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语言

  • 293 篇 中文
检索条件"机构=南京电子器件研究所微波毫米波单片和模块电路重点实验室"
293 条 记 录,以下是201-210 订阅
排序:
基于石墨烯场效应晶体管的光电混频器研究
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电子技术 2020年 第3期40卷 166-169,175页
作者: 顾晓文 吴云 曹正义 王琛全 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016 中国电子科技集团公司第五十五研究所 南京210016
研究了基于石墨烯场效应晶体管(GFET)的光电混频器(Optoelectronic Mixer,OEM)。器件采用叉指电极结构,增大了器件的光吸收效率,并避免了顶栅结构栅金属对光的反射作用。采用基于7.62 cm硅基GFET的圆片工艺,实现了栅长为1μm共8指的器... 详细信息
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13~15.5 GHz GaN 20 W高效率功率放大器芯片
收藏 引用
通信电源技术 2020年 第9期37卷 45-48页
作者: 金辉 陶洪琪 余旭明 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 江苏南京210016
设计了一款采用0.20μm GaN HEMT工艺研制的13~15.5 GHz功率放大器芯片。基于loadpull测试获得GaN HEMT管芯的最佳输出功率和最佳效率阻抗。此外,设计了一种宽带低损耗输出匹配电路,提高了功放芯片的功率及附加效率,并将输出匹配电路中... 详细信息
来源: 评论
X波段氮化镓高效率功率放大器MMIC
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通信电源技术 2022年 第9期39卷 13-15页
作者: 李文龙 陶洪琪 余旭明 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 江苏南京210016
基于0.25μm栅长的GaN高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor,HEMT)工艺,采用三级放大拓扑电路结构,研制出了一款X波段宽带GaN高效率功率放大器芯片。使用LoadPull测试方法得到了GaN HEMT管芯的最佳输出效率和最佳输出... 详细信息
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Al组分渐变势垒层对AlGaN/GaN HEMT栅电流的影响
Al组分渐变势垒层对AlGaN/GaN HEMT栅电流的影响
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第13届全国MOCVD学术会议
作者: 李传皓 李忠辉 彭大青 潘磊 张东国 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京电子器件研究所南京210016
引起常规AlGaN/GaN HEMT器件栅电流的主要机制为肖特基势垒隧穿和热电子发射,两者发生概率均与势垒高度密切相关.常规AlGaN/GaN HEMT势垒高度约为1eV,栅极正偏电压较大时会出现正向导通,使器件无法在较大偏压下工作[1].为抑制栅电流,提...
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射频微系统硅基三维异构集成技术
射频微系统硅基三维异构集成技术
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2020年全国微波毫米波会议
作者: 郁元卫 黄旼 张洪泽 朱健 张斌 张君直 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京电子器件研究所
在硅基板或者CMOS圆片上通过异质异构集成集成化合物半导体、CMOS、MEMS芯片、等,充分发挥材料、器件与结构的优势,使射频电路最优化获得高频、高速、宽带、大功率的特性,推进射频前端集成化、多功能化和智能化。本文分析了射频微系统... 详细信息
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高频柔性石墨烯FET器件研制
高频柔性石墨烯FET器件研制
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第13届全国MOCVD学术会议
作者: 霍帅 吴云 周建军 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室
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基于GaN的输入谐波控制射频功率放大器设计
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电子技术应用 2021年 第4期47卷 67-70,76页
作者: 邵煜伟 陶洪琪 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 江苏南京210016
定量地分析了输入谐波控制理论对功放效率的影响。同时,选用了南京电子器件研究所的0.25μm GaN HEMT器件,并对该GaN HEMT器件进行了负载牵引仿真和大信号仿真。根据仿真结果发现,通过输入谐波控制可以提升射频功率放大器的效率,在频带... 详细信息
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5G通信用MEMS表贴滤波器
5G通信用MEMS表贴滤波器
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2017年全国微波毫米波会议
作者: 侯芳 吴昊 王文岩 郁元卫 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室
MEMS技术因工艺精度高、设计灵活,是未来5G基站用关键器件技术。本文介绍了MEMS滤波器在5G基站中的应用前景,针对5G重点候选频段,研制了一款小型化MEMS表贴滤波器,装配测试结果表明:该滤波器通带为27.6-29.1GHz,反射损耗优于12d B,通带... 详细信息
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片上集成三通道MEMS开关滤波技术
片上集成三通道MEMS开关滤波技术
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2018年全国微波毫米波会议
作者: 侯芳 王文岩 刘梓枫 朱健 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室
本文主要介绍了一种小型化的基于MEMS技术的片上集成开关滤波技术,该芯片由3个分别工作在6.1-7.9GHz、7.9-9.9GHz、9.9-11.9GHz的滤波器和2个PIN单刀四掷开关组成。测试结果表明:开关滤波器导通后中心插损最大约4.7dB,带边1GHz处带外抑... 详细信息
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高击穿特性的Si基双异质结AlGaN/GaN HEMT
高击穿特性的Si基双异质结AlGaN/GaN HEMT
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第13届全国MOCVD学术会议
作者: 郁鑫鑫 倪金玉 李忠辉 周建军 孔岑 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
由于价格低廉,在Si衬底上异质外延生长GaN材料来研制电力电子器件具有广阔的发展前景.然而,GaN与Si之间存在高达16.9%的晶格失配和56%的热失配,在Si上生长GaN将面临高难度的技术挑战.本文在4英寸Si衬底上采用Al组分阶变的AlGaN缓冲层...
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