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语言

  • 181 篇 中文
检索条件"机构=南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室"
181 条 记 录,以下是81-90 订阅
排序:
适用于MMIC的功率合成器设计
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电子与封装 2008年 第10期8卷 10-13页
作者: 成海峰 张斌 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室 南京210016
设计了一种适用于对MMIC功率放大器进行合成的新型功率合成器。采用多端口网络理论对功率合成结构进行分析,结合MMIC功放单片的工作特点总结出该功率合成器最重要的设计指标,设计出工作在5GHz^6GHz的16路辐射线型功率合成器。通过测试... 详细信息
来源: 评论
GaN HFET中的噪声
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中国电子科学研究院学报 2009年 第2期4卷 125-131页
作者: 薛舫时 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室 南京210016
从GaN异质结沟道阱中电子状态出发研究了HFET中的噪声产生机理。用沟道阱中子带间散射解释了迁移率起伏引起的1/f噪声。从电子状态转移及不同状态间的跃迁出发解释了各类噪声实验结果。建立了沟道阱能带与HFET噪声性能间的关联。运用正... 详细信息
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GaN HFET的沟道夹断特性和强电场下的电流崩塌
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微纳电子技术 2006年 第10期43卷 453-460,469页
作者: 薛舫时 陈堂胜 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室 南京210016
从自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程出发,研究了纵、横向电场作用下GaNHFET沟道中的电子态和夹断特性。建立了不同异质结构和电场梯度下的电荷控制模型;运用热电子隧穿电流崩塌模型解释了强场电流崩塌的实验结果;强调了沟道夹断特性对... 详细信息
来源: 评论
GaAs单片二极管双平衡混频器
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电子与封装 2010年 第9期10卷 31-33页
作者: 陈坤 彭龙新 李建平 南京电子器件研究所 南京210016 单片集成电路与模块国家重点实验室 南京210016
采用0.25μm的GaAs工艺制作了一款单片二极管双平衡混频器。基于环形二极管双平衡混频器的基本工作原理,提出了LO巴伦与RF巴伦的区别在,并以Marchand巴伦为LO巴伦,以triformer巴伦作为RF巴伦。在优化了局部电路后,再与环形二极管组成... 详细信息
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GaAs Ti/Pt/Au栅PHEMT单片集成电路耐氢能力的提升
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电子与封装 2019年 第3期19卷 30-34页
作者: 彭龙新 邹雷 王朝旭 林罡 徐波 吴礼群 单片集成电路与模块国家重点实验室 南京210016 南京电子器件研究所 南京210016
为提高GaAs Au/Pt/Ti栅PHEMT MMIC放大器耐氢气的能力,提出了在PHEMT栅上加厚Si N钝化层的方法,并通过高温加速氢气试验验证了该方法的有效性。耗尽型D管的钝化层由150 nm加厚到300 nm后,在150℃加速下,耐氢气浓度和耐受时间由原来的140... 详细信息
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微波功率AlGaN/GaN HFET的二维能带和异质结构设计
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中国电子科学研究院学报 2007年 第5期2卷 456-463页
作者: 薛舫时 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室 南京210016
在综述微波功率AlGaN/GaN HFET技术发展趋势基础上,提出了二维异质结能带优化设计的新课题。从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发研究了利用异质界面上的极化电荷来剪裁异质结能带。用极化电荷设计近矩形前势垒能增大高能热电子的隧穿... 详细信息
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高介电BST材料对MIS结构AlGaN/GaN HEMT器件性能的影响
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半导体技术 2008年 第S1期33卷 98-101页
作者: 周建军 张继华 陈堂胜 任春江 焦刚 李忠辉 陈辰 杨传仁 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室 南京210016 电子科技大学微电子与固体电子学院 成都610054
采用衬底同步加热磁控溅射的高介电BST材料作为栅绝缘层,研制了BST/Al GaN/GaNMIS结构HEMT器件。通过对器件直流和高频特性的测试以及与同样厚度Si N MIS结构对比,分析了高介电BST材料作为栅绝缘层对Al GaN/GaN MIS HEMT器件性能的影响... 详细信息
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一种850nm单片集成光接收机前端
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固体电子研究与进展 2007年 第3期27卷 350-355页
作者: 冯欧 冯忠 杨立杰 焦世龙 蒋幼泉 陈堂胜 李拂晓 叶玉堂 南京电子器件研究所GaAs工程中心 南京210016 单片集成电路与模块国家级重点实验室 南京210016 电子科技大学光电信息学院 成都610054
采用0.5μm GaAs PHEMT工艺和台面光刻互连工艺研制了一种850nm光接收机前端单片电路,包括金属-半导体-金属光探测器和跨阻前置放大器。探测器光敏面积约2000μm2,电容小于0.15pF,4V偏压下的暗电流小于14nA。跨阻前置放大器-3dB带宽接近... 详细信息
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高性能半绝缘4H-SiC衬底AlGaN/GaN HEMT
高性能半绝缘4H-SiC衬底AlGaN/GaN HEMT
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第十五届全国化合物半导体材料,微波器件和光电器件学术会议
作者: 任春江 李忠辉 焦刚 钟世昌 董逊 薛舫时 陈辰 陈堂胜 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室
利用南京电子器件研究所的MOCVD设备在半绝缘4H-SiC衬底外延生长了AlGaN/GaN异质结,运用该材料研制了8 GHz输出功率密度10.52 W/mm的HEM器件。非接触霍尔测试表明,经过优化的AlGaN/GaN异质结材料中的二维电子气(2DEG)面密度为1.0×... 详细信息
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GaN HFET的性能退化
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微纳电子技术 2007年 第11期44卷 976-984,1007页
作者: 薛舫时 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室 南京210016
在综述大功率AlGaN/GaN HFET性能退化实验结果的基础上,研究器件退化与电流崩塌间的关联。分析了现有各类器件失效模型的优点和不足之处。通过沟道中强电场和热电子分布的研究,完善了热电子触发产生缺陷陷阱的器件退化模型。使用这一... 详细信息
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