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AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

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范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
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文献类型

261 篇 期刊文献
32 篇 会议

馆藏范围

293 篇 电子文献
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日期分布

学科分类号

268 篇 工学
- 247 篇 电子科学与技术（可...
- 148 篇 材料科学与工程（可...
- 8 篇 光学工程
- 6 篇 仪器科学与技术
- 5 篇 信息与通信工程
- 4 篇 控制科学与工程
- 3 篇 机械工程
- 3 篇 化学工程与技术
- 3 篇 软件工程
- 2 篇 电气工程
- 1 篇 动力工程及工程热...
- 1 篇 航空宇航科学与技...
16 篇 理学
- 16 篇 物理学
- 3 篇 化学

主题

19 篇 氮化镓
15 篇 南京电子器件研究...
15 篇 gan
14 篇 功率放大器
14 篇 太赫兹
12 篇 inp
11 篇 高效率
10 篇 电流崩塌
10 篇 磷化铟
9 篇 高电子迁移率晶体...
9 篇 微波单片集成电路
9 篇 单片微波集成电路
8 篇 dhbt
7 篇 二维电子气
7 篇 金刚石
7 篇 ka波段
6 篇 截止频率
6 篇 局域电子气
6 篇 ku波段
6 篇 mmic

机构

175 篇 南京电子器件研究...
105 篇 微波毫米波单片集...
57 篇 南京电子器件研究...
18 篇 微波毫米波单片集...
13 篇 南京国博电子有限...
11 篇 东南大学
8 篇 南京电子器件研究...
6 篇 中国电子科技集团...
6 篇 南京大学
4 篇 杭州电子科技大学
4 篇 中国电科碳基电子...
3 篇 微波毫米波单片和...
3 篇 南京电子器件研究...
3 篇 南京邮电大学
2 篇 南京电子器件研究...
2 篇 中国科学院大学
2 篇 空军驻江苏地区军...
2 篇 微波毫米波单片集...
2 篇 上海交通大学
2 篇 空军装备部上海局

作者

66 篇 陈堂胜
60 篇 李忠辉
49 篇 孔月婵
33 篇 周建军
30 篇 程伟
29 篇 张有涛
28 篇 陆海燕
28 篇 董逊
27 篇 张东国
26 篇 彭大青
25 篇 朱健
25 篇 陶洪琪
22 篇 薛舫时
19 篇 王元
18 篇 孔岑
17 篇 李亮
16 篇 张斌
16 篇 郁元卫
16 篇 倪金玉
15 篇 牛斌

语言

293 篇 中文

检索条件"机构=南京电子器件研究所微波毫米波单片和模块电路重点实验室"

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Al组分渐变势垒层对AlGaN/GaN HEMT栅电流的影响

Al组分渐变势垒层对AlGaN/GaN HEMT栅电流的影响

引用

第13届全国MOCVD学术会议

作者：李传皓李忠辉彭大青潘磊张东国微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京210016

引起常规AlGaN/GaN HEMT器件栅电流的主要机制为肖特基势垒隧穿和热电子发射,两者发生概率均与势垒高度密切相关.常规AlGaN/GaN HEMT势垒高度约为1eV,栅极正偏电压较大时会出现正向导通,使器件无法在较大偏压下工作[1].为抑制栅电流,提...

引起常规AlGaN/GaN HEMT器件栅电流的主要机制为肖特基势垒隧穿和热电子发射,两者发生概率均与势垒高度密切相关.常规AlGaN/GaN HEMT势垒高度约为1eV,栅极正偏电压较大时会出现正向导通,使器件无法在较大偏压下工作[1].为抑制栅电流,提出一种AlGaN势垒层Al组分渐变的AlGaN/GaN HEMT结构,其中势垒层厚度22nm,栅源、栅漏距离均为3 μ m.

关键词：

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高频柔性石墨烯FET器件研制

高频柔性石墨烯FET器件研制

引用

第13届全国MOCVD学术会议

作者：霍帅吴云周建军南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室

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高击穿特性的Si基双异质结AlGaN/GaN HEMT

高击穿特性的Si基双异质结AlGaN/GaN HEMT

引用

第13届全国MOCVD学术会议

作者：郁鑫鑫倪金玉李忠辉周建军孔岑南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

由于价格低廉,在Si衬底上异质外延生长GaN材料来研制电力电子器件具有广阔的发展前景.然而,GaN与Si之间存在高达16.9％的晶格失配和56％的热失配,在Si上生长GaN将面临高难度的技术挑战.本文在4英寸Si衬底上采用Al组分阶变的AlGaN缓冲层...

由于价格低廉,在Si衬底上异质外延生长GaN材料来研制电力电子器件具有广阔的发展前景.然而,GaN与Si之间存在高达16.9％的晶格失配和56％的热失配,在Si上生长GaN将面临高难度的技术挑战.本文在4英寸Si衬底上采用Al组分阶变的AlGaN缓冲层生长了AlGaN/GaN/AlGaN双异质结构的HEMT材料,并成功研制出高击穿特性的功率器件.

