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作者

  • 66 篇 陈堂胜
  • 60 篇 李忠辉
  • 49 篇 孔月婵
  • 33 篇 周建军
  • 30 篇 程伟
  • 29 篇 张有涛
  • 28 篇 陆海燕
  • 28 篇 董逊
  • 27 篇 张东国
  • 26 篇 彭大青
  • 25 篇 朱健
  • 25 篇 陶洪琪
  • 22 篇 薛舫时
  • 19 篇 王元
  • 18 篇 孔岑
  • 17 篇 李亮
  • 16 篇 张斌
  • 16 篇 郁元卫
  • 16 篇 倪金玉
  • 15 篇 牛斌

语言

  • 293 篇 中文
检索条件"机构=南京电子器件研究所微波毫米波单片和模块电路重点实验室"
293 条 记 录,以下是161-170 订阅
排序:
100mm GaAs PHEMT外延材料生长稳定性控制研究
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人工晶体学报 2015年 第2期44卷 567-570页
作者: 高汉超 尹志军 张朱峰 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
研究了100 mm Ga As赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)外延材料量产的稳定性控制。通过选择控制参数和控制周期,提高了外延材料性能的重复性和稳定性。12个样品方阻的标准差为0.53%,全部偏差1.66%。通过优化生长工艺有效的降低了样品表面颗... 详细信息
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GaN HFET中的陷阱和局域电子
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固体电子研究与进展 2015年 第3期35卷 207-216页
作者: 薛舫时 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
研究了GaN HFET中陷阱的各种行为,发现许多特性不能简单地用陷阱中心俘获带内电子模型来解释。从内、外沟道陷阱密度的巨大差异推出外沟道高密度陷阱不是由陷阱中心俘获带内电子产生的。通过自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程发现栅-漏... 详细信息
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基于0.5μm InP DHBT工艺的100GHz+静态及动态分频器
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固体电子研究与进展 2016年 第4期36卷 347-页
作者: 程伟 张有涛 王元 牛斌 陆海燕 常龙 谢俊领 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所 南京210016
针对超高速数模混合电路方面的应用,南京电子器件研究所开发了76.2 mm(3英寸)0.5μm InP DHBT工艺,器件截止频率达到500 GHz以上,可实现3层布线,工艺剖面图及器件性能如图1示。采用该工艺研制出114 GHz静态分频器以及170 GHz动态分频... 详细信息
来源: 评论
AlGaN/GaN势垒层异质结构与二维电子气密度的相互作用
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固体电子研究与进展 2015年 第1期35卷 1-9页
作者: 薛舫时 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
在忽略二维电子气波函数对势垒层渗透的前提下提出了直接求解无电子势垒层泊松方程来计算势垒层能带的新思路,提出了把势垒层以外的极化电荷、杂质电荷及电子电荷作为势垒层边界上的界面电荷来解势垒层泊松方程的新方法。由此计算出的... 详细信息
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GaN HFET中的局域电子气和瞬态电流谱
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固体电子研究与进展 2015年 第5期35卷 409-419页
作者: 薛舫时 孔月婵 李忠辉 陈堂胜 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
比较了GaN体材料和GaN HFET中陷阱的不同行为,发现后一种陷阱不能简单地用陷阱中心俘获带内电子模型来解释,由此建立起描述沟道电流的新局域电子气模型。运用这一局域电子气新概念解释了实验中观察到的各类瞬态电流谱,说明目前瞬态电流... 详细信息
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f_T/f_(max)>230/290GHZ的超薄势垒InAlGaN/AlN/GaN HEMTs
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固体电子研究与进展 2016年 第2期36卷 171-页
作者: 朱广润 张凯 孔月婵 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所 南京210016
氮化镓(GaN)材料具有大的禁带宽度、高击穿场强、高电子迁移率和高电子饱和速度等优良特性,不仅在微波大功率器件领域有广泛的应用,而且在超高频器件领域具备独特优势。南京电子器件研究所采用高极化强度的超薄InAlGaN势垒层形成InAlGaN... 详细信息
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基于InP DHBT工艺的13 GHz 1:8量化降速电路
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固体电子研究与进展 2016年 第6期36卷 521-页
作者: 程伟 张有涛 李晓鹏 王元 常龙 谢俊领 陆海燕 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所 南京210016
磷化铟双异质结双极型晶体管(InP DHBT)具有高截止频率、高击穿电压(相对Si及SiGe而言)及高器件一致性等优点,适合于超高速、大动态范围数模混合电路的研制,例如美国Keysight公司采样率高达160 GSa/s的数字示波器即采用InP DHBT超高速... 详细信息
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基于功率合成技术的75~115GHz六倍频源
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电子学报 2015年 第9期43卷 1864-1869页
作者: 姚常飞 陈振华 周明 罗运生 许从海 郁建 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 江苏南京210016 南京电子器件研究所微波毫米波模块电路事业部 江苏南京210016 南京信息工程大学电子与信息工程学院 江苏南京210044
本文采用混合集成技术,实现了75~115GHz的w波段六倍频功率合成信号源.其Ku波段输入信号经有源二倍频、功分及放大后,输出两路各约24dBm的Ka波段信号,以驱动75~115GHz三倍频器,变阻二极管基于南京电子器件研究所(NEDI)的GaAs工... 详细信息
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氧等离子体处理对薄势垒增强型AlGaN/GaN HEMT的影响
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固体电子研究与进展 2015年 第4期35卷 307-310,345页
作者: 王哲力 周建军 孔月婵 孔岑 董逊 杨洋 陈堂胜 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
提出了一种利用薄势垒结构制造增强型AlGaN/GaN HEMT的方法。研究了SiN钝化对薄势垒AlGaN/GaN异质结的影响,并利用其控制沟道中的二维电子气密度。具有10nm SiN介质插入层欧姆接触在800℃下退火可以得到较好的接触性能。栅极区域中的Si... 详细信息
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91~98GHz集成单刀单掷开关设计
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固体电子研究与进展 2015年 第6期35卷 513-517,544页
作者: 姚常飞 罗运生 周明 赵博 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
为解决W波段接收机保护开关和发射机调制开关芯片问题,本文基于0.1mm厚50.8mm(2英寸)熔制石英薄膜电路工艺,研制出了W波段PIN二极管SPST开关准单片。为了考察开关性能的一致性,随机抽取了5个SPST开关作了测试,在91~98GHz频率范围内,开... 详细信息
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