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作者

  • 66 篇 陈堂胜
  • 60 篇 李忠辉
  • 49 篇 孔月婵
  • 33 篇 周建军
  • 30 篇 程伟
  • 29 篇 张有涛
  • 28 篇 陆海燕
  • 28 篇 董逊
  • 27 篇 张东国
  • 26 篇 彭大青
  • 25 篇 朱健
  • 25 篇 陶洪琪
  • 22 篇 薛舫时
  • 19 篇 王元
  • 18 篇 孔岑
  • 17 篇 李亮
  • 16 篇 张斌
  • 16 篇 郁元卫
  • 16 篇 倪金玉
  • 15 篇 牛斌

语言

  • 293 篇 中文
检索条件"机构=南京电子器件研究所微波毫米波单片和模块电路重点实验室"
293 条 记 录,以下是211-220 订阅
排序:
原位刻蚀对同质外延GaN薄膜晶体质量的影响
原位刻蚀对同质外延GaN薄膜晶体质量的影响
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第13届全国MOCVD学术会议
作者: 罗伟科 李亮 李忠辉 董逊 彭大青 张东国 周建军 许晓军 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
近二十多年来,三族氮化物由于其优异的性能,被广泛的应用到发光电子器件和电力电子器件领域[1,2],但由于高质量GaN同质衬底制备困难,并且价格昂贵,因此这些光电器件大多采用蓝宝石、碳化硅和硅等衬底通过异质外延方法获得。对于这些器...
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GaN HFET中的陷阱和电子在强场下的输运行为
GaN HFET中的陷阱和电子在强场下的输运行为
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2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
作者: 薛舫时 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京 210016
宽禁带GaN HFET击穿电压高、二维电子气密度和迁移率高,达到了很高的输出功率和PAE.但是器件射频工作中的电流崩塌限制了器件的射频工作性能,更影响了其可靠性和实际应用.目前普遍采用陷阱引起的虚栅模型来研究.在传统陷阱理论中,都用...
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含厚AlGaN过渡层的Si基GaN材料的MOCVD生长技术研究
含厚AlGaN过渡层的Si基GaN材料的MOCVD生长技术研究
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第13届全国MOCVD学术会议
作者: 倪金玉 郁鑫鑫 潘磊 董逊 孔岑 周建军 李忠辉 孔月婵 陈堂胜 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
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MOCVD方法制备p型AlGaN材料
MOCVD方法制备p型AlGaN材料
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第13届全国MOCVD学术会议
作者: 李亮 罗伟科 李忠辉 董逊 彭大青 张东国 李传皓 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室江苏南京210016
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基于肖特基平面二极管的150GHz和180GHz固定调节式倍频源(英文)
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红外与毫米波学报 2013年 第2期32卷 102-107页
作者: 姚常飞 周明 罗运生 王毅刚 许从海 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 江苏南京210016 南京电子器件研究所微波毫米波模块电路事业部 江苏南京210016
利用GaAs肖特基平面二极管,基于石英薄膜电路工艺,采用场和路相结合的综合分析方法,研制出了两个不同频率带宽的倍频器.在场软件中,二极管非线性结采用集总端口模拟,以提取二极管的嵌入阻抗,设计二倍频器的无源匹配电路,优化倍频的整体... 详细信息
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4英寸SiC衬底GaN基异质结材料
4英寸SiC衬底GaN基异质结材料
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第13届全国MOCVD学术会议
作者: 董逊 倪金玉 潘磊 彭大青 张东国 李忠辉 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 江苏南京210016
利用MOCVD技术,在4英寸SiC衬底上生长了AlGaN/GaN/AlGaN双异质结及InAlN/GaN异质结材料.利用XRD、Hall、AFM等测试方法对材料的晶体质量、电学性质及表面形貌等进行了分析:在4英寸SiC衬底上生长出的高质量GaN缓冲层(002)面及(102)面XR...
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高性能微型LTCC低通滤波器设计
高性能微型LTCC低通滤波器设计
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2014全国第十五届微波集成电路与移动通信学术年会
作者: 郑琨 王子良 徐利 陈昱晖 南京电子器件研究所 南京210016 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
本文以具有单个传输零点的低通滤波器电路为原型,通过合理安排LTCC内部元件的位置,有效地利用了结构内部的电磁耦合,在不过多增加滤波器阶数的前提下,达到了带外抑制度高、抑制范围广且尺寸小巧、结构紧凑的目的.本文的设计思路对其他... 详细信息
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常关型亚微米沟道1200V SiC MOSFET
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固体电子研究与进展 2014年 第5期34卷 F0003-F0003页
作者: 黄润华 陶永洪 柏松 陈刚 汪玲 刘奥 卫能 李赟 赵志飞 南京电子器件研究所 微波毫米波单片和模块电路重点实验室南京210016
南京电子器件研究所基于自主12μm外延和76.2mm(3英寸)SiC圆片加工工艺,通过介质刻蚀沟道自对准技术,在国内率先实现了导通电流大于5A的SiCDMOSFET,阻断电压大于1200V,阈值电压5V。
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高质量GaN薄膜的MOCVD同质外延生长
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人工晶体学报 2013年 第5期42卷 915-917页
作者: 李亮 李忠辉 罗伟科 董逊 彭大青 张东国 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在GaN自支撑衬底上同质外延生长了GaN薄膜,得到高质量的GaN外延薄膜。X射线衍射(XRD)结果显示其(002)面摇摆曲线半高宽小于100弧秒,原子力显微镜(AFM)照片上能看到连续的二维台阶流形貌,其表面粗... 详细信息
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基于巴特沃斯低通滤波器的毫米波宽带低插损限幅器研究
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电子学报 2013年 第9期41卷 1809-1814页
作者: 姚常飞 周明 罗运生 吴刚 许从海 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 江苏南京210016 南京电子器件研究所微波毫米波模块电路事业部 江苏南京210016
基于巴特沃斯(最大平坦型)低通滤波器模型,研究毫米波限幅器在小信号时的等效电路.结合限幅电路电磁场仿真模型,分析限幅二极管物理模型的寄生参数和键合金丝电感,提取相应的S参数,以设计限幅器的阻抗匹配网络,研制出了Ka波... 详细信息
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