检索结果-内蒙古大学图书馆

固体电子学研究与进展 2006年第4期26卷 545-549页

作者：李拂晓郑华郑惟彬林罡吴振海黄庆安东南大学MEMS教育部重点实验室南京210096 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016

采用PCM技术对砷化镓0.5μmPHEMT开关工艺关键工艺步骤进行定量严格监控,并对关键工艺节点进行工序能力评价(Cpk),运用统计过程控制(SPC)技术对采集的工艺数据进行分析,实现了开关工艺的稳定受控,工艺水平不断提高,砷化镓单片开关的成... 详细信息

采用PCM技术对砷化镓0.5μmPHEMT开关工艺关键工艺步骤进行定量严格监控,并对关键工艺节点进行工序能力评价(Cpk),运用统计过程控制(SPC)技术对采集的工艺数据进行分析,实现了开关工艺的稳定受控,工艺水平不断提高,砷化镓单片开关的成品率逐步提升;同时采用REM技术对该工艺制作的PHEMT开关器件、无源元件进行可靠性的预先估计,实现了对该标准工艺的可靠性评估。研究数据表明,砷化镓0.5μmPHEMT开关标准工艺PCM成品率达到90%,开发的单片开关和衰减器成品率不低于80%;砷化镓单片开关在最高工作温度85°C、置信度90%下失效率λ小于400Fit,完全满足产品的使用要求。

关键词：砷化镓开关标准工艺

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7.5～9.5GHz AlGaN/GaN HEMT内匹配微波功率管

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固体电子学研究与进展 2007年第2期27卷 159-162,206页

作者：王帅陈堂胜张斌李拂晓陈辰龚敏四川大学物理科学与技术学院微电子学四川省重点实验室成都610064 单片集成电路及模块国家重点实验室南京电子器件研究所南京210016

报道了研制的1mm栅宽的AlGaN/GaN HEMT内匹配微波功率管,在32V漏偏压下在7.5～9.5GHz频率范围内输出功率大于5W,功率附加效率典型值为30%,功率增益大于6dB,带内增益平坦度为±0.4dB,带内最大输出功率为6W。

关键词：铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管内匹配

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E波段3.5 W GaN宽带高功率放大器MMIC

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固体电子学研究与进展 2022年第1期42卷 1-4页

作者：戈勤陶洪琪王维波商德春刘仁福袁思昊南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成与模块电路国家重点实验室南京210016

基于自主开发的100 nm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款工作频段覆盖E波段(60~90 GHz)的宽带高功率放大器芯片。放大器采用密集通孔结构的共源极晶体管,降低寄生效应,提高器件的高频增益。同时采用三级级联拓扑结构,结合紧... 详细信息

基于自主开发的100 nm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款工作频段覆盖E波段(60~90 GHz)的宽带高功率放大器芯片。放大器采用密集通孔结构的共源极晶体管,降低寄生效应,提高器件的高频增益。同时采用三级级联拓扑结构,结合紧凑的微带线宽带匹配电路,在60~92 GHz频率范围内,典型线性增益达到10.4 dB,增益平坦度为±1 dB,输入输出回波损耗小于等于-11 dB。通过行波式功率合成网络,在连续波状态下,芯片全频带内饱和输出功率不低于1.7 W。在64 GHz,最高输出功率达到3.5 W,相应功率增益为8.4 dB,功率附加效率为12.6%。

关键词： GaNHEMT E波段宽带高功率 MMIC

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4 bit相位量化ADC设计与实现

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固体电子学研究与进展 2014年第3期34卷 206-210页

作者：张敏张有涛李晓鹏陈新宇杨磊南京电子器件研究所南京210016 南京国博电子有限公司南京210016 微波毫米波单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016

分析了应用于DRFM系统的4bit相位ADC原理并介绍了一种4bit相位ADC电路结构,该电路采用类似于幅度ADC的Flash拓扑在标准半导体工艺下设计并实现,芯片面积2.3mm×1.7mm,功耗620mW,数字输出满足LVDS电平标准。测试结果显示该ADC瞬时带... 详细信息

