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  • 293 篇 中文
检索条件"机构=南京电子器件研究所微波毫米波单片和模块电路重点实验室"
293 条 记 录,以下是131-140 订阅
排序:
基于FBAR技术的S波段低插损滤波器
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固体电子研究与进展 2019年 第4期39卷 297-300,305页
作者: 赵洪元 夏燕 王亚宁 朱健 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
研制了基于薄膜体声波技术的S波段低插损带通滤波器。该滤波器芯片典型测试性能为,相对带宽1.3%,插损优于2dB、回波损耗优于-12dB、带外抑制40dB、温漂系数-11×10^-6/℃。该滤波器芯片采用薄膜体声波谐振器(FBAR)作为基本构成单元... 详细信息
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GaN HEMT微波功率管直流和射频加速寿命试验
收藏 引用
固体电子研究与进展 2015年 第3期35卷 217-220 252,252页
作者: 杨洋 徐波 贾东铭 蒋浩 姚实 陈堂胜 钱峰 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
分别选用南京电子器件研究所研制的1.25mm栅宽GaN HEMT和12mm栅宽GaN功率管,对小栅宽器件进行三温直流加速寿命试验,评估其直流工作可靠性,试验结果表明该器件在125℃沟道温度条件下工作的失效率为1.86×10-9/h;对大栅宽器件进行脉... 详细信息
来源: 评论
Ku波段GaN MMIC高线性功率放大器设计
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固体电子研究与进展 2018年 第2期38卷 85-89页
作者: 赵映红 钱峰 郑惟彬 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
设计了一款Ku波段工作频率为13.0~15.5GHz的GaN MMIC高线性功率放大器,采用0.25μm GaN HEMT工艺,电路采用两级放大器的结构。通过两种不同的末级匹配网络的设计,对比分析匹配网络的设计对功率放大器效率与线性度的影响。一种是匹配到... 详细信息
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毫米波GaAs单片限幅低噪声放大器
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固体电子研究与进展 2019年 第3期39卷 169-173页
作者: 贾晨阳 彭龙新 刘昊 凌志健 李建平 韩方彬 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
设计了一款毫米波GaAs单片限幅低噪声放大器。限幅器采用两级反向并联二极管结构,通过优化限幅器匹配电路,增大了限幅器的耐功率,降低了限幅电路的插损。低噪声放大器为四级级联设计,输入端采用最小噪声匹配,偏置电路增加RC串联谐振电路... 详细信息
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X波段100W GaAs单片大功率PIN限幅器
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固体电子研究与进展 2017年 第2期37卷 99-102,139页
作者: 彭龙新 李真 徐波 凌志健 李光超 彭劲松 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016 南京电子器件研究所 南京210016
在101.6mm(4英寸)外延片上,研制出了大功率PIN限幅器芯片。根据大功率要求,优化了GaAs PIN二极管的I层厚度和表面结构,建立了大、小信号模型,通过优化设计,使限幅器既能承受100 W的输入功率,又有较低的插损。在8.5~10.5GHz内,测得该限... 详细信息
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深硅杯湿法腐蚀中金属保护工艺研究
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固体电子研究与进展 2016年 第6期36卷 510-513页
作者: 周峰 朱健 贾世星 焦宗磊 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
提出了一种新的采用聚酯胶膜保护金属图形的硅湿法腐蚀工艺,解决了深硅杯湿法腐蚀中金属保护难题,允许在器件完成有IC工艺后再进行深硅杯湿法腐蚀。通过工艺试验研究,增加贴膜前的预处理和贴膜后的热压等工艺,能够有效延长掩膜的保护... 详细信息
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基于片内热管理应用的碳化硅深孔刻蚀研究
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电子元件与材料 2019年 第9期38卷 99-104页
作者: 黄语恒 郭怀新 孔月婵 陈堂胜 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室
针对传统SiC衬底GaN器件高功率密度工作时的热积累问题,开展基于芯片内部嵌入高热导率材料的GaN器件芯片级热管理技术研究。在实现工艺兼容性的基础上,采用反应离子刻蚀技术对GaN器件有源区下端的SiC衬底进行深孔刻蚀工艺研究,系统地分... 详细信息
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低温GaN插入层对AlGaN/GaN二维电子气特性的改善
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人工晶体学报 2013年 第7期42卷 1406-1409页
作者: 张东国 李忠辉 彭大青 董逊 李亮 倪金玉 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
利用低压MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长了AlGaN/GaN二维电子气(2DEG)材料,在GaN生长中插入一层低温GaN,并研究了低温GaN插入层对二维电子气输运特性的影响。使用原子力显微镜(AFM)和非接触霍尔测试仪测量了材料的表面形貌和电学特性,发... 详细信息
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GaN HFET中的实时能带和电流崩塌(续)
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固体电子研究与进展 2019年 第6期39卷 391-399页
作者: 薛舫时 杨乃彬 郁鑫鑫 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室
从场效应管能带和能带峰耗尽的新概念出发,提出了研究GaN HFET射频工作中实时能带的新课题。运用自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程的能带计算软件详细计算了不同栅压和漏压下的实时稳态能带,由此求出各种实时能带下的局域电子气密度和... 详细信息
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0.1~325 GHz频段InP DHBT器件在片测试结构建模
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红外与毫米波学报 2019年 第3期38卷 345-350,380页
作者: 徐忠超 刘军 钱峰 陆海燕 程伟 周文勇 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路国家级重点实验室 江苏南京210016 杭州电子科技大学教育部射频电路与系统重点实验室 浙江杭州310017
给出了 InP DHBT 器件在片测试用到的开路和短路结构的等效电路模型.模型拓扑结构基于物理结构建立并对其在亚毫米波段的高频寄生进行相对完整的考虑.模型的容性和阻性寄生采用解析提取技术从开路结构低频测试数据中获取.模型的高频趋... 详细信息
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