检索结果-内蒙古大学图书馆

作者：李春陈刚南京电子器件研究所五中心210016 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室210016

本文介绍了离了注入工艺可在SiC器件中形成欧姆接触,其电阻值经退火后可达到10-6Ω·cm2[1];同时也可利用离子注入在平面工艺中形成良好的电学隔离,避免工艺复杂化,提高了成品率。最后通过B+离子注入形成边缘终端制作4H-SiC肖特基... 详细信息

本文介绍了离了注入工艺可在SiC器件中形成欧姆接触,其电阻值经退火后可达到10-6Ω·cm2[1];同时也可利用离子注入在平面工艺中形成良好的电学隔离,避免工艺复杂化,提高了成品率。最后通过B+离子注入形成边缘终端制作4H-SiC肖特基势垒二极管的例子说明了离子注入在SiC器件制造过程中所起的重要性。

关键词：离子注入 4H碳化硅器件欧姆接触肖特基势垒二极管隔离技术

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InP基共振遂穿二极管隔离层厚度对器件I-V特性影响的研究

InP基共振遂穿二极管隔离层厚度对器件I-V特性影响的研究

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2007年全国微波毫米波会议

作者：韩春林张杨曾一平高建峰薛舫时陈辰单片集成电路和模块国家级重点实验室南京电子器件研究所中国科学院半导体研究所

本文对AlAs/InGaAs/InAs共振遂穿二极管(RTD)不同厚度隔离层对器件Ⅰ-Ⅴ特性的影响进行了研究,研究发现器件的峰谷电流密度在负微分电阻区会随着隔离层材料厚度的增加而降低,同时,在一定隔离层厚度范围内峰谷电流比随着隔离层材料厚度... 详细信息

本文对AlAs/InGaAs/InAs共振遂穿二极管(RTD)不同厚度隔离层对器件Ⅰ-Ⅴ特性的影响进行了研究,研究发现器件的峰谷电流密度在负微分电阻区会随着隔离层材料厚度的增加而降低,同时,在一定隔离层厚度范围内峰谷电流比随着隔离层材料厚度的增加而增加。通过优化材料结构,研制出峰谷电流比PVR=20的InP基RTD器件。

关键词：共振遂穿二极管分子束外延隔离层

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砷化镓仍然是微波半导体的主流技术

砷化镓仍然是微波半导体的主流技术

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：邵凯单片集成电路与模块国家级重点实验室中国电子科技集团公司南京电子器件研究所

氮化镓技术的逐步实用化引起了微波半导体业界的高度关注。但是传统的砷化镓除了在手机等大规模市场继续领先之外,在高可靠微波毫米波器件电路、高效毫米波功率放大器等高端应用场合仍然占有优势。因此在未来几年内砷化镓将仍然足微波... 详细信息

氮化镓技术的逐步实用化引起了微波半导体业界的高度关注。但是传统的砷化镓除了在手机等大规模市场继续领先之外,在高可靠微波毫米波器件电路、高效毫米波功率放大器等高端应用场合仍然占有优势。因此在未来几年内砷化镓将仍然足微波半导体的主流技术。文章对南京电子器件研究所的相关研究工作作了介绍。

关键词：砷化镓氮化镓微波半导体毫米波功率放大器

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高介电BST材料对MIS结构AlGaN/GaN HEMT器件性能的影响

高介电BST材料对MIS结构AlGaN/GaN HEMT器件性能的影响

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：周建军张继华陈堂胜任春江焦刚李忠辉陈辰杨传仁南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室电子科技大学微电子与固体电子学院

采用衬底同步加热磁控溅射的高介电BS材料作为栅绝缘层,研制了BS/AlGaN/GaNMIS结构HEMT器件。通过对器件直流和高频特性的测试以及与同样厚度SiN MIS结构对比,分析了高介电BST材料作为栅绝缘层对AlGaN/GaN MIS HEMT器件性能的影响。使... 详细信息

