咨询与建议

限定检索结果

文献类型

  • 261 篇 期刊文献
  • 32 篇 会议

馆藏范围

  • 293 篇 电子文献
  • 0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

  • 268 篇 工学
    • 247 篇 电子科学与技术(可...
    • 148 篇 材料科学与工程(可...
    • 8 篇 光学工程
    • 6 篇 仪器科学与技术
    • 5 篇 信息与通信工程
    • 4 篇 控制科学与工程
    • 3 篇 机械工程
    • 3 篇 化学工程与技术
    • 3 篇 软件工程
    • 2 篇 电气工程
    • 1 篇 动力工程及工程热...
    • 1 篇 航空宇航科学与技...
  • 16 篇 理学
    • 16 篇 物理学
    • 3 篇 化学

主题

  • 19 篇 氮化镓
  • 15 篇 南京电子器件研究...
  • 15 篇 gan
  • 14 篇 功率放大器
  • 14 篇 太赫兹
  • 12 篇 inp
  • 11 篇 高效率
  • 10 篇 电流崩塌
  • 10 篇 磷化铟
  • 9 篇 高电子迁移率晶体...
  • 9 篇 微波单片集成电路
  • 9 篇 单片微波集成电路
  • 8 篇 dhbt
  • 7 篇 二维电子气
  • 7 篇 金刚石
  • 7 篇 ka波段
  • 6 篇 截止频率
  • 6 篇 局域电子气
  • 6 篇 ku波段
  • 6 篇 mmic

机构

  • 175 篇 南京电子器件研究...
  • 105 篇 微波毫米波单片集...
  • 57 篇 南京电子器件研究...
  • 18 篇 微波毫米波单片集...
  • 13 篇 南京国博电子有限...
  • 11 篇 东南大学
  • 8 篇 南京电子器件研究...
  • 6 篇 中国电子科技集团...
  • 6 篇 南京大学
  • 4 篇 杭州电子科技大学
  • 4 篇 中国电科碳基电子...
  • 3 篇 微波毫米波单片和...
  • 3 篇 南京电子器件研究...
  • 3 篇 南京邮电大学
  • 2 篇 南京电子器件研究...
  • 2 篇 中国科学院大学
  • 2 篇 空军驻江苏地区军...
  • 2 篇 微波毫米波单片集...
  • 2 篇 上海交通大学
  • 2 篇 空军装备部上海局

作者

  • 66 篇 陈堂胜
  • 60 篇 李忠辉
  • 53 篇 chen tangsheng
  • 49 篇 孔月婵
  • 40 篇 kong yuechan
  • 37 篇 li zhonghui
  • 33 篇 周建军
  • 30 篇 程伟
  • 29 篇 张有涛
  • 28 篇 陆海燕
  • 28 篇 董逊
  • 27 篇 张东国
  • 26 篇 cheng wei
  • 26 篇 彭大青
  • 25 篇 朱健
  • 25 篇 陶洪琪
  • 23 篇 zhou jianjun
  • 23 篇 zhang youtao
  • 22 篇 薛舫时
  • 22 篇 tao hongqi

