检索结果-内蒙古大学图书馆

固体电子学研究与进展 2008年第3期28卷 372-376页

作者：郑惟彬李拂晓李辉沈亚潘晓枫沈宏昌单片集成电路与模块国家重点试验室南京210016 南京电子器件研究所南京210016

借助于传统的FET等效电路模型,给出了0.25μm GaAs PHEMT的开关模型,并在ICCAP和ADS软件中,完成等效电路参数的提取与优化。通过对单刀单掷(SPST)开关的仿真和测试,表明,在0.1～20 GHz的频域内,其"开"态插入损耗误差、端口1... 详细信息

借助于传统的FET等效电路模型,给出了0.25μm GaAs PHEMT的开关模型,并在ICCAP和ADS软件中,完成等效电路参数的提取与优化。通过对单刀单掷(SPST)开关的仿真和测试,表明,在0.1～20 GHz的频域内,其"开"态插入损耗误差、端口1和端口2的电压驻波比误差分别小于0.3 dB、0.24和0.19;其"关"态隔离度误差、端口1和端口2的电压驻波比误差分别小于1.9 dB、0.12和0.08。文中得到的PHEMT开关模型将有助于控制类单片集成电路的研究与开发。

关键词：砷化镓膺配高电子迁移率晶体管开关模型

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基于蒙特卡罗分析Ⅲ族氮化物输运特性的研究

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固体电子学研究与进展 2009年第2期29卷 162-166页

作者：郑惟彬孔月婵陈堂胜陈辰单片集成电路与模块国家重点试验室南京电子器件研究所南京210016

利用Silvaco软件中的蒙特卡罗算法,详细研究了Ⅲ-氮化物的速-场特性和低场迁移率特性,数值计算了掺杂浓度和晶格温度对-氮化物输运特性的影响。结果表明,在忽略缺陷和表面粗糙度散射的条件下,Ⅲ-氮化物的强场输运特性取决于材料的谷间散... 详细信息

利用Silvaco软件中的蒙特卡罗算法,详细研究了Ⅲ-氮化物的速-场特性和低场迁移率特性,数值计算了掺杂浓度和晶格温度对-氮化物输运特性的影响。结果表明,在忽略缺陷和表面粗糙度散射的条件下,Ⅲ-氮化物的强场输运特性取决于材料的谷间散射,且当掺杂浓度小于1e17cm-3时,杂质对速-场特性的影响可忽略不计;而低场迁移率特性则主要受晶格振动散射和电离杂质散射的影响。此外,根据Ⅲ-氮化物速-场特性的模拟结果,对"速度过冲"效应提出一种新的解释。

关键词：蒙特卡罗法 Ⅲ族氮化物输运特性

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12～15GHz5 W GaAs宽带内匹配功率管及其应用

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固体电子学研究与进展 2008年第3期28卷 360-362,391页

作者：钟世昌周焕文陈堂胜冯军单片集成电路及模块电路国家重点实验室南京210016 南京电子器件研究所南京210016 东南大学信息科学与工程学院南京210096

报道了一种新型的砷化镓宽带高效内匹配功率放大器,它采用集总参数与分布参数相混合的匹配电路形式,取用南京电子器件研究所研制的12 mm功率PHEMT管芯,研制的内匹配功率放大器在12～15 GHz频带内,输出功率大于5 W,功率增益大于6 dB,相... 详细信息

报道了一种新型的砷化镓宽带高效内匹配功率放大器,它采用集总参数与分布参数相混合的匹配电路形式,取用南京电子器件研究所研制的12 mm功率PHEMT管芯,研制的内匹配功率放大器在12～15 GHz频带内,输出功率大于5 W,功率增益大于6 dB,相对带宽为25%,典型功率附加效率为25%。

关键词：砷化镓功率放大器宽带内匹配

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Ku波段60W AlGaN/GaN功率管

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固体电子学研究与进展 2014年第4期34卷 350-353页