采用衬底同步加热磁控溅射的高介电BS材料作为栅绝缘层,研制了BS/AlGaN/GaNMIS结构HEMT器件。通过对器件直流和高频特性的测试以及与同样厚度SiN MIS结构对比,分析了高介电BST材料作为栅绝缘层对AlGaN/GaN MIS HEMT器件性能的影响。使用高介电BST材料作为栅绝缘层可以改善器件的线性特性和跨导特性,提高器件栅的正向工作电压,并有效降低AlGaN/GaN HEMT器件的夹断电压。同时,由于只引入很薄一层高介电材料作为栅绝缘层,器件的高频特性没有显著降低,BST/AlGaN/GaN MIS HEMT器件的电流增益截止频率达到23 GHz。

关键词： AlGaN/GaN HEMT BST MIS 高介电材料

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GaN高电子迁移率晶体管高频噪声特性的研究

GaN高电子迁移率晶体管高频噪声特性的研究

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2011年全国微波毫米波会议

作者：陈勇波周建军徐跃杭国云川徐锐敏电子科技大学电子工程学院单片集成电路和模块国家级重点实验室南京电子器件研究所

本文基于FUKUI噪声模型分析了GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件的高频噪声特性,结果表明GaN HEMT由于具有更高的临界电场和更大的电子饱和速度,与第二代半导体(GaAs等)器件相比具有更优越的噪声潜力。对近十多年来国内外在GaN HEMT低噪... 详细信息

本文基于FUKUI噪声模型分析了GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件的高频噪声特性,结果表明GaN HEMT由于具有更高的临界电场和更大的电子饱和速度,与第二代半导体(GaAs等)器件相比具有更优越的噪声潜力。对近十多年来国内外在GaN HEMT低噪声器件及其低噪声功率放大器单片集成电路(MMIC)方面的研究现状进行了综述,并分析了目前存在的主要问题及其发展趋势。

关键词： GaN 高电子迁移率晶体管(HEMT) 高频噪声低噪声放大器(LNA)

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新型砷化镓高隔离开关

新型砷化镓高隔离开关

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2010’全国第十三届微波集成电路与移动通信学术会议

作者：李晓鹏王志功许正荣张有涛陈新宇钱峰东南大学射频与光电集成电路研究所南京210096 南京电子器件研究所南京210016 东南大学射频与光电集成电路研究所南京210096 南京电子器件研究所南京210016 南京电子器件研究所南京210016 单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016

基于砷化镓场效应结构的赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)技术和CMOS电荷泵技术，研制开发的射频开关无需外加隔直电容，具有插损低、隔离度高、承受功率大和线性度高等特点。芯片采用GaAs0.5umPHEMT标准工艺线和CMOS高压标准工艺线加工... 详细信息

基于砷化镓场效应结构的赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)技术和CMOS电荷泵技术，研制开发的射频开关无需外加隔直电容，具有插损低、隔离度高、承受功率大和线性度高等特点。芯片采用GaAs0.5umPHEMT标准工艺线和CMOS高压标准工艺线加工实现。测试结果表明，在0.01～4.0GHz频带内，插入损耗≤1.5dB，带内输入输出驻波比≤1.5，4GHz频率处隔离度≥46dB，1dB压缩功率点达到30dBm，IP3超过+54dBm。

关键词：砷化镓高隔离开关场效应结构

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4H-SiC外延中的缺陷及其对肖特基二极管的影响

4H-SiC外延中的缺陷及其对肖特基二极管的影响

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：陈刚陈雪兰柏松李哲洋韩平南京大学物理系江苏省光电信息功能材料重点实验室210008 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室210016 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室210016 南京大学物理系江苏省光电信息功能材料重点实验室210008

本文主要研究了4H-SiC外延片中的缺陷对制作出的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的电学性能的影响。SiC的外延生长是通过LPCVD外延设备在偏8°的(0001)Si面4H-SiC单晶片上进行的,衬底材料来自外购,同质生长的SiC外延层掺杂为n型,掺杂浓度... 详细信息

本文主要研究了4H-SiC外延片中的缺陷对制作出的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的电学性能的影响。SiC的外延生长是通过LPCVD外延设备在偏8°的(0001)Si面4H-SiC单晶片上进行的,衬底材料来自外购,同质生长的SiC外延层掺杂为n型,掺杂浓度5×1015cm-3,厚度为10um。通过对外延好的4H-SiC片进行2cm×2cm划片,然后使用扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)及拉曼光谱(raman spectrum)多种测试手段对边长为2cm的方形SiC外延材料的表面形貌、缺陷和晶型进行了分析研究。然后制作了简单的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管,制造的二极管大小是直径110um的圆形;文中简述了制作肖特基势垒二极管的相关工艺流程:通过电学测试得到了性能较好的特性参数为理想因子n=1.24,势垒高度φ=0.87eV,击穿电压在650V 。