分析了应用于DRFM系统的4bit相位ADC原理并介绍了一种4bit相位ADC电路结构,该电路采用类似于幅度ADC的Flash拓扑在标准半导体工艺下设计并实现,芯片面积2.3mm×1.7mm,功耗620mW,数字输出满足LVDS电平标准。测试结果显示该ADC瞬时带宽高于1GHz,动态范围大于26dB。

关键词：模数转换器相位量化数字射频存储器瞬时带宽

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664GHz接收前端技术研究

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微波学报 2015年第S1期31卷 14-17页

作者：姚常飞周明罗运生魏翔张君直南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016 南京电子器件研究所微波毫米波模块电路事业部南京210016

基于X波段源,通过9×2×2次倍频链实现了输出约1-2m W的320-356GHz全固态倍频源。该信号源作为本振信号驱动664GHz接收前端的二次谐波混频器,该混频器采用了有源偏置技术以降低混频器的本振驱动功率和接收机的噪声温度。仿真结... 详细信息

基于X波段源,通过9×2×2次倍频链实现了输出约1-2m W的320-356GHz全固态倍频源。该信号源作为本振信号驱动664GHz接收前端的二次谐波混频器,该混频器采用了有源偏置技术以降低混频器的本振驱动功率和接收机的噪声温度。仿真结果表明,混频二极管在0.3m W本振驱动功率及0.35V直流偏置下,在650-680GHz带宽内,仿真得到的单边带变频损耗小于12d B,666GHz最小损耗为10.8d B。

关键词： GaAs肖特基二极管太赫兹倍频谐波混频

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OEIC台面腐蚀工艺研究

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固体电子学研究与进展 2009年第2期29卷 241-244页

作者：范超栗锐陈堂胜杨立杰冯欧冯忠陈辰焦世龙叶玉堂电子科技大学光电信息学院成都610054 单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016 南京电子器件研究所南京210016

深入研究了牺牲层腐蚀机制,摸索出完整的台面自停止工艺并实际应用于OEIC器件制作。实验中发现了侧蚀、台面变形以及表面清洁等问题。从实验现象着手分析,并由此对工艺进行了改进,采用了新的腐蚀剂和工艺步骤。改进后的工艺解决了上述问... 详细信息

深入研究了牺牲层腐蚀机制,摸索出完整的台面自停止工艺并实际应用于OEIC器件制作。实验中发现了侧蚀、台面变形以及表面清洁等问题。从实验现象着手分析,并由此对工艺进行了改进,采用了新的腐蚀剂和工艺步骤。改进后的工艺解决了上述问题,可以完全满足后续工艺的要求。

关键词：腐蚀自停止光电集成电路台面工艺

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离子注入工艺在4H-SiC器件中的应用

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半导体技术 2008年第S1期33卷 252-255页

作者：李春陈刚南京电子器件研究所五中心南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016

介绍了离子注入工艺可在SiC器件中形成欧姆接触,其电阻值经退火后可达到10-6Ω.cm2;同时也可利用离子注入在平面工艺中形成良好的电学隔离,避免工艺复杂化,提高了成品率。最后通过B+注入形成边缘终端制作4H-SiC肖特基势垒二极管的例子... 详细信息

介绍了离子注入工艺可在SiC器件中形成欧姆接触,其电阻值经退火后可达到10-6Ω.cm2;同时也可利用离子注入在平面工艺中形成良好的电学隔离,避免工艺复杂化,提高了成品率。最后通过B+注入形成边缘终端制作4H-SiC肖特基势垒二极管的例子说明了离子注入在SiC器件制造过程中所起的重要作用。

关键词：离子注入 4H碳化硅欧姆接触肖特基势垒二极管隔离技术

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2．5Gb／s GaAsPIN／PHEMT单片集成光接收机前端