作者：钟世昌陈堂胜钱锋陈辰高涛南京电子器件研究所南京210016 单片集成电路及模块电路国家重点实验室南京210016

针对Ku波段60W氮化镓内匹配功率管,开展了内匹配电路的设计、合成以及内匹配电路的测试等研究工作,实现了GaN功率HEMT在Ku波段60W输出功率的内匹配电路,并使整个电路的输入、输出电路阻抗提升至50Ω。该功率管采用南京电子器件研究所研... 详细信息

针对Ku波段60W氮化镓内匹配功率管,开展了内匹配电路的设计、合成以及内匹配电路的测试等研究工作,实现了GaN功率HEMT在Ku波段60W输出功率的内匹配电路,并使整个电路的输入、输出电路阻抗提升至50Ω。该功率管采用南京电子器件研究所研制的两个10.8mm栅宽管芯进行合成,最终研制的GaN Ku波段内匹配功率管在28V漏电压、1ms周期、10%占空比及14.0~14.5GHz频带内输出功率大于60W,最高功率输出66W,带内功率增益大于6dB,最大功率附加效率33.1%,充分显示了GaN功率器件在Ku波段应用的性能优势。

关键词：氮化镓功率管 Ku波段内匹配

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亚微米GaAs PHEMT器件的结构设计与优化

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微波学报 2007年第1期23卷 52-55页

作者：李拂晓郑惟彬康耀辉黄庆安林罡东南大学MEMS教育部重点实验室江苏省南京市210000 南京电子器件研究所单片集成电路与模块电路国家重点试验室江苏省南京市210000

主要论述了采用POSES软件对亚微米GaAs PHEMT器件进行的结构设计与优化。在结构设计过程中,本文首先简要分析了PHEMT器件的工作原理;然后利用POSES软件数值求解了材料结构和器件性能之间的关系,并根据上述分析结果优化器件结构设计,完... 详细信息

主要论述了采用POSES软件对亚微米GaAs PHEMT器件进行的结构设计与优化。在结构设计过程中,本文首先简要分析了PHEMT器件的工作原理;然后利用POSES软件数值求解了材料结构和器件性能之间的关系,并根据上述分析结果优化器件结构设计,完成流片实验。流片得到的0.25μm GaAs PHEMT器件的性能参数为:跨导gm=440mS/mm、截止频率fT=50GHz、最大振荡频率fmax>80GHz,显示出良好的DC和AC小信号特性。

关键词：砷化镓膺配高电子迁移率晶体管二维电子气

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Ku波段20W AlGaN/GaN功率管内匹配技术研究

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电子与封装 2010年第6期10卷 23-25,38页

作者：孙春妹钟世昌陈堂胜任春江焦刚陈辰高涛南京电子器件研究所南京210016 单片集成电路及模块电路国家重点实验室南京210016

文章的主要目的是研究第三代半导体AlGaN/GaN功率管内匹配问题。以设计Ku波段20WGaN器件为例,研究了内匹配电路的设计、合成以及内匹配电路的测试,实现了GaN功率HEMT在Ku波段20W连续波输出功率的内匹配电路,并使整个电路的输入、输出电... 详细信息

文章的主要目的是研究第三代半导体AlGaN/GaN功率管内匹配问题。以设计Ku波段20WGaN器件为例,研究了内匹配电路的设计、合成以及内匹配电路的测试,实现了GaN功率HEMT在Ku波段20W连续波输出功率的内匹配电路,并使整个电路的输入、输出电路阻抗提升至50Ω。最终所研制的AlGaN/GaNKu波段内匹配功率管在11.8GHz～12.2GHz频带内,输出功率大于20W。在12GHz功率增益大于5dB,功率附加效率29.07%,是目前国内关于GaN功率器件在Ku波段连续波输出的最高报道。