关键词：

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SiC衬底上N极性GaN薄膜的MOCVD外延生长研究

SiC衬底上N极性GaN薄膜的MOCVD外延生长研究

引用

第13届全国MOCVD学术会议

作者：彭大青李忠辉张东国李亮倪金玉董逊罗伟科李传皓微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京210016

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C/Si比对Si(100)衬底3C-SiC薄膜质量的影响

C/Si比对Si(100)衬底3C-SiC薄膜质量的影响

引用

第13届全国MOCVD学术会议

作者：赵志飞李赟尹志军朱志明陆东赛南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

SiC具有优异的材料特性,可以用来制造各种耐高温的高频、高效大功率器件[1].相对于衬底价格昂贵的SiC同质外延,Si基SiC异质外延在衬底价格及外延尺寸上面具有其独特的优势,同时Si基SiC异质外延材料还可以兼容于成熟的Si器件工艺[2].另外...

SiC具有优异的材料特性,可以用来制造各种耐高温的高频、高效大功率器件[1].相对于衬底价格昂贵的SiC同质外延,Si基SiC异质外延在衬底价格及外延尺寸上面具有其独特的优势,同时Si基SiC异质外延材料还可以兼容于成熟的Si器件工艺[2].另外,Si基SiC还可作为衬底生长大尺寸GaN和石墨烯等先进半导体材料.

关键词：

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SiC衬底外延GaN薄膜的应力调控研究

SiC衬底外延GaN薄膜的应力调控研究

引用

第13届全国MOCVD学术会议

作者：李忠辉彭大青李亮倪金玉董逊罗伟科张东国李传皓微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京210016

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采用低温AlN插入层的Si基GaN异质外延应力分析

采用低温AlN插入层的Si基GaN异质外延应力分析

引用

第13届全国MOCVD学术会议

作者：张东国彭大青李亮董逊倪金玉罗伟科潘磊李传皓李忠辉微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京210016

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3D集成工艺对微波集成电路性能的影响

3D集成工艺对微波集成电路性能的影响

引用

2014全国第十五届微波集成电路与移动通信学术年会

作者：沈国策周骏吴璟孔月婵陈堂胜南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

本文着重阐述了MEMS工艺对TSV(Through Silicon Via)技术和平面传输线的影响.首先基于HFSS建立了TSV通孔以及微波传输线的理论模型.针对X波段(10GHz),当硅衬底的高度一定时,分析了TSV通孔的半径大小、信号孔与屏蔽孔的间距、不同类型的... 详细信息

本文着重阐述了MEMS工艺对TSV(Through Silicon Via)技术和平面传输线的影响.首先基于HFSS建立了TSV通孔以及微波传输线的理论模型.针对X波段(10GHz),当硅衬底的高度一定时,分析了TSV通孔的半径大小、信号孔与屏蔽孔的间距、不同类型的微波传输线结构、线宽对微波集成电路性能的影响.通过优化模型参数可以让实测结果与仿真值很好的拟合在一起.

关键词：微波集成电路硅基通孔平面传输线性能评估微纳米加工

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GaN E/D集成电路研究与进展

GaN E/D集成电路研究与进展

引用

第13届全国MOCVD学术会议

作者：孔月婵周建军孔岑张有涛董逊陈堂胜南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

近年来,随着GaN微波功率器件向实用化发展,GaN在高速数字和混和信号电路中的应用吸引了越来越广泛的关注,旨在充分发挥其高电子漂移速度和高击穿电压的优势,在保持高速性能的同时获得理想的电压摆幅[1].传统AlGaN/GaN异质结构中强极化...

近年来,随着GaN微波功率器件向实用化发展,GaN在高速数字和混和信号电路中的应用吸引了越来越广泛的关注,旨在充分发挥其高电子漂移速度和高击穿电压的优势,在保持高速性能的同时获得理想的电压摆幅[1].传统AlGaN/GaN异质结构中强极化效应和大导带偏移使其即使在未掺杂条件下也可获得面密度高达1013cm-2的二维电子气,成为本征的n沟道耗尽型(Depletion mode:D-mode)器件.

关键词：

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基于正交实验的100mm4°偏轴SiC衬底外延均匀性研究

基于正交实验的100mm4°偏轴SiC衬底外延均匀性研究

引用

第13届全国MOCVD学术会议

作者：李赟赵志飞陆东赛朱志明李忠辉微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京210016

本文采用行星热壁式SiC外延炉对100mm 4°偏轴4H-SiC衬底外延工艺进行了研究.分析了氢气预刻蚀工艺对外延材料表面形貌的影响.通过双指标正交实验研究了C/Si比、Cl/Si比、主氢流量、生长温度、三路气体比等工艺参数对外延材料掺杂... 详细信息

本文采用行星热壁式SiC外延炉对100mm 4°偏轴4H-SiC衬底外延工艺进行了研究.分析了氢气预刻蚀工艺对外延材料表面形貌的影响.通过双指标正交实验研究了C/Si比、Cl/Si比、主氢流量、生长温度、三路气体比等工艺参数对外延材料掺杂浓度及厚度均匀性影响的主次顺序，并给出了优化的外延参数.采用该工艺条件，在100mm4°偏轴4H-SiC衬底上生长的厚度6μm无台阶形貌的碳化硅外延层的片内厚度均匀性和浓度均匀性分别是1.23％和3.32％.

关键词：外延台阶形貌均匀性正交实验

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