检索结果-内蒙古大学图书馆

中国科学：信息科学 2018年第6期48卷 635-649页

作者：潘泰松廖非易姚光王宇轩高敏林媛电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

柔性传感器件因其在医疗健康、人机交互等应用中的巨大前景,受到了广泛关注,也是近年来的研究热点.作为无机功能材料中的一类重要材料,氧化物功能薄膜因其具有丰富的电子学、光学、热学、力学、磁学等方面性质已经在各种电子和光电子器... 详细信息

柔性传感器件因其在医疗健康、人机交互等应用中的巨大前景,受到了广泛关注,也是近年来的研究热点.作为无机功能材料中的一类重要材料,氧化物功能薄膜因其具有丰富的电子学、光学、热学、力学、磁学等方面性质已经在各种电子和光电子器件中得到了广泛的应用.将氧化物功能薄膜应用于柔性传感器件,有望进一步提高柔性传感器件的性能,并为新型柔性传感器件的设计提供材料保障.本文分析了目前氧化物功能薄膜在柔性传感器件中应用所面临的重点科学技术问题,并介绍了近年来在基于氧化物功能薄膜的柔性传感器件所涉及的关键技术和器件应用上的研究进展.

关键词：无机功能材料氧化物功能薄膜柔性器件传感器件

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基于ASM-HEMT的AlGaN/GaN FinFET 器件建模

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固体电子学研究与进展 2019年第4期39卷 245-249,258页

作者：汪流刘军陶洪琪孔月婵南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016 杭州电子科技大学教育部射频电路与系统重点实验室杭州310018

在ASM-HEMT模型的基础上,对GaN FinFET的直流(DC)特性和S参数进行建模.在Keysight ICCAP建模软件中,通过开路和短路去嵌方法对测试结构引入的寄生去嵌.将包含ASM-HEMT模型内核的VA文件导入软件中并调用Keysight ADS仿真器进行仿真.通过... 详细信息

在ASM-HEMT模型的基础上,对GaN FinFET的直流(DC)特性和S参数进行建模.在Keysight ICCAP建模软件中,通过开路和短路去嵌方法对测试结构引入的寄生去嵌.将包含ASM-HEMT模型内核的VA文件导入软件中并调用Keysight ADS仿真器进行仿真.通过调节模型参数并用仿真的结果拟合测试曲线,该模型可以准确表征GaN FinFET器件的DC特性和S参数,证明了ASM-HEMT模型对非平面GaN器件的建模能力.模型的提取和验证采用栅长180nm、栅宽152nm、625个鳍、1个栅指的T-型栅GaN FinFET器件,应用此模型所得DC特性和S参数与测试结果拟合良好.

关键词：氮化镓鳍式晶体管 ASM-高电子迁移率晶体管模型器件建模

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225 GHz三倍频器实用设计方法

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红外与毫米波学报 2015年第2期34卷 190-195页

作者：孟进张德海蒋长宏赵鑫姚常飞中国科学院空间科学与应用研究中心微波遥感重点实验室北京100190 中国科学院大学北京100190 南京电子器件研究所微波毫米波模块电路事业部江苏南京210016

结合国内现有的加工工艺水平,提出自偏置条件下的反向并联二极管对电路结构.不但解决了三倍频器偏置电路加工的难题,而且可以有效实现奇次倍频.同时,利用HFSS和ADS软件,以场路结合的方式准确模拟三倍频器的电特性,考虑到寄生参数引入的... 详细信息

结合国内现有的加工工艺水平,提出自偏置条件下的反向并联二极管对电路结构.不但解决了三倍频器偏置电路加工的难题,而且可以有效实现奇次倍频.同时,利用HFSS和ADS软件,以场路结合的方式准确模拟三倍频器的电特性,考虑到寄生参数引入的影响.设计完成以后,器件加工以及电装过程均在国内完成.测试结果表明在221 GHz处,有最大输出功率3.1 m W,在219~227 GHz频率范围内输出功率均大于2 m W.以上研究为今后设计高效率亚毫米波倍频器提供重要的参考价值.