语言

  • 293 篇 中文
检索条件"机构=南京电子器件研究所微波毫米波单片和模块电路重点实验室"
293 条 记 录,以下是121-130 订阅
排序:
S波段35WGaN功率MMIC
收藏 引用
固体电子研究与进展 2011年 第6期31卷 532-535页
作者: 余旭明 洪伟 张斌 陈堂胜 陈辰 东南大学毫米波国家重点实验室 南京210096 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
报道了一款采用两级拓扑结构的2~4GHz宽带高功率单片微波功率放大器芯片。放大器采用了微带结构,并使用电抗匹配进行设计,重点在于宽带功率效率平坦化设计。经匹配优化后放大器在2~4GHz整个频带内脉冲输出功率大于35W,小信号增益达到2... 详细信息
来源: 评论
Ka波段GaN单片低噪声放大器研制
收藏 引用
固体电子研究与进展 2018年 第2期38卷 81-84,94页
作者: 吴少兵 李建平 李忠辉 高建峰 黄念宁 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
报道了Ka波段GaN自偏压低噪声三级放大电路的研制结果。在高Al含量的AlGaN/GaN HEMT外延结构上,采用电子束直写工艺制备了栅长100nm的"T"型栅结构。器件直流测试最大电流密度为1.55A/mm,最大跨导为490mS/mm;小信号测试外推其f... 详细信息
来源: 评论
Ku波段20W GaN功率MMIC
收藏 引用
固体电子研究与进展 2017年 第2期37卷 77-80,98页
作者: 徐波 余旭明 叶川 陶洪琪 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
报道了一款采用三级放大结构的Ku波段高效率GaN功率放大器芯片。放大器设计中通过电路布局优化改善功放芯片内部相位一致性,提高末级晶胞的合成效率,最终实现整个放大器功率及效率的提升。经匹配优化后放大器在14.6~17.0GHz频带内脉冲... 详细信息
来源: 评论
多种添加剂及电流密度对高径深TSV电镀影响研究
收藏 引用
固体电子研究与进展 2021年 第3期41卷 166-170页
作者: 李杰 王雷 姜理利 黄旼 郁元卫 张洪泽 陈聪 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
硅通孔(TSV)填充工艺是三维集成关键技术之一。通过分析对比TSV电镀填充药水光亮剂、整平剂的浓度以及电流密度等对于TSV电镀填充效果的影响,发现在光亮剂浓度10 ml/L、整平剂浓度30 ml/L条件下,填充效果呈底部生长且形貌较好;同时发现... 详细信息
来源: 评论
毫米波MEMS移相器模块用驱动电路研究
收藏 引用
固体电子研究与进展 2019年 第1期39卷 23-27页
作者: 黄镇 朱健 郁元卫 姜理利 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
设计了一种4 bit毫米波MEMS移相器驱动电路,主要由24 bit串并转换电路、高压控制电路和升压电路组成。利用24 bit串并转换电路和高压控制电路,实现了波控机控制系统与MEMS移相器的接口转换,满足毫米波MEMS移相器对正反相驱动电压的要求... 详细信息
来源: 评论
SiN钝化层对GaAs pHEMT低噪声放大器芯片耐氢效应能力的影响
收藏 引用
固体电子研究与进展 2018年 第5期38卷 329-332,342页
作者: 贾东铭 张磊 彭龙新 林罡 邹雷 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
对两种不同钝化层状态的LNA芯片在不同氢气浓度下进行150℃、105h加速寿命试验。漏极电流监控曲线表明,加厚SiN钝化层器件在20%氢气浓度试验后仅下降约0.8%,试验前后电性能基本不变。通过加厚SiN钝化层有效提升了GaAs pHEMT低噪声放大... 详细信息
来源: 评论
GaAs/Si晶圆片键合偏差及影响因素研究
收藏 引用
固体电子研究与进展 2021年 第1期41卷 10-13,40页
作者: 郭怀新 戴家赟 潘斌 周书同 孔月婵 陈堂胜 朱健 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016 南京电子器件研究所 南京210016
针对化合物半导体与Si基晶圆异质集成中的热失配问题,利用有限元分析方法开展GaAs半导体与Si晶片键合匹配偏差及影响因素研究,建立了101.6 mm(4英寸)GaAs/Si晶圆片键合匹配偏差评估的三维仿真模型,研究了不同键合结构和工艺对GaAs/Si晶... 详细信息
来源: 评论
一种Ku波段硅基MEMS隔离器设计
收藏 引用
固体电子研究与进展 2019年 第5期39卷 381-385页
作者: 陶子文 孙俊峰 朱健 郁元卫 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
设计了一种Ku波段MEMS隔离器。该隔离器的微波铁氧体嵌入放置在MEMS工艺制作的硅腔体内,内导体和负载电阻以及接地孔采用MEMS工艺制作在高阻硅片上,最后利用集成封装技术实现铁氧体、磁钢、硅芯片等单元的有机结合,形成整体结构。该结... 详细信息
来源: 评论
星载高可靠性Ku波段GaN功率放大器芯片
收藏 引用
固体电子研究与进展 2023年 第1期43卷 16-20页
作者: 肖玮 金辉 余旭明 陶洪琪 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
基于星载高可靠性的应用背景,采用0.20μm GaN HEMT工艺研制了一款12 V工作电压的Ku频段功率放大器芯片。利用电热结合的分析方法,确定了管芯结构及工作电压。基于Load-pull测试获得GaN HEMT管芯的最佳输出功率和最佳效率阻抗,设计了一... 详细信息
来源: 评论
基于50 nm AlN/GaN异质结的G波段放大器
收藏 引用
固体电子研究与进展 2019年 第3期39卷 155-158,193页
作者: 张政 焦芳 吴少兵 张凯 李忠辉 陆海燕 陈堂胜 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
报道了基于50nm栅工艺的AlN/GaN异质结的G波段器件结果。在AlN/GaNHEMT外延结构上,采用电子束直写工艺制备了栅长50nm的"T"型栅结构。器件直流测试最大漏电流为2.1A/mm,最大跨导为700mS/mm;小信号测试外推其电流增益截止频率... 详细信息
来源: 评论