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作者

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  • 6 篇 李赟
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  • 29 篇 中文
检索条件"机构=南京电子器件研究所宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室"
29 条 记 录,以下是1-10 订阅
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基于国产单晶衬底的150 mm 4H-SiC同质外延技术进展
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固体电子研究与进展 2023年 第2期43卷 147-157页
作者: 赵志飞 王翼 周平 李士颜 陈谷然 李赟 南京电子器件研究所 南京210016 宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室 南210016
高阻断电压、大功率密度、高转化效率是电力电子器件技术持续追求的目标,基于4H-SiC优异的材料特性,在电力电子器件应用方面具有广阔的发展前景。围绕SiC MOSFET器件对外延材料的需求,介绍了国内外主流的SiC外延设备及国产SiC衬底的发展... 详细信息
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比导通电阻2.3 mΩ·cm^(2)的650 V,200 A碳化硅功率MOSFET器件
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固体电子研究与进展 2022年 第5期42卷 341-346页
作者: 李飞飞 陈谷然 应贤炜 黄润华 栗锐 柏松 杨勇 南京电子器件研究所 宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室南京210016
针对电动汽车、光伏、储能等战略性新兴产业对高可靠高效率碳化硅功率MOSFET器件的需求,开展了650 V碳化硅外延结构、芯片JFET区尺寸和掺杂等关键技术研究,研制出比导通电阻2.3 mΩ·cm^(2)的650 V、200 A碳化硅MOSFET。器件在漏极... 详细信息
来源: 评论
重离子引起SiC MOSFET栅氧化物潜在损伤研究
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原子能科学技术 2023年 第12期57卷 2254-2263页
作者: 于庆奎 曹爽 张琛睿 孙毅 梅博 王乾元 王贺 魏志超 张洪伟 张腾 柏松 中国空间技术研究院宇航物资保障事业部 北京100029 国家级抗辐照应用技术创新中心 北京100029 南京电子器件研究所宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室 江苏南京211111
针对空间应用,开展SiC MOSFET单粒子效应试验研究。在加速器上用重离子辐照1200 V SiC MOSFET,离子线性能量传输(LET)在0.26~118 MeV·cm^(2)/mg之间,辐照中被试器件加50~600 V静态漏源偏置电压、栅源短接,实时测量电特性,进行辐照... 详细信息
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SiC MOSFET阈值电压漂移评测方法研究
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固体电子研究与进展 2021年 第4期41卷 313-318页
作者: 吴维丽 刘奥 郭锐 南京电子器件研究所宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室 南京210016
报道了对SiC MOSFET阈值电压漂移评测方法的研究结果。在器件物理层面上分析了造成器件阈值电压发生漂移的原因,MOS界面陷阱、近界面陷阱、固定电荷以及可移动电荷都会影响阈值电压的漂移。为了衡量器件工艺水平,精准评测器件的阈值电... 详细信息
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15 kV/10 A SiC功率MOSFET器件设计及制备
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固体电子研究与进展 2021年 第2期41卷 93-97页
作者: 李士颜 杨晓磊 黄润华 汤伟 赵志飞 柏松 南京电子器件研究所 宽禁带半导体电力电子国家重点实验室南京210016
报道了在150μm厚、掺杂浓度5.0×10^(14)cm^(-3)的外延层上制备15 kV/10 A超高压SiC功率MOSFET器件研究结果。对器件原胞结构开展了仿真优化,基于材料结构、JFET区度和JFET区注入掺杂等条件优化,有效地提升了器件的导通能力,... 详细信息
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超高压碳化硅N沟道IGBT器件的设计与制造
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电子与封装 2022年 第4期22卷 10-15页
作者: 杨晓磊 李士颜 赵志飞 李赟 黄润华 柏松 南京电子器件研究所宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室 南京210016
自主设计和制备了一种耐压超过20 kV的超高压碳化硅(SiC)N沟道绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)器件。通过仿真设计优化了器件结构,同时结合自支撑衬底剥离技术、背面激光退火技术以及载流子寿命提升技术,成功... 详细信息
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18kV/125A碳化硅IGBT器件研制及串联应用关键技术研究
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中国电机工程学报 2023年 第17期43卷 6765-6775页
作者: 邱宇峰 唐新灵 魏晓光 杨霏 潘艳 吴军民 李学宝 赵志斌 顾然 梁琳 杨晓磊 周平 先进输电技术国家重点实验室(智能电网研究院有限公司) 北京市昌平区102209 新能源电力系统国家重点实验室(华北电力大学) 北京市昌平区102206 中电普瑞电力工程有限公司 北京市昌平区102209 强电磁工程与新技术国家重点实验室(华中科技大学) 湖北省武汉市430074 宽禁带半导体电力电子国家重点实验室(南京电子器件研究所) 江苏省南京市210016
高压碳化硅(silicon carbide,SiC)器件因具有耐高压、耐高温、低损耗等优异特性,已成为支撑未来新型电力系统建设的新型电力电子器件。文中基于自主研制的18kV/12.5A高压SiC绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT... 详细信息
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10 kV SiC LBD-MOSFET结构设计与特性研究
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电子科技大学学报 2021年 第4期50卷 520-526页
作者: 文译 陈致宇 邓小川 柏松 李轩 张波 电子科技大学电子科学与工程学院 成都610054 电子科技大学广东电子工程信息研究院 广东东莞523808 南京电子器件研究所宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室 南京210016
针对SiC MOSFET体二极管双极退化效应,该文提出了一种集成低势垒二极管的10 kV SiC MOSFET器件新结构(LBD-MOSFET)。该结构通过在一侧基区上方注入N阱,降低了漏源间的电子势垒,从而在元胞中形成一个低势垒二极管(LBD)。当LBD-MOSFET在... 详细信息
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高压大功率碳化硅电力电子器件研制进展
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科技导报 2021年 第14期39卷 56-62页
作者: 柏松 李士颜 杨晓磊 费晨曦 刘奥 黄润华 杨勇 中国电子科技集团公司第五十五研究所 宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室南京210016
碳化硅电力电子器件已经成为国内外研究和产业化热点,在一些应用领域正在逐步取代硅基电力电子器件。概述了碳化硅材料和器件的特性,即具有高工作电压、高效率、高工作温度等优势。综述了国际上碳化硅电力电子器件技术的发展现状,其中... 详细信息
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新一代SiC功率MOSFET器件研究进展
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人工晶体学报 2020年 第11期49卷 2122-2127页
作者: 柏松 李士颜 费晨曦 刘强 金晓行 郝凤斌 黄润华 杨勇 南京电子器件研究所 宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室南京210016 国扬电子有限公司 扬州225100
自2017年报道SiC(碳化硅)功率金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)技术进展以来,针对器件比导通电阻(RON,SP)高等问题不断优化器件结构设计,本课题组改进关键加工工艺,使1200 V SiC MOSFET的RON,SP从8 mΩ·cm^2降低到4.8 mΩ... 详细信息
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