关键词：三倍频器变容二极管自偏置阻抗匹配

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基片集成波导缝隙式滤波器的设计与实现

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固体电子学研究与进展 2014年第4期34卷 354-356,361页

作者：王元庆丁玉宁刘蕾蕾葛培虎南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016 南京邮电大学南京210003 空军驻江苏地区军事代表室南京210016

基于基片集成波导技术和印刷电路板工艺设计、CST软件模拟,实现了一种四缝隙和五缝隙基片集成波导缝隙式滤波器。仿真结果和实验结果吻合良好。滤波器的中心频率分别为15.85GHz和34GHz,相对3dB带宽为11.9%和12.9%,插损分别为1.4dB和2.9... 详细信息

基于基片集成波导技术和印刷电路板工艺设计、CST软件模拟,实现了一种四缝隙和五缝隙基片集成波导缝隙式滤波器。仿真结果和实验结果吻合良好。滤波器的中心频率分别为15.85GHz和34GHz,相对3dB带宽为11.9%和12.9%,插损分别为1.4dB和2.9dB,且具有良好的选择性。与传统的基片集成波导谐振腔式滤波器相比,这种滤波器可以提供更宽的阻带且便于后期调试。

关键词：基片集成波导缝隙式滤波器印刷电路板

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柔性热管的研究进展与展望

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中国材料进展 2018年第12期37卷 1025-1032,1047页

作者：陶鹏常超郭怀新陈寰贝尚文邓涛上海交通大学材料科学与工程学院金属基复合材料国家重点实验室上海200240 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室江苏南京210016 南京电子器件研究所江苏南京210016

现代电子设备的大功率化、高度集成化、微型化、柔性化发展趋势对先进的热管理材料和技术提出了迫切需求。基于气液相变的热管技术是一种高效的热管理手段,然而传统的刚性热管满足不了复杂结构、狭小空间的微型电子元器件以及可折叠电... 详细信息

现代电子设备的大功率化、高度集成化、微型化、柔性化发展趋势对先进的热管理材料和技术提出了迫切需求。基于气液相变的热管技术是一种高效的热管理手段,然而传统的刚性热管满足不了复杂结构、狭小空间的微型电子元器件以及可折叠电子器件的高性能散热需要,发展新型柔性热管技术有望克服上述问题,具有重要意义。系统介绍了柔性热管的基础理论、结构设计、材料加工、器件制备等方面的研究进展,以及其在航空航天、电子产品等领域的实际应用。基于柔性热管的发展历程和研究现状,对该领域今后的研究和发展方向做出了展望。

关键词：柔性热管气液相变热阻导热率

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基站应用高线性高效率50 V GaN HEMT

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固体电子学研究与进展 2017年第3期37卷 155-158页

作者：陈韬陈志勇蒋浩魏星杨兴陈新宇李忠辉陈堂胜微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京210016 中电科技德清华莹电子有限公司浙江德清313200 南京国博电子有限公司南京211153

报道了针对移动通信基站应用的GaN HEMT的研制。通过采用NiAu势垒,降低器件栅极漏电,从而提高器件击穿电压。同时通过优化V型栅,降低了峰值电场,提高器件击穿电压30%以上。GaN HEMT器件设计采用双场板结构,工艺采用0.5μm栅长,工作电压5... 详细信息

报道了针对移动通信基站应用的GaN HEMT的研制。通过采用NiAu势垒,降低器件栅极漏电,从而提高器件击穿电压。同时通过优化V型栅,降低了峰值电场,提高器件击穿电压30%以上。GaN HEMT器件设计采用双场板结构,工艺采用0.5μm栅长,工作电压50V,在2.3~2.7GHz带内峰值输出功率280 W,功率附加效率>64%,线性度-30dBc@PAR=5dB,器件抗失配比(VSWR)至5∶1,器件性能可以满足未来基站多频段多载波应用需要。可靠性试验结果表明,研制的器件在150℃下平均工作寿命(MTTF)>4×10~6 h,满足系统应用需要。

关键词：氮化镓微波功率管场板

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大功率器件及材料的热特性表征技术研究进展

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中国材料进展 2018年第12期37卷 1017-1023,1047页

作者：郭怀新黄语恒黄宇龙陶鹏孔月婵李忠辉陈堂胜南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室江苏南京210016 上海交通大学材料科学与工程学院金属基复合材料国家重点实验室上海200240

以氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体高功率密度的发展受限于自身热积累效应引起器件结温升高问题,严重导致器件性能和可靠性的下降。因此,器件的热管理已成为大功率器件研发和应用领域的一个重要研究方向,而器件本身及其材料的热特性表... 详细信息

以氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体高功率密度的发展受限于自身热积累效应引起器件结温升高问题,严重导致器件性能和可靠性的下降。因此,器件的热管理已成为大功率器件研发和应用领域的一个重要研究方向,而器件本身及其材料的热特性表征贯穿于功率器件散热技术开发的整个过程,是评估和指导热管理研发的重要途径。为此,综述了国内外正在开展的器件芯片级热特性表征技术研究进展,系统分析了器件结温、外延薄膜热导率、界面热阻等热性能表征技术的优势及局限性,并阐述了这些热性能表征技术对芯片级热管理开发提供的技术指导及其面临的技术挑战。

关键词：功率器件热管理结温热导率界面热阻

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4 bit相位量化ADC设计与实现

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固体电子学研究与进展 2014年第3期34卷 206-210页

作者：张敏张有涛李晓鹏陈新宇杨磊南京电子器件研究所南京210016 南京国博电子有限公司南京210016 微波毫米波单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016

分析了应用于DRFM系统的4bit相位ADC原理并介绍了一种4bit相位ADC电路结构,该电路采用类似于幅度ADC的Flash拓扑在标准半导体工艺下设计并实现,芯片面积2.3mm×1.7mm,功耗620mW,数字输出满足LVDS电平标准。测试结果显示该ADC瞬时带... 详细信息

分析了应用于DRFM系统的4bit相位ADC原理并介绍了一种4bit相位ADC电路结构,该电路采用类似于幅度ADC的Flash拓扑在标准半导体工艺下设计并实现,芯片面积2.3mm×1.7mm,功耗620mW,数字输出满足LVDS电平标准。测试结果显示该ADC瞬时带宽高于1GHz,动态范围大于26dB。

关键词：模数转换器相位量化数字射频存储器瞬时带宽

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GaN HEMT工艺的X波段发射前端多功能MMIC

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微波学报 2017年第6期33卷 57-61页

作者：徐波戈勤沈宏昌陶洪琪钱峰中国电子科技集团公司第五十五研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

采用0.25μm Ga N HEMT工艺,研制了一款X波段发射前端多功能MMIC,片上集成了一个单刀双掷(SPDT)开关和一个功率放大器电路。其中SPDT开关采用对称的两路双器件并联结构,功率放大器采用三级放大拓扑结构设计,电路采用电抗匹配方式兼顾输... 详细信息

采用0.25μm Ga N HEMT工艺,研制了一款X波段发射前端多功能MMIC,片上集成了一个单刀双掷(SPDT)开关和一个功率放大器电路。其中SPDT开关采用对称的两路双器件并联结构,功率放大器采用三级放大拓扑结构设计,电路采用电抗匹配方式兼顾输出功率和效率。测试结果表明,在8~12 GHz频带内,芯片发射通道饱和输出功率为38.6~40.2 d Bm,功率附加效率为29%~34.5%,其中开关插入损耗约为0.8 d B,隔离度优于-45d B。该芯片面积为4 mm×2.1 mm。

关键词：氮化镓功率放大器单刀双掷开关发射前端

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硅基氮化镓异质结材料与多晶金刚石集成生长研究

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固体电子学研究与进展 2021年第1期41卷 18-23页

作者：杨士奇任泽阳张金风何琦苏凯张进成郭怀新郝跃西安电子科技大学微电子学院宽带隙半导体技术国防重点学科实验室西安710071 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

在50.8 mm(2英寸)硅基氮化镓异质结半导体材料上采用低压等离子体化学气相沉积方法淀积100 nm厚度的氮化硅材料,然后采用微波等离子体化学气相沉积设备在氮化硅层上方实现多晶金刚石材料的外延生长。采用氮化硅作为过渡层和保护层有效... 详细信息

在50.8 mm(2英寸)硅基氮化镓异质结半导体材料上采用低压等离子体化学气相沉积方法淀积100 nm厚度的氮化硅材料,然后采用微波等离子体化学气相沉积设备在氮化硅层上方实现多晶金刚石材料的外延生长。采用氮化硅作为过渡层和保护层有效调控了材料应力,保护了氮化镓基材料在多晶外延过程中被氢等离子体刻蚀,使得外延前后氮化物异质结材料特性未发生明显退化。透射电子显微镜测试结果显示,样品具有良好的界面且在金刚石的晶界上存在非金刚石相。本次研究成功实现了氮化镓金刚石的异质集成生长,这对采用金刚石解决氮化镓基HEMT器件的散热问题具有重要意义。

关键词：金刚石氮化镓异质外延

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