关键词： GaN 功率管内匹配

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C波段连续波60W AIGaN/GaN功率管及其应用

C波段连续波60W AIGaN/GaN功率管及其应用

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2013年全国微波毫米波会议

作者：钟世昌陈堂胜景少红任春江陈辰高涛南京电子器件研究所单片集成电路及模块电路国家重点实验室

本文通过设计C波段连续波60W GaN内匹配功率管,研究了内匹配电路的设计、合成以及内匹配电路的测试,实现了GaN功率HEMT在C波段60W连续波输出功率的内匹配电路,并使整个电路的输入、输出电路阻抗提升至50Ω。最终所研制的A1GaN/GGaN C波... 详细信息

本文通过设计C波段连续波60W GaN内匹配功率管,研究了内匹配电路的设计、合成以及内匹配电路的测试,实现了GaN功率HEMT在C波段60W连续波输出功率的内匹配电路,并使整个电路的输入、输出电路阻抗提升至50Ω。最终所研制的A1GaN/GGaN C波段内匹配功率管在28V漏电压,5.3～5.9GHz频带内输出功率大于60W,最高功率输出77.6W,.带内功率增益大于10dB,最大功率附加效率52.9%,充分展示了GaN功率器件在性能上的优势。

关键词： GaN 功率管内匹配功率附加效率

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SiN纳米梁谐振器的制造工艺研究

SiN纳米梁谐振器的制造工艺研究

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中国微米纳米技术学会第十一届学术年会

作者：卓敏朱健刘梅贾世星南京电子器件研究所，南京，210016 南京电子器件研究所，南京，210016 单片集成电路与模块国家级重点试验室，南京，210016

纳米梁谐振器是某一维度上的特征尺度小于100nm纳米级谐振器。纳米梁谐振器以其超小的体积与质量，超低的功耗，超高的灵敏度，体现了NEMS器件的优越性。纳米梁谐振器有望广泛应用于单电子电量、单分子质量等物理量的检测。高灵敏度生... 详细信息

纳米梁谐振器是某一维度上的特征尺度小于100nm纳米级谐振器。纳米梁谐振器以其超小的体积与质量，超低的功耗，超高的灵敏度，体现了NEMS器件的优越性。纳米梁谐振器有望广泛应用于单电子电量、单分子质量等物理量的检测。高灵敏度生物、化学传感器等不同领域。本文研究了纳米级固支梁谐振器的制造工艺技术，研究利用电子束光刻和MEMS工艺相结合的纳米制造技术，开发出干法刻蚀和湿法腐蚀相结合的纳米固支梁结构的制造工艺，形成纳米梁谐振器自上而下的制造工艺技术。

关键词：纳米梁谐振器制造工艺干法刻蚀电子束光刻

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C波段连续波60W AlGaN/GaN功率管及其应用

C波段连续波60W AlGaN/GaN功率管及其应用

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2013年全国微波毫米波会议

作者：钟世昌陈堂胜景少红任春江陈辰高涛南京电子器件研究所南京210016 单片集成电路及模块电路国家重点实验室南京210016 南京电子器件研究所南京210016

本文通过设计C波段连续波60W GaN内匹配功率管,研究了内匹配电路的设计、合成以及内匹配电路的测试,实现了GaN功率HEMT在C波段60W连续波输出功率的内匹配电路,并使整个电路的输入、输出电路阻抗提升至50Ω.最终所研制的AlGaN/GaN C波段... 详细信息

本文通过设计C波段连续波60W GaN内匹配功率管,研究了内匹配电路的设计、合成以及内匹配电路的测试,实现了GaN功率HEMT在C波段60W连续波输出功率的内匹配电路,并使整个电路的输入、输出电路阻抗提升至50Ω.最终所研制的AlGaN/GaN C波段内匹配功率管在28V漏电压,5.3～5.9GHz频带内输出功率大于60W,最高功率输出77.6W,带内功率增益大于10dB,最大功率附加效率52.9％,充分展示了GaN功率器件在性能上的优势.

关键词：氮化镓功率管内匹配电路设计理念输出功率

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