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作者

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  • 16 篇 郁元卫
  • 16 篇 倪金玉
  • 15 篇 牛斌

语言

  • 293 篇 中文
检索条件"机构=南京电子器件研究所微波毫米波单片和模块电路重点实验室"
293 条 记 录,以下是171-180 订阅
排序:
SiN钝化对InGaAs/InP双异质结双极性晶体管直流性能的影响
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固体电子研究与进展 2015年 第6期35卷 597-601页
作者: 谢俊领 程伟 王元 常龙 牛斌 陈堂胜 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
研究了SiN钝化对InGaAs/InP双异质结双极性晶体管(DHBT)直流性能的影响。在不同温度和不同气体组分条件下淀积了SiN薄膜,并对钝化器件的性能进行了测量和比较。结果表明,低的淀积温度有利于减小淀积过程对器件的损伤;采用氮气(N_2)和硅... 详细信息
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Ku波段GaN T/R一体多功能MMIC的研制
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固体电子研究与进展 2016年 第3期36卷 257-页
作者: 彭龙新 任春江 戈勤 詹月 沈宏昌 李建平 彭建业 徐波 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016 南京电子器件研究所 南京210016
首次研制了国内第一块Ku波段GaN T/R一体多功能全单片芯片,该芯片集成了T/R的接收通道和发射通道。接收通道含功率输出开关、前级低噪声放大器、5位数字衰减器、后级低噪声放大器、小信号开关和5位数字移相器;发射通道含5位数字移相器... 详细信息
来源: 评论
小型化宽阻带抑制LTCC低通滤波器设计
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固体电子研究与进展 2015年 第2期35卷 156-160页
作者: 郑琨 王子良 戴雷 严蓉 徐利 陈昱晖 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
设计了一款基于低温共烧陶瓷(LTCC)工艺的小型化宽阻带抑制低通滤波器,该滤波器的体积仅为3.2mm×1.6mm×1.0mm。设计时为了增强阻带的抑制作用,以具有一个传输零点的低通滤波器为原型,通过合理设置各个元件的外形及位置,有效... 详细信息
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3C-SiC悬臂结构干法刻蚀研究
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固体电子研究与进展 2015年 第1期35卷 100-103页
作者: 焦宗磊 朱健 王守旭 姜国庆 李赟 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
基于感应离子耦合等离子体(ICP)刻蚀技术,采用SF6和O2作为刻蚀气体,以金属铝和SiO2作为刻蚀掩膜,系统地研究了3C-SiC悬臂结构的加工方法以及掩膜材料对刻蚀悬臂结构的影响。首先采用SF6和O2作为刻蚀气体刻蚀出SiC结构,其次采用SF6气体... 详细信息
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GaN HEMT微波功率管直流和射频加速寿命试验
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固体电子研究与进展 2015年 第3期35卷 217-220 252,252页
作者: 杨洋 徐波 贾东铭 蒋浩 姚实 陈堂胜 钱峰 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
分别选用南京电子器件研究所研制的1.25mm栅宽GaN HEMT和12mm栅宽GaN功率管,对小栅宽器件进行三温直流加速寿命试验,评估其直流工作可靠性,试验结果表明该器件在125℃沟道温度条件下工作的失效率为1.86×10-9/h;对大栅宽器件进行脉... 详细信息
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用于数字相控阵雷达收发组件的0.7~4.0GHz SOI CMOS有源下混频器
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固体电子研究与进展 2015年 第2期35卷 145-149,160页
作者: 陈亮 陈新宇 张有涛 杨磊 南京国博电子有限公司 南京210016 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
基于0.18μm SOI CMOS工艺设计了一款用于数字相控阵雷达的宽带有源下混频器。该混频器集成了射频、本振放大器、Gilbert混频电路、中频放大器以及ESD保护电路。该芯片可以直接差分输出,亦可经过片外balun合成单端信号后输出。射频和本... 详细信息
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基于InP DHBT工艺的140 GHz单片功率放大器
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固体电子研究与进展 2016年 第5期36卷 435-页
作者: 程伟 孙岩 王元 陆海燕 常龙 李骁 张勇 徐锐敏 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所 南京210016 电子科技大学 成都611731
磷化铟双异质结双极型晶体管(InP DHBT)具有超高频、高击穿等优点,在亚毫米波/太赫兹单片集成功率放大器应用方面具有独特优势。南京电子器件研究所基于76.2 mm InP DHBT圆片工艺,在国内首次研制出140 GHz单片集成功率放大器,该电路使... 详细信息
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664GHz接收前端技术研究
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微波学报 2015年 第S1期31卷 14-17页
作者: 姚常飞 周明 罗运生 魏翔 张君直 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室 南京210016 南京电子器件研究所微波毫米波模块电路事业部 南京210016
基于X波段源,通过9×2×2次倍频链实现了输出约1-2m W的320-356GHz全固态倍频源。该信号源作为本振信号驱动664GHz接收前端的二次谐波混频器,该混频器采用了有源偏置技术以降低混频器的本振驱动功率和接收机的噪声温度。仿真结... 详细信息
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基于肖特基二极管的450 GHz二次谐波混频器
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红外与毫米波学报 2015年 第3期34卷 301-306页
作者: 赵鑫 蒋长宏 张德海 孟进 姚常飞 中国科学院空间科学与应用研究中心中国科学院微波遥感技术重点实验室 北京100190 中国科学院大学 北京100190 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 江苏南京210016
为了在亚毫米波波段进行遥感探测,研制了450GHz的二次谐波混频器.混频器的核心部件是一对反向并联的肖特基二极管,长度为74μm,截止频率高达8THz.在石英基片上搭建悬置微带的匹配电路,并采用一分为二的金属腔体.在二极管的仿真中获得二... 详细信息
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225 GHz三倍频器实用设计方法
收藏 引用
红外与毫米波学报 2015年 第2期34卷 190-195页
作者: 孟进 张德海 蒋长宏 赵鑫 姚常飞 中国科学院空间科学与应用研究中心微波遥感重点实验室 北京100190 中国科学院大学 北京100190 南京电子器件研究所微波毫米波模块电路事业部 江苏南京210016
结合国内现有的加工工艺水平,提出自偏置条件下的反向并联二极管对电路结构.不但解决了三倍频器偏置电路加工的难题,而且可以有效实现奇次倍频.同时,利用HFSS和ADS软件,以场路结合的方式准确模拟三倍频器的电特性,考虑到寄生参数引入的... 详细信息
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