关键词： 4H碳化硅外延材料缺陷肖特基二极管电学性能势垒高度拉曼光谱

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4H-SiC外延中的缺陷及其对肖特基二极管的影响

4H-SiC外延中的缺陷及其对肖特基二极管的影响

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：陈刚陈雪兰柏松李哲洋韩平南京大学物理系江苏省光电信息功能材料重点实验室南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室

研究了4H-SiC外延片中的缺陷对制作出的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的电学性能的影响。SiC的外延生长是通过LPCVD外延设备在偏8°的（0001）Si面4H-SiC单晶片上进行的,衬底材料来自外购,同质生长的SiC外延层掺杂为n型,掺杂浓度5×... 详细信息

研究了4H-SiC外延片中的缺陷对制作出的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的电学性能的影响。SiC的外延生长是通过LPCVD外延设备在偏8°的（0001）Si面4H-SiC单晶片上进行的,衬底材料来自外购,同质生长的SiC外延层掺杂为n型,掺杂浓度5×10cm,厚度为10μm。通过对外延好的4H-SiC片进行2cm×2 cm划片,使用扫描电镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）及喇曼光谱多种测试手段对边长为2cm的方形SiC外延材料的表面形貌、缺陷和晶型进行了分析研究,制作了简单的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管,制造的二极管为直径110μm的圆形。简述了制作肖特基势垒二极管的相关工艺流程;通过电学测试得到了性能较好的特性参数为理想因子n=1.24,势垒高度φ=0.87 eV,击穿电压在650 V。

关键词： 4H-SiC 缺陷肖特基二极管理想因子势垒高度测试

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5Gb/s GaAs MSM/PHEMT单片集成光接收机前端

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固体电子学研究与进展 2006年第3期26卷 426-426页

作者：焦世龙陈堂胜蒋幼泉冯欧冯忠杨立杰李拂晓陈辰邵凯叶玉堂电子科技大学光电信息学院成都610054 单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016 南京电子器件研究所南京210016

由光探测器和前置放大器组成的光接收机前端将经过传输通道后发生了衰减和畸变的微弱光信号转变为电压信号并初步放大，是光通信系统的关键环节。相对于混合集成，单片集成将光探测器和前置放大器制作在同一衬底上，二者通过空气桥相连... 详细信息

由光探测器和前置放大器组成的光接收机前端将经过传输通道后发生了衰减和畸变的微弱光信号转变为电压信号并初步放大，是光通信系统的关键环节。相对于混合集成，单片集成将光探测器和前置放大器制作在同一衬底上，二者通过空气桥相连，可以最大程度地减小芯片间互连寄生参数的影响，并提高可靠性、减小体积和降低成本。

关键词：接收机前端单片集成 PHEMT GaAs b/s MSM 前置放大器光探测器

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碳化硅MOSFET栅氧化层可靠性研究

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智能电网 2015年第2期3卷 99-102页

作者：黄润华钮应喜杨霏陶永洪柏松陈刚汪玲刘奥卫能李赟赵志飞单片集成电路和模块国家级重点实验室江苏省南京市210016 国网智能电网研究院北京市昌平区102209 南京电子器件研究所江苏省南京市210016

通过TCAD仿真的方法对器件可靠性与结构设计之间的关系进行分析;对栅极电压和栅氧化层最强电场进行仿真,以对碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)单胞结构参数进行优化;在N... 详细信息

通过TCAD仿真的方法对器件可靠性与结构设计之间的关系进行分析;对栅极电压和栅氧化层最强电场进行仿真,以对碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)单胞结构参数进行优化;在N型碳化硅外延层上制作金属氧化物半导体(metal-oxide-semiconductor,MOS)电容,并且通过对MOS电容进行C-V测试的方法评估Si O2/Si C界面质量。对导带附近界面陷阱密度进行比较。NO退火的样品与干氧氧化样品相比界面质量明显改善,界面态密度小于5×10~11 cm–2e V–1。

关键词：界面态碳化硅金属氧化物半导体(metal-oxide-semiconductor,MOS)电容可

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