健组成部分.快闪(SLASH)ADC具有最高的转换速度,是设计超高速ADC的最佳选择,但是其功耗、面积都随分辨率指数增长,且对工艺离散敏感,因此需要综合考虑各项指标来进行芯片架构优化.

关键词：高速模数转换器 bit GS 高速数据采集软件无线电数字化雷达高速ADC 组成部分

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S波段280W SiC内匹配脉冲功率管

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固体电子学研究与进展 2008年第2期28卷 -页

作者：柏松吴鹏陈刚冯忠李哲洋林川蒋幼泉陈辰邵凯单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所南京210016

现代雷达和通讯系统要求不断地提高微波功率器件的功率、效率以及带宽.SiCMESFET具有高功率密度、高工作电压等优势,成为目前国际上重点研究的微波功率器件之一.

关键词：内匹配脉冲功率 SiC 波段

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耐250℃高温的1200 V-5 A 4H-SiC JBS二极管

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固体电子学研究与进展 2010年第2期30卷 F0003-F0003页

作者：倪炜江李宇柱李哲洋李赞陈辰陈效建南京电子器件研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室南京210016

碳化硅(4H-SiC)材料具有宽带隙、高饱和电子漂移速率和高热导率等优良特性,因此SiC电力电子器件在高功率、大电流、高频率、耐高温和抗辐射等方面相对于Si器件性能要优胜得多,被认为在更高功率、更苛刻环境下有取代Si的非常广泛的应用前景.

关键词：耐高温二极管电力电子器件 SiC 优良特性高热导率漂移速率器件性能

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SOI基双线振动式MEMS陀螺仪的工艺研究

SOI基双线振动式MEMS陀螺仪的工艺研究

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中国微米纳米技术学会第十一届学术年会

作者：吴璟刘梅贾世星朱健卓敏南京电子器件研究所，南京，210016 南京电子器件研究所，南京，210016 单片集成电路与模块国家级重点实验室，南京，210016

SOI-MEMS惯性器件是基于SOI(Silicon-on-insulator)衬底的MEMS惯性器件，具有寄生电容小、噪声低、信噪比高、灵敏度优越、体积小、易批量等优点，在国外已广泛应用并实现商用化，如美国AD公司、Tronic’s Microsystems公司等，主要应... 详细信息

SOI-MEMS惯性器件是基于SOI(Silicon-on-insulator)衬底的MEMS惯性器件，具有寄生电容小、噪声低、信噪比高、灵敏度优越、体积小、易批量等优点，在国外已广泛应用并实现商用化，如美国AD公司、Tronic’s Microsystems公司等，主要应用于集成硅压力传感器、汽车牵引控制系统、摄像机稳定补偿系统、医用仪器等广泛领域。SOI材料结构的特殊性使得它在MEMS领域里具有简化工艺的作用：1.整体仍为单晶硅结构，应力小，抗机械疲劳性能好;***2薄膜功能多种多样，可用于自停止腐蚀层、信号隔离层、释放结构的牺牲层等;3.柔性化设计，量程随硅膜厚度的改变而改变，设计灵活;***与CMOS、IC工艺相通，易于电路集成。

关键词：陀螺仪单晶硅疲劳性能惯性器件压力传感器

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E面耦合窄带波导滤波器的快速设计方法

E面耦合窄带波导滤波器的快速设计方法

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2007年全国微波毫米波会议

作者：张华王勇丁振宇南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室上海索辰信息科技有限公司

本文描述了一种基于全波综合CAD软件WASP-NET的小型化窄带波导滤波器快速设计方法,通过设定指标要求,由CAD软件自动全波地综合得到初始设计,然后对设计结果进行评估,选出性能和尺寸都符合要求的,进一步,可以用WASP-NET优化,或采用其他... 详细信息

本文描述了一种基于全波综合CAD软件WASP-NET的小型化窄带波导滤波器快速设计方法,通过设定指标要求,由CAD软件自动全波地综合得到初始设计,然后对设计结果进行评估,选出性能和尺寸都符合要求的,进一步,可以用WASP-NET优化,或采用其他工具进行对照验证。这种设计方法能够在较短的时间内获得较好的设计结果,是一种值得推广的现代波导滤波器设计方法。

关键词：波导滤波器综合 CAD

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离子注入工艺在4H-SiC器件中的应用

离子注入工艺在4H-SiC器件中的应用

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：李春陈刚南京电子器件研究所五中心南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室

介绍了离子注入工艺可在SiC器件中形成欧姆接触,其电阻值经退火后可达到10Ω·cm;同时也可利用离子注入在平面工艺中形成良好的电学隔离,避免工艺复杂化,提高了成品率。最后通过B注入形成边缘终端制作4H-SiC肖特基势垒二极管的例子... 详细信息

介绍了离子注入工艺可在SiC器件中形成欧姆接触,其电阻值经退火后可达到10Ω·cm;同时也可利用离子注入在平面工艺中形成良好的电学隔离,避免工艺复杂化,提高了成品率。最后通过B注入形成边缘终端制作4H-SiC肖特基势垒二极管的例子说明了离子注入在SiC器件制造过程中所起的重要作用。

关键词：离子注入 4H碳化硅欧姆接触肖特基势垒二极管隔离技术