检索结果-内蒙古大学图书馆

电子显微学报 2006年第2期25卷 97-103页

作者：张琨林罡刘刚田扬超王晓平中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家实验室安徽合肥230026 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室江苏南京210016 中国科学技术大学合肥同步辐射国家实验室安徽合肥230026

电子束光刻是微电子技术领域重要的光刻技术之一,它可以制备特征尺寸10nm甚至更小的图形。随着电子束曝光机越来越多地进入科研领域,它在微纳加工、纳米结构的特性研究和纳米器件的制备等方面都呈现出重要的应用价值。本文以几种常见的... 详细信息

电子束光刻是微电子技术领域重要的光刻技术之一,它可以制备特征尺寸10nm甚至更小的图形。随着电子束曝光机越来越多地进入科研领域,它在微纳加工、纳米结构的特性研究和纳米器件的制备等方面都呈现出重要的应用价值。本文以几种常见的电子束曝光机为例,说明电子束光刻的工作原理和关键技术,并给出一些它在纳米器件和微纳加工方面的应用实例。

关键词：电子束光刻微纳加工纳米器件

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硅基射频微系统三维异构集成技术

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固体电子学研究与进展 2019年第3期39卷 F0003-F0003页

作者：郁元卫张洪泽黄旼朱健张斌单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016 南京电子器件研究所南京210016

南京电子器件研究所根据射频组件芯片化的发展趋势,在国内首先提出了硅基射频微系统架构,在203.2mm(8英寸)硅晶圆上,建立起了TSV射频转接板的设计/工艺能力,通过基于TSV射频转接板的三维异构集成先进工艺技术,制备出硅基首款38GHz异构... 详细信息

南京电子器件研究所根据射频组件芯片化的发展趋势,在国内首先提出了硅基射频微系统架构,在203.2mm(8英寸)硅晶圆上,建立起了TSV射频转接板的设计/工艺能力,通过基于TSV射频转接板的三维异构集成先进工艺技术,制备出硅基首款38GHz异构集成收发芯片,研制出4层硅片堆叠集成的X波段硅基变频芯片,形成了1.0版本的射频微系统工艺规则和多用户流程能力。TSV尺寸(30:200)μm,可以支持4层硅片的圆片级堆叠。该工艺架构在DC-40GHz的微波性能已通过了验证。

关键词：射频微系统异构集成

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7～13 GHz GaAs单片40W限幅低噪声放大器

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固体电子学研究与进展 2017年第5期37卷 F0003-F0003页

作者：彭龙新王溯源凌志健章军云徐波单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016 南京电子器件研究所南京210016

南京电子器件研究所首次研制出7～13GHz连续波40W大功率限幅器＋低噪声放大器集成单片。根据大功率和低噪声要求，将PIN二极管和低噪声PHEMT两种材料集成在同～GaAs衬底上，

关键词：低噪声放大器 GaAs衬底限幅器单片南京电子器件研究所 PIN二极管 PHEMT 大功率

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Ka波段Si基微机械宽带垂直过渡

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微纳电子技术 2008年第12期45卷 712-715页

作者：戴新峰郁元卫贾世星朱健於晓峰丁玉宁南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016 南京电子器件研究所微纳米研发中心南京210016 南京电子器件研究所毫米波电路部南京210016

介绍了一种适用于三维毫米波集成电路的Si基微机械垂直过渡,该垂直过渡是两层0.1mm厚的共面波导传输线通过0.3mm厚中间层,在中间层采用了同轴结构,该同轴结构通过金属化通孔来实现。这一设计原理简单,结构简洁,便于优化设计,具有很宽的... 详细信息

介绍了一种适用于三维毫米波集成电路的Si基微机械垂直过渡,该垂直过渡是两层0.1mm厚的共面波导传输线通过0.3mm厚中间层,在中间层采用了同轴结构,该同轴结构通过金属化通孔来实现。这一设计原理简单,结构简洁,便于优化设计,具有很宽的带宽和平坦的幅度响应。运用三维电磁场仿真软件对该垂直过渡结构进行了建模,并作了优化设计与仿真计算,运用微机械金属化通孔工艺和多层键合工艺研制了样品。在片测试结果表明该样品性能良好,在26.5～34.0GHz该过渡插入损耗小于3.5dB,带内起伏小于2dB。

关键词： Ka波段 Si基微机械三维集成电路宽带垂直过渡热压键合

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毫米波15 W GaAs单片大功率PIN限幅器

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固体电子学研究与进展 2018年第4期38卷 F0003-F0003页

作者：彭龙新李真翟明单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016 南京电子器件研究所南京210016

南京电子器件研究所研制出第一款Ka波段15 WGaAs单片大功率PIN限幅器。根据高频、大功率要求,优化了GaAs PIN二极管的Ⅰ层厚度和表面结构,优化了大、小信号模型。通过调整优化结构,在Φ50mm外延片上,研制出了10 W以上Ka波段大功率PIN限... 详细信息

南京电子器件研究所研制出第一款Ka波段15 WGaAs单片大功率PIN限幅器。根据高频、大功率要求,优化了GaAs PIN二极管的Ⅰ层厚度和表面结构,优化了大、小信号模型。通过调整优化结构,在Φ50mm外延片上,研制出了10 W以上Ka波段大功率PIN限幅器芯片。在33～37 GHz内,测得该限幅器插入损耗约1.3 dB,输入输出驻波≤1.65。

关键词： PIN限幅器大功率单片毫米波南京电子器件研究所 PIN二极管 Ka波段表面结构

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离子注入工艺在4H-SiC器件中的应用

离子注入工艺在4H-SiC器件中的应用

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：李春陈刚南京电子器件研究所五中心210016 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室210016

