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作者

  • 66 篇 陈堂胜
  • 60 篇 李忠辉
  • 49 篇 孔月婵
  • 33 篇 周建军
  • 30 篇 程伟
  • 29 篇 张有涛
  • 28 篇 陆海燕
  • 28 篇 董逊
  • 27 篇 张东国
  • 26 篇 彭大青
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  • 25 篇 陶洪琪
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  • 19 篇 王元
  • 18 篇 孔岑
  • 17 篇 李亮
  • 16 篇 张斌
  • 16 篇 郁元卫
  • 16 篇 倪金玉
  • 15 篇 牛斌

语言

  • 293 篇 中文
检索条件"机构=南京电子器件研究所微波毫米波单片和模块电路重点实验室"
293 条 记 录,以下是131-140 订阅
排序:
C波段高效率GaN HEMT功率放大器
收藏 引用
固体电子研究与进展 2017年 第6期37卷 379-383页
作者: 孙嘉庆 郑惟彬 钱峰 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
通过负载牵引测试验证了源端二次谐波对器件效率的影响,同时又进一步验证了输出谐波匹配对放大器的作用。基于此结果,研制了两款采用0.25μm工艺的GaN功率MMIC 4.0~5.6GHz高效率放大器芯片,芯片采用二级放大的结构。第一款输出级只考虑... 详细信息
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Ku波段20W GaN功率MMIC
收藏 引用
固体电子研究与进展 2017年 第2期37卷 77-80,98页
作者: 徐波 余旭明 叶川 陶洪琪 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
报道了一款采用三级放大结构的Ku波段高效率GaN功率放大器芯片。放大器设计中通过电路布局优化改善功放芯片内部相位一致性,提高末级晶胞的合成效率,最终实现整个放大器功率及效率的提升。经匹配优化后放大器在14.6~17.0GHz频带内脉冲... 详细信息
来源: 评论
X波段100W GaAs单片大功率PIN限幅器
收藏 引用
固体电子研究与进展 2017年 第2期37卷 99-102,139页
作者: 彭龙新 李真 徐波 凌志健 李光超 彭劲松 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016 南京电子器件研究所 南京210016
在101.6mm(4英寸)外延片上,研制出了大功率PIN限幅器芯片。根据大功率要求,优化了GaAs PIN二极管的I层厚度和表面结构,建立了大、小信号模型,通过优化设计,使限幅器既能承受100 W的输入功率,又有较低的插损。在8.5~10.5GHz内,测得该限... 详细信息
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InP太赫兹功率放大器芯片
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固体电子研究与进展 2018年 第6期38卷 F0003-F0003页
作者: 孙岩 程伟 陆海燕 王元 王宇轩 孔月婵 陈堂胜 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京电子器件研究所南京210016
太赫兹技术,作为改变未来世界的十大技术之一,具有非常大的技术潜力和应用前景。南京电子 器件研究所基于0.5μm InP DHBT工艺,研制出300GHz太赫兹功率放大器芯片。工作频率:282-315 GHz,小信号增益>15dB,293GHz时输出功率达到5 dBm... 详细信息
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220 GHz InP DHBT单片集成功率放大器
收藏 引用
固体电子研究与进展 2018年 第5期38卷 F0003-F0003页
作者: 孙岩 程伟 陆海燕 王元 王宇轩 孔月婵 陈堂胜 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所 南京210016
南京电子器件研究所开发了0.5μm InP DHBT工艺,器件截止频率达到500 GHz以上,击穿电压大干4V。基于该工艺,研制出220 GHz单片集成功率放大器,饱和输出功率20mW,功率增益大1:10dB。图1和图2分别展示了220 GHz功放的实物图和测试... 详细信息
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InP HBT/Si CMOS 13 GSps 1:16异构集成量化降速芯片
收藏 引用
固体电子研究与进展 2018年 第1期38卷 F0003-F0003页
作者: 吴立枢 程伟 张有涛 王元 李晓鹏 陈堂胜 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
南京电子器件研究所通过外延层转移的方法在国内首次实现了InPHBT与Si MOSFET两种晶体管的单片异构集成,突破了InP HBT外延层转移、三维高密度异构互联、异构集成电路设计等关键技术,研制出13GSps 1:16异构集成量化降速芯片,如图1... 详细信息
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基于GaN功率器件的热仿真技术研究
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固体电子研究与进展 2017年 第3期37卷 176-181页
作者: 郭怀新 韩平 陈堂胜 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京电子器件研究所南京210016 固体微结构物理国家实验室 南京大学南京210093
针对大功率器件散热瓶颈问题,基于GaN功率芯片,利用有限元分析方法开展了芯片近结区热特性模拟方法的研究。建立了芯片近结区散热能力仿真评估的三维理论模型,系统地研究了不同的初始条件、边界条件、晶格热效应及结构理论假设等因素对... 详细信息
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基站应用高线性高效率50 V GaN HEMT
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固体电子研究与进展 2017年 第3期37卷 155-158页
作者: 陈韬 陈志勇 蒋浩 魏星 杨兴 陈新宇 李忠辉 陈堂胜 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京电子器件研究所南京210016 中电科技德清华莹电子有限公司 浙江德清313200 南京国博电子有限公司 南京211153
报道了针对移动通信基站应用的GaN HEMT的研制。通过采用NiAu势垒,降低器件栅极漏电,从而提高器件击穿电压。同时通过优化V型栅,降低了峰值电场,提高器件击穿电压30%以上。GaN HEMT器件设计采用双场板结构,工艺采用0.5μm栅长,工作电压5... 详细信息
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GaN HEMT工艺的X波段发射前端多功能MMIC
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微波学报 2017年 第6期33卷 57-61页
作者: 徐波 戈勤 沈宏昌 陶洪琪 钱峰 中国电子科技集团公司第五十五研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
采用0.25μm Ga N HEMT工艺,研制了一款X波段发射前端多功能MMIC,片上集成了一个单刀双掷(SPDT)开关和一个功率放大器电路。其中SPDT开关采用对称的两路双器件并联结构,功率放大器采用三级放大拓扑结构设计,电路采用电抗匹配方式兼顾输... 详细信息
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一种MEMS开关驱动电路的设计
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电子器件 2017年 第2期40卷 361-365页
作者: 孙俊峰 朱健 李智群 郁元卫 钱可强 南京电子器件研究所 南京210016 东南大学射频与光电集成电路研究所 南京210096 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016 东南大学集成电路学院 南京210096
静电驱动MEMS开关可靠工作需要较高的驱动电压,大多数射频前端系统很难直接提供,因此需要一种实现电压转换和控制的专用芯片,以满足MEMS开关的实用化需要。基于200 V SOI CMOS工艺设计的高升压倍数MEMS开关驱动电路,采用低击穿电压的Coc... 详细信息
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