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  • 32 篇 期刊文献
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  • 33 篇 电子文献
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  • 3 篇 mosfet
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作者

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  • 2 篇 滕鹤松

语言

  • 33 篇 中文
检索条件"机构=南京电子器件研究所宽禁带半导体电力电子国家重点实验室"
33 条 记 录,以下是31-40 订阅
排序:
1200V碳化硅MOSFET设计
收藏 引用
固体电子研究与进展 2016年 第6期36卷 435-438页
作者: 黄润华 陶永洪 柏松 陈刚 汪玲 刘奥 李赟 赵志飞 宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室南京电子器件研究所 南京210016
设计了一种阻断电压大于1 200V的碳化硅(SiC)MOSFET器件。采用有限元仿真的方法对器件的终端电场分布进行了优化。器件采用12μm厚、掺杂浓度为6e15cm-3的N型低掺杂区。终端保护结构采用保护环结构。栅压20V、漏压2V时,导通电流大于13A... 详细信息
来源: 评论
1200V 40A碳化硅肖特基二极管设计
收藏 引用
固体电子研究与进展 2016年 第3期36卷 183-186页
作者: 汪玲 黄润华 刘奥 陈刚 柏松 宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室南京电子器件研究所 南京210016
设计并实现了一种阻断电压为1 200V、正向电流40A的碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)。采用有限元仿真的方法对器件的有源区和终端保护参数进行了优化。器件采用10μm厚度掺杂浓度为6E15cm-3的外延材料,终端保护采用浮空场限制环。正... 详细信息
来源: 评论
3000V 10A 4H-SiC结型场效应晶体管的设计与制造
收藏 引用
固体电子研究与进展 2016年 第3期36卷 187-190页
作者: 刘涛 陈刚 黄润华 柏松 陶永洪 汪玲 刘奥 李赟 赵志飞 宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室南京电子器件研究所 南京210016
介绍了一种常开型高压4H-SiC JFET的仿真与制造工艺。通过仿真对器件结构和加工工艺进行优化,指导下一步的工艺改进。在N+型4H-SiC衬底上生长掺杂浓度(ND)为1.0×1015 cm-3,厚度为50μm的N-外延层,并采用本实验室开发的SiC JFET工... 详细信息
来源: 评论