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  • 61 篇 期刊文献

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  • 61 篇 电子文献
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  • 1 篇 中国电子科技集团...
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  • 1 篇 江苏省生产力促进...

作者

  • 19 篇 陈堂胜
  • 16 篇 李忠辉
  • 13 篇 孔月婵
  • 11 篇 冯志红
  • 8 篇 郁鑫鑫
  • 7 篇 周建军
  • 6 篇 谯兵
  • 5 篇 蔚翠
  • 4 篇 钱广
  • 4 篇 张东国
  • 4 篇 张立森
  • 4 篇 宋旭波
  • 4 篇 陶然
  • 4 篇 顾国栋
  • 4 篇 郝晓林
  • 4 篇 郭润楠
  • 4 篇 彭大青
  • 4 篇 李传皓
  • 4 篇 陶洪琪
  • 4 篇 杨乾坤

语言

  • 61 篇 中文
检索条件"机构=南京电子器件研究所固态微波器件与电路全国重点实验室"
61 条 记 录,以下是1-10 订阅
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基于3ω法的热导率测试技术研究进展
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工程热物理学报 2025年 第4期46卷 1205-1219页
作者: 李义壮 郭怀新 王瑞泽 孔月婵 陈堂胜 固态微波器件与电路全国重点实验室 南京210016 南京电子器件研究所 南京210016
热导率是反映材料热性能的重要参数,不管是用于散热还是绝热,对材料热导率的准确测试具有重要意义。本文综述一种适应性强、测试便捷、样品制备简单、测试设备成本低的热导率测试方法—3ω法,首先介绍了利用3ω法测试热导率的基本原理;... 详细信息
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一种毫米波双面晶圆的自动化三维测试系统
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固体电子研究与进展 2025年 第1期45卷 94-101页
作者: 杨进 张君直 朱健 黄旼 郁元卫 闫樊钰慧 王留宝 南京电子器件研究所 南京210016 固态微波器件与电路全国重点实验室 南京210016
近年来,随着摩尔定律逐渐放缓,晶上系统(System on wafer, SoW)技术作为最热门的“超越摩尔”技术路线之一,已经成为先进封装领域的研究热点。基于晶上系统技术,将传统的毫米波收发前端阵列组件进行三维重构集成,可实现全新的轻薄化毫... 详细信息
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高温退火对AlN外延材料晶体质量的影响
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固体电子研究与进展 2024年 第2期44卷 167-172页
作者: 罗伟科 王翼 李亮 李传皓 张东国 杨乾坤 彭大青 李忠辉 南京电子器件研究所 南京210016 固态微波器件与电路全国重点实验室 南京210016
采用高温退火技术改善金属有机物化学气相沉积AlN薄膜材料晶体质量。研究发现较低的生长温度下,Al原子迁移能力弱,外延呈岛状生长模式,形成大量的柱状晶粒,晶粒倾斜、扭曲,晶格原子排列混乱,存在大量的位错和层错缺陷;高温退火时晶格发... 详细信息
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用于GaN CMOS集成技术的p型GaN欧姆接触研究
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固体电子研究与进展 2024年 第3期44卷 196-200,251页
作者: 潘传奇 王登贵 周建军 胡壮壮 严张哲 郁鑫鑫 李忠辉 陈堂胜 南京电子器件研究所 南京210016 固态微波器件与电路全国重点实验室 南京210016
通过金属叠层结构、蒸发-合金工艺条件的优化调整,实现了低接触电阻率、高稳定的p型GaN欧姆接触技术,并研究分析了电极金属在合金过程中的扩散行为。测试结果显示,改进后的p型GaN欧姆接触电阻为11.9Ω·mm,比导通电阻率为3.9×1... 详细信息
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0.6~18.0 GHz超宽带低噪声放大器MMIC
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固体电子研究与进展 2024年 第2期44卷 125-130页
作者: 郝翔 王维波 闫俊达 袁巍 韩方彬 陶洪琪 南京电子器件研究所 南京210016 固态微波器件与电路全国重点实验室 南京210016
基于0.15μm GaAs E-pHEMT工艺设计并制备了一款0.6~18.0 GHz的低噪声放大器单片微波集成电路。该放大器使用一级共源共栅结构,通过负反馈实现宽带的匹配设计。同时在共栅晶体管栅极增加到地电容,共源管和共栅管漏极增加峰化电感,以提... 详细信息
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面向脉冲调制器的S波段高效线性MMIC功率放大器
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固体电子研究与进展 2024年 第2期44卷 131-137页
作者: 段佩壮 马明明 李鹏程 郭润楠 庄园 余旭明 陶洪琪 南京电子器件研究所 南京211001 固态微波器件与电路全国重点实验室 南京210016
针对脉冲调制全数字发射机中高速数字信号难以高效驱动射频功率放大器的问题,提出了一种高效线性MMIC功率放大器设计方法。采用连续F类功率放大器提高数字发射机系统的效率,采用三阶互调抵消改善临近饱和线性度。基于南京电子器件研究所... 详细信息
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GaN器件金刚石近结集成热管理技术研究进展
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固体电子研究与进展 2024年 第6期44卷 561-567页
作者: 郭怀新 陈堂胜 孔月婵 李忠辉 李义壮 黄健 固态微波器件与电路全国重点实验室 南京210016 南京电子器件研究所 南京210016
GaN器件大功率及高功率密度的发展受限于其自生热和近结区散热能力引起的器件结温升高问题,导致器件性能严重下降,GaN器件的大功率潜能远未得到发挥,金刚石近结集成热管理技术是解决GaN器件热瓶颈的重要途径。本文详细论述GaN器件近结... 详细信息
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X波段双模功率MMIC设计
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固体电子研究与进展 2023年 第2期43卷 181-186页
作者: 刘新宇 郭润楠 张斌 南京电子器件研究所 南京210016 固态微波器件与电路全国重点实验室 南京210016
基于有源负载调制的多阻抗匹配技术,采用0.25μm GaN HEMT工艺,研制了一款工作在X波段双模功率放大器芯片,使功率放大器在峰值及回退10 dB两种输出功率模式下均具有较高的效率。采用对称双路三级放大拓扑设计,利用多阻抗匹配与电压切换... 详细信息
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高迁移率AlN/GaN/AlN双异质结材料生长及特性研究
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固体电子研究与进展 2023年 第2期43卷 191-196页
作者: 罗伟科 李忠辉 李传皓 杨乾坤 李亮 董逊 彭大青 张东国 南京电子器件研究所 南京210016 固态微波器件与电路全国重点实验室 南京210016
采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)制备了高迁移率AlN/GaN/AlN双异质结材料,实验发现生长温度是影响异质结材料性能的关键,降低生长温度可以减少表面裂纹密度,同时减少界面AlGaN合金形成,提升二维电子气(2DEG)浓度。在1000℃采用脉冲... 详细信息
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增强型p⁃GaN栅HEMT器件的抗辐照性能研究
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固体电子研究与进展 2024年 第3期44卷 201-205页
作者: 胡壮壮 王登贵 李雪 周建军 孔月婵 陈堂胜 固态微波器件与电路全国重点实验室 南京210016 南京电子器件研究所 南京210016
研究应用于宇航领域增强型GaN HEMT器件的抗辐照性能,制备了导通电流为20 A、击穿电压为345 V的增强型p-GaN栅HEMT器件,并分别研究器件抗总剂量效应能力与抗单粒子效应能力。实验结果表明,研制的增强型p-GaN栅HEMT器件在辐照剂量率... 详细信息
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