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光电子．激光 2008年第2期19卷 191-195页

作者：焦世龙叶玉堂陈堂胜杨先明李拂晓邵凯吴云峰电子科技大学光电信息学院四川成都610054 单片集成电路与模块国家级重点实验室江苏南京210016 南京电子器件研究所江苏南京210016

采用0.5μm GaAs PHEMT工艺,研制了一种PIN光探测器和分布放大器单片集成850nm光接收机前端。探测器光敏面直径为30μm,电容为0.25pF,10V反向偏压下的暗电流小于20nA。分布放大器-3dB带宽接近20GHz,跨阻增益约46dBΩ;在50MHz^16GHz范围... 详细信息

采用0.5μm GaAs PHEMT工艺,研制了一种PIN光探测器和分布放大器单片集成850nm光接收机前端。探测器光敏面直径为30μm,电容为0.25pF,10V反向偏压下的暗电流小于20nA。分布放大器-3dB带宽接近20GHz,跨阻增益约46dBΩ;在50MHz^16GHz范围内,输入、输出电压驻波比均小于2;噪声系数在3.03~6.50dB之间。单片集成光接收机前端在1.0和2.5Gb/s非归零(NRZ)伪随机二进制序列(PRBS)调制的光信号下得到较为清晰的输出眼图。

关键词： PIN光探测器分布放大器光接收机眼图

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20GHz宽带GaAs PHEMT分布式前置放大器

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电子学报 2007年第5期35卷 955-958页

作者：焦世龙陈堂胜蒋幼泉钱峰李拂晓邵凯叶玉堂电子科技大学光电信息学院四川成都610054 单片集成电路与模块国家级重点实验室江苏南京210016 南京电子器件研究所江苏南京210016

采用0.5μm GaAs PHEMT工艺研制了一种光接收机分布式前置放大器.该放大器-3dB带宽接近20GHz,跨阻增益约46dBΩ;在50MHz^16GHz范围内,输入、输出电压驻波比(VSWR)均小于2;带内噪声系数在3.03~6.5dB之间,平均等效输入噪声电流密度约为14.... 详细信息

采用0.5μm GaAs PHEMT工艺研制了一种光接收机分布式前置放大器.该放大器-3dB带宽接近20GHz,跨阻增益约46dBΩ;在50MHz^16GHz范围内,输入、输出电压驻波比(VSWR)均小于2;带内噪声系数在3.03~6.5dB之间,平均等效输入噪声电流密度约为14.6pA/Hz;在输入10Gb/s非归零(NRZ)伪随机二进制序列(PRBS)信号下,放大器输出眼图清晰,具有12ps的定时抖动和166mV峰峰电压.

关键词： GaAsPHEMT 分布放大器带宽噪声系数眼图

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S波段35WGaN功率MMIC

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固体电子学研究与进展 2011年第6期31卷 532-535页

作者：余旭明洪伟张斌陈堂胜陈辰东南大学毫米波国家重点实验室南京210096 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

报道了一款采用两级拓扑结构的2～4GHz宽带高功率单片微波功率放大器芯片。放大器采用了微带结构,并使用电抗匹配进行设计,重点在于宽带功率效率平坦化设计。经匹配优化后放大器在2～4GHz整个频带内脉冲输出功率大于35W,小信号增益达到2... 详细信息

报道了一款采用两级拓扑结构的2～4GHz宽带高功率单片微波功率放大器芯片。放大器采用了微带结构,并使用电抗匹配进行设计,重点在于宽带功率效率平坦化设计。经匹配优化后放大器在2～4GHz整个频带内脉冲输出功率大于35W,小信号增益达到22dB,在2.4GHz频点处峰值输出功率达到40W,对应的功率附加效率为35%。功率放大器芯片采用0.25μm GaN HEMT76.2mm圆片工艺制造,芯片尺寸为2.7mm×2.3mm。

关键词：铝镓氮/氮化镓氮化镓功率放大器宽带 S波段微波单片集成电路

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