本文介绍了离了注入工艺可在SiC器件中形成欧姆接触,其电阻值经退火后可达到10-6Ω·cm2[1];同时也可利用离子注入在平面工艺中形成良好的电学隔离,避免工艺复杂化,提高了成品率。最后通过B+离子注入形成边缘终端制作4H-SiC肖特基... 详细信息

本文介绍了离了注入工艺可在SiC器件中形成欧姆接触,其电阻值经退火后可达到10-6Ω·cm2[1];同时也可利用离子注入在平面工艺中形成良好的电学隔离,避免工艺复杂化,提高了成品率。最后通过B+离子注入形成边缘终端制作4H-SiC肖特基势垒二极管的例子说明了离子注入在SiC器件制造过程中所起的重要性。

关键词：离子注入 4H碳化硅器件欧姆接触肖特基势垒二极管隔离技术

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高功率AlGaN/GaN微波功率HEMT

高功率AlGaN/GaN微波功率HEMT

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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：陈堂胜王晓亮焦刚钟世昌任春江陈辰李拂晓南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016 中国科学院半导体研究所北京100083

报告了研制的SiC衬底上的AlGaN/GaN微波功率HEMTs.器件研制中采用凹槽栅和场调制板结构,有效抑制了电流崩塌并提高了器件的击穿电压,提高了器件的微波功率特性.研制的1 mm栅宽器件在8GHz、34V工作电压下,饱和输出功率达到了9.05W,功率... 详细信息

报告了研制的SiC衬底上的AlGaN/GaN微波功率HEMTs.器件研制中采用凹槽栅和场调制板结构,有效抑制了电流崩塌并提高了器件的击穿电压,提高了器件的微波功率特性.研制的1 mm栅宽器件在8GHz、34V工作电压下,饱和输出功率达到了9.05W,功率增益为7.5dB、功率附加效率(PAE)为46％.

关键词：宽禁带半导体 AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管 SiC衬底场板栅挖槽微波功率器件

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砷化镓仍然是微波半导体的主流技术

砷化镓仍然是微波半导体的主流技术

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：邵凯单片集成电路与模块国家级重点实验室中国电子科技集团公司南京电子器件研究所

氮化镓技术的逐步实用化引起了微波半导体业界的高度关注。但是传统的砷化镓除了在手机等大规模市场继续领先之外,在高可靠微波毫米波器件电路、高效毫米波功率放大器等高端应用场合仍然占有优势。因此在未来几年内砷化镓将仍然足微波... 详细信息

氮化镓技术的逐步实用化引起了微波半导体业界的高度关注。但是传统的砷化镓除了在手机等大规模市场继续领先之外,在高可靠微波毫米波器件电路、高效毫米波功率放大器等高端应用场合仍然占有优势。因此在未来几年内砷化镓将仍然足微波半导体的主流技术。文章对南京电子器件研究所的相关研究工作作了介绍。

关键词：砷化镓氮化镓微波半导体毫米波功率放大器

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InP基共振遂穿二极管隔离层厚度对器件I-V特性影响的研究

InP基共振遂穿二极管隔离层厚度对器件I-V特性影响的研究

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2007年全国微波毫米波会议

作者：韩春林张杨曾一平高建峰薛舫时陈辰单片集成电路和模块国家级重点实验室南京电子器件研究所中国科学院半导体研究所

本文对AlAs/InGaAs/InAs共振遂穿二极管(RTD)不同厚度隔离层对器件Ⅰ-Ⅴ特性的影响进行了研究,研究发现器件的峰谷电流密度在负微分电阻区会随着隔离层材料厚度的增加而降低,同时,在一定隔离层厚度范围内峰谷电流比随着隔离层材料厚度... 详细信息

本文对AlAs/InGaAs/InAs共振遂穿二极管(RTD)不同厚度隔离层对器件Ⅰ-Ⅴ特性的影响进行了研究,研究发现器件的峰谷电流密度在负微分电阻区会随着隔离层材料厚度的增加而降低,同时,在一定隔离层厚度范围内峰谷电流比随着隔离层材料厚度的增加而增加。通过优化材料结构,研制出峰谷电流比PVR=20的InP基RTD器件。

关键词：共振遂穿二极管分子束外延隔离层

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新型砷化镓高隔离开关

新型砷化镓高隔离开关

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2010’全国第十三届微波集成电路与移动通信学术会议

作者：李晓鹏王志功许正荣张有涛陈新宇钱峰东南大学射频与光电集成电路研究所南京210096 南京电子器件研究所南京210016 东南大学射频与光电集成电路研究所南京210096 南京电子器件研究所南京210016 南京电子器件研究所南京210016 单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016

基于砷化镓场效应结构的赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)技术和CMOS电荷泵技术，研制开发的射频开关无需外加隔直电容，具有插损低、隔离度高、承受功率大和线性度高等特点。芯片采用GaAs0.5umPHEMT标准工艺线和CMOS高压标准工艺线加工... 详细信息

基于砷化镓场效应结构的赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)技术和CMOS电荷泵技术，研制开发的射频开关无需外加隔直电容，具有插损低、隔离度高、承受功率大和线性度高等特点。芯片采用GaAs0.5umPHEMT标准工艺线和CMOS高压标准工艺线加工实现。测试结果表明，在0.01～4.0GHz频带内，插入损耗≤1.5dB，带内输入输出驻波比≤1.5，4GHz频率处隔离度≥46dB，1dB压缩功率点达到30dBm，IP3超过+54dBm。

关键词：砷化镓高隔离开关场效应结构

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