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  • 293 篇 电子文献
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  • 2 篇 微波毫米波单片集...
  • 2 篇 上海交通大学
  • 2 篇 空军装备部上海局

作者

  • 66 篇 陈堂胜
  • 60 篇 李忠辉
  • 49 篇 孔月婵
  • 33 篇 周建军
  • 30 篇 程伟
  • 29 篇 张有涛
  • 28 篇 陆海燕
  • 28 篇 董逊
  • 27 篇 张东国
  • 26 篇 彭大青
  • 25 篇 朱健
  • 25 篇 陶洪琪
  • 22 篇 薛舫时
  • 19 篇 王元
  • 18 篇 孔岑
  • 17 篇 李亮
  • 16 篇 张斌
  • 16 篇 郁元卫
  • 16 篇 倪金玉
  • 15 篇 牛斌

语言

  • 293 篇 中文
检索条件"机构=南京电子器件研究所微波毫米波单片和模块电路重点实验室"
293 条 记 录,以下是201-210 订阅
排序:
Al组分渐变势垒层对AlGaN/GaN HEMT栅电流的影响
Al组分渐变势垒层对AlGaN/GaN HEMT栅电流的影响
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第13届全国MOCVD学术会议
作者: 李传皓 李忠辉 彭大青 潘磊 张东国 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京电子器件研究所南京210016
引起常规AlGaN/GaN HEMT器件栅电流的主要机制为肖特基势垒隧穿和热电子发射,两者发生概率均与势垒高度密切相关.常规AlGaN/GaN HEMT势垒高度约为1eV,栅极正偏电压较大时会出现正向导通,使器件无法在较大偏压下工作[1].为抑制栅电流,提...
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高频柔性石墨烯FET器件研制
高频柔性石墨烯FET器件研制
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第13届全国MOCVD学术会议
作者: 霍帅 吴云 周建军 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室
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高击穿特性的Si基双异质结AlGaN/GaN HEMT
高击穿特性的Si基双异质结AlGaN/GaN HEMT
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第13届全国MOCVD学术会议
作者: 郁鑫鑫 倪金玉 李忠辉 周建军 孔岑 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
由于价格低廉,在Si衬底上异质外延生长GaN材料来研制电力电子器件具有广阔的发展前景.然而,GaN与Si之间存在高达16.9%的晶格失配和56%的热失配,在Si上生长GaN将面临高难度的技术挑战.本文在4英寸Si衬底上采用Al组分阶变的AlGaN缓冲层...
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SiC衬底上N极性GaN薄膜的MOCVD外延生长研究
SiC衬底上N极性GaN薄膜的MOCVD外延生长研究
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第13届全国MOCVD学术会议
作者: 彭大青 李忠辉 张东国 李亮 倪金玉 董逊 罗伟科 李传皓 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京电子器件研究所南京210016
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C/Si比对Si(100)衬底3C-SiC薄膜质量的影响
C/Si比对Si(100)衬底3C-SiC薄膜质量的影响
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第13届全国MOCVD学术会议
作者: 赵志飞 李赟 尹志军 朱志明 陆东赛 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
SiC具有优异的材料特性,可以用来制造各种耐高温的高频、高效大功率器件[1].相对于衬底价格昂贵的SiC同质外延,Si基SiC异质外延在衬底价格及外延尺寸上面具有其独特的优势,同时Si基SiC异质外延材料还可以兼容于成熟的Si器件工艺[2].另外...
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SiC衬底外延GaN薄膜的应力调控研究
SiC衬底外延GaN薄膜的应力调控研究
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第13届全国MOCVD学术会议
作者: 李忠辉 彭大青 李亮 倪金玉 董逊 罗伟科 张东国 李传皓 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京电子器件研究所南京210016
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采用低温AlN插入层的Si基GaN异质外延应力分析
采用低温AlN插入层的Si基GaN异质外延应力分析
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第13届全国MOCVD学术会议
作者: 张东国 彭大青 李亮 董逊 倪金玉 罗伟科 潘磊 李传皓 李忠辉 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京电子器件研究所南京210016
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3D集成工艺对微波集成电路性能的影响
3D集成工艺对微波集成电路性能的影响
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2014全国第十五届微波集成电路与移动通信学术年会
作者: 沈国策 周骏 吴璟 孔月婵 陈堂胜 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
本文着重阐述了MEMS工艺对TSV(Through Silicon Via)技术和平面传输线的影响.首先基于HFSS建立了TSV通孔以及微波传输线的理论模型.针对X波段(10GHz),当硅衬底的高度一定时,分析了TSV通孔的半径大小、信号孔与屏蔽孔的间距、不同类型的... 详细信息
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GaN E/D集成电路研究与进展
GaN E/D集成电路研究与进展
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第13届全国MOCVD学术会议
作者: 孔月婵 周建军 孔岑 张有涛 董逊 陈堂胜 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
近年来,随着GaN微波功率器件向实用化发展,GaN在高速数字和混和信号电路中的应用吸引了越来越广泛的关注,旨在充分发挥其高电子漂移速度和高击穿电压的优势,在保持高速性能的同时获得理想的电压摆幅[1].传统AlGaN/GaN异质结构中强极化...
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基于正交实验的100mm4°偏轴SiC衬底外延均匀性研究
基于正交实验的100mm4°偏轴SiC衬底外延均匀性研究
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第13届全国MOCVD学术会议
作者: 李赟 赵志飞 陆东赛 朱志明 李忠辉 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京电子器件研究所南京210016
本文采用行星热壁式SiC外延炉对100mm 4°偏轴4H-SiC衬底外延工艺进行了研究.分析了氢气预刻蚀工艺对外延材料表面形貌的影响.通过双指标正交实验研究了C/Si比、Cl/Si比、主氢流量、生长温度、三路气体比等工艺参数对外延材料掺杂... 详细信息
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