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作者

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  • 60 篇 李忠辉
  • 49 篇 孔月婵
  • 33 篇 周建军
  • 30 篇 程伟
  • 29 篇 张有涛
  • 28 篇 陆海燕
  • 28 篇 董逊
  • 27 篇 张东国
  • 26 篇 彭大青
  • 25 篇 朱健
  • 25 篇 陶洪琪
  • 22 篇 薛舫时
  • 19 篇 王元
  • 18 篇 孔岑
  • 17 篇 李亮
  • 16 篇 张斌
  • 16 篇 郁元卫
  • 16 篇 倪金玉
  • 15 篇 牛斌

语言

  • 293 篇 中文
检索条件"机构=南京电子器件研究所微波毫米波单片和模块电路重点实验室"
293 条 记 录,以下是121-130 订阅
排序:
GaN HFET中局域电子气产生的动态电流
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固体电子研究与进展 2017年 第4期37卷 149-154页
作者: 薛舫时 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
从不同栅电压下异质结能带和电子气状态研究出发,研究了GaN HFET栅压变化时的异质结充放电过程。通过自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程计算出不同偏置电压下内、外沟道的导带底。引入局域电子气势垒来甄别沟道中的漂移电子气和局域电... 详细信息
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Ku波段GaN一片式收发组件芯片
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固体电子研究与进展 2017年 第1期37卷 1-5,31页
作者: 任春江 彭龙新 戈勤 沈宏昌 潘晓枫 李建平 李忠辉 陈堂胜 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
报道了一款应用于Ku波段的GaN T/R MMIC。该芯片采用0.15μm GaN HEMT器件工艺制造,集成了T/R组件的接收通道和发射通道,芯片面积7.00mm×3.32mm。研制的MMIC集成了5位数字衰减器、5位数字移相器、前级低噪声放大器、后级低噪声放... 详细信息
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InAlGaN超薄势垒层结构高频GaN HEMT器件
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固体电子研究与进展 2017年 第5期37卷 299-302页
作者: 朱广润 孔月婵 张凯 郁鑫鑫 陈堂胜 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
提出了一种基于SiC衬底的高性能InAlGaN/AlN/GaN HEMT器件。采用电子束技术实现栅长为80nm的高深宽比(栅脚高度与栅长的比值)T型栅结构。测试结果表明,超薄势垒层结构对于器件短沟道效应具有较好的抑制作用,在Ids=1mA/mm时器件的DIBL=16... 详细信息
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0.1~2.0 GHz 10W GaN单片行波放大器
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固体电子研究与进展 2017年 第5期37卷 307-311页
作者: 韩程浩 叶川 陶洪琪 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所 南京210096
报道了一款采用0.25μm GaN功率MMIC工艺研制的0.1~2.0 GHz超宽带功率放大器芯片。芯片采用非均匀分布式拓扑结构进行设计。在管芯栅极端设计稳定结构来提高电路的整体稳定性,在漏极端采用阻抗渐变的方式进行电路匹配,从而提高电路的效... 详细信息
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EMMI故障定位和基于故障树的GaAs MMIC失效分析
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固体电子研究与进展 2017年 第5期37卷 333-338页
作者: 王创国 贾洁 周舟 沈宏昌 贾东铭 林罡 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016 南京电子器件研究所 南京210016
首先通过故障树的方式,分析了某6位数控衰减器衰减态翻转速度异常的失效模式和失效机理。把故障树的顶事件2dB衰减态翻转速度异常分为开关管ESD损伤、驱动信号异常、衰减电阻异常、控制端电阻异常4个子事件,经过分析得出翻转速度异常最... 详细信息
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毫米波GaN HEMT器件大信号模型
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固体电子研究与进展 2017年 第2期37卷 73-76页
作者: 陆海燕 周建军 孔月婵 陈堂胜 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
介绍了一种毫米波GaN基HEMT器件大信号等效电路模型。该模型采用SDD的建模方法。提出了I-V及C-V表达式,完成了直流及S参数的拟合,并分析了拟合结果。与18GHz的在片loadpull测试结果比较,模型仿真结果显示输出功率及效率与实测数据基本... 详细信息
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MOCVD脉冲法制备InAlGaN/GaN异质结材料特性研究
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固体电子研究与进展 2017年 第4期37卷 229-233页
作者: 李忠辉 李传皓 彭大青 张东国 罗伟科 李亮 潘磊 杨乾坤 董逊 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
采用MOCVD脉冲供源方法制备了76.2 mm(3英寸)高质量薄势垒层的InAlGaN/GaN异质结材料。通过对样品表面形貌及电学特性等测试,研究了进入反应腔MO源的不同脉冲组合对InAlGaN材料生长的影响,并分析了相关机理。其中等效为InAlN/AlGaN类超... 详细信息
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一种二阶互补滤波与卡尔曼滤波的姿态解算方法设计
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电子工艺技术 2018年 第3期39卷 168-170,178页
作者: 黄镇 张浩磊 刘梅 朱健 南京电子器件研究所 江苏南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 江苏南京210016
AHRS系统中通常采用针对MEMS加速度计与磁强计融合姿态角和陀螺仪输出数据进行Kalman滤波的方法,但是这种方法中MEMS加速度计与磁强计基于MARG方法融合要求载体处于静态状态,否则会出现线加速度带来误差。提出一种互补滤波与卡尔曼滤波... 详细信息
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基于InP HBT工艺的12位8GSps超高速数模转换器设计
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电子元件与材料 2018年 第1期37卷 77-83页
作者: 叶庆国 张有涛 李晓鹏 张翼 南京电子器件研究所 江苏南京210016 南京国博电子有限公司 江苏南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 江苏南京210016 南京邮电大学电子科学与工程学院 江苏南京210046 东南大学毫米波国家重点实验室 江苏南京210096
设计了一种基于0.7μm的In P HBT工艺设计的12位8GSps的电流舵型数模转换器(DAC)。采用双采样技术,将输出采样率提高为时钟频率的两倍。并且将双采样开关与电流开关分离以减小码间串扰。借鉴常开电流源法改进了电流源开关结构。新的结... 详细信息
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基于70nm GaAs MHEMT工艺的W波段低噪声放大器
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固体电子研究与进展 2017年 第2期37卷 94-98页
作者: 吴少兵 王维波 郭方金 高建峰 黄念宁 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
报道了一种采用电子束直写70nm"Y"型栅工艺制备的GaAs MHEMT器件及W波段低噪声放大器。器件的最大跨导可达到1 050mS/mm,最大电流密度可达650mA/mm。通过小信号S参数测试,可外推其电流增益截至频率fT及最大振荡频率fmax分别达... 详细信息
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