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第13届全国MOCVD学术会议

作者：罗伟科李亮李忠辉董逊彭大青张东国周建军许晓军南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

近二十多年来,三族氮化物由于其优异的性能,被广泛的应用到发光电子器件和电力电子器件领域[1,2],但由于高质量GaN同质衬底制备困难,并且价格昂贵,因此这些光电器件大多采用蓝宝石、碳化硅和硅等衬底通过异质外延方法获得。对于这些器...

近二十多年来,三族氮化物由于其优异的性能,被广泛的应用到发光电子器件和电力电子器件领域[1,2],但由于高质量GaN同质衬底制备困难,并且价格昂贵,因此这些光电器件大多采用蓝宝石、碳化硅和硅等衬底通过异质外延方法获得。对于这些器件性能的进一步提高,同质外延技术的研究显得尤为重要[3]。本文研究了在MOCVD系统中高温原位刻蚀技术对GaN同质外延生长的影响。在高温条件下,H2+NH3混合气体对GaN有较强的刻蚀效果,随着NH3在混合气体中的比例的增加,刻蚀速率降低,GaN表面分解形成的金属Ga滴逐渐减少至完全消失,最终在GaN表面有大量规则的六角微结构形成,如图(a)所示。

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GaN HFET中的陷阱和电子在强场下的输运行为

GaN HFET中的陷阱和电子在强场下的输运行为

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2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

作者：薛舫时南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京 210016

宽禁带GaN HFET击穿电压高、二维电子气密度和迁移率高,达到了很高的输出功率和PAE.但是器件射频工作中的电流崩塌限制了器件的射频工作性能,更影响了其可靠性和实际应用.目前普遍采用陷阱引起的虚栅模型来研究.在传统陷阱理论中,都用...

宽禁带GaN HFET击穿电压高、二维电子气密度和迁移率高,达到了很高的输出功率和PAE.但是器件射频工作中的电流崩塌限制了器件的射频工作性能,更影响了其可靠性和实际应用.目前普遍采用陷阱引起的虚栅模型来研究.在传统陷阱理论中,都用禁带中的束缚能级和俘获截面来表征.虽然许多作者使用各种测试方法进行了深入的研究,但是用不同方法测得不同器件中的陷阱能级相差1～2eV,俘获截面相差3个量级.而且测试结果依赖于器件所加的电场环境.始终没有找到合理的微观陷阱模型.

关键词：

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含厚AlGaN过渡层的Si基GaN材料的MOCVD生长技术研究

含厚AlGaN过渡层的Si基GaN材料的MOCVD生长技术研究

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第13届全国MOCVD学术会议

作者：倪金玉郁鑫鑫潘磊董逊孔岑周建军李忠辉孔月婵陈堂胜南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

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MOCVD方法制备p型AlGaN材料

MOCVD方法制备p型AlGaN材料

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第13届全国MOCVD学术会议

作者：李亮罗伟科李忠辉董逊彭大青张东国李传皓南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室江苏南京210016

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基于肖特基平面二极管的150GHz和180GHz固定调节式倍频源(英文)

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红外与毫米波学报 2013年第2期32卷 102-107页

作者：姚常飞周明罗运生王毅刚许从海南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室江苏南京210016 南京电子器件研究所微波毫米波模块电路事业部江苏南京210016

利用GaAs肖特基平面二极管,基于石英薄膜电路工艺,采用场和路相结合的综合分析方法,研制出了两个不同频率带宽的倍频器.在场软件中,二极管非线性结采用集总端口模拟,以提取二极管的嵌入阻抗,设计二倍频器的无源匹配电路,优化倍频的整体... 详细信息

利用GaAs肖特基平面二极管,基于石英薄膜电路工艺,采用场和路相结合的综合分析方法,研制出了两个不同频率带宽的倍频器.在场软件中,二极管非线性结采用集总端口模拟,以提取二极管的嵌入阻抗,设计二倍频器的无源匹配电路,优化倍频的整体电路性能,提取相应的S参数文件,分析倍频器的效率.150 GHz二倍频器在149.2 GHz测得最高倍频效率7.5%,在147.4～152 GHz效率典型值为6.0%;180 GHz二倍频器在170 GHz测得最高倍频效率14.8%,在150～200 GHz效率典型值为8.0%.

关键词：二倍频器肖特基平面二极管谐波平衡分析效率

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4英寸SiC衬底GaN基异质结材料

4英寸SiC衬底GaN基异质结材料

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第13届全国MOCVD学术会议

作者：董逊倪金玉潘磊彭大青张东国李忠辉南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室江苏南京210016

利用MOCVD技术，在4英寸SiC衬底上生长了AlGaN/GaN/AlGaN双异质结及InAlN/GaN异质结材料.利用XRD、Hall、AFM等测试方法对材料的晶体质量、电学性质及表面形貌等进行了分析：在4英寸SiC衬底上生长出的高质量GaN缓冲层(002)面及(102)面XR...

利用MOCVD技术，在4英寸SiC衬底上生长了AlGaN/GaN/AlGaN双异质结及InAlN/GaN异质结材料.利用XRD、Hall、AFM等测试方法对材料的晶体质量、电学性质及表面形貌等进行了分析：在4英寸SiC衬底上生长出的高质量GaN缓冲层(002)面及(102)面XRD摇摆曲线半高宽分别达到129、194弧秒;InAlN/GaN材料方阻不均匀性1.5％、室温二维电子气迁移率1216cm2 v-1s-1、二维电子气浓度2.65×1013cm-2;AlGaN/GaN/AlGaN双异质结材料室温二维电子气迁移率2059 cm2v-1s-1、1Oμm× 1Oμm表面粗糙度0.43nm.

关键词：

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高性能微型LTCC低通滤波器设计

高性能微型LTCC低通滤波器设计

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2014全国第十五届微波集成电路与移动通信学术年会

作者：郑琨王子良徐利陈昱晖南京电子器件研究所南京210016 南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

本文以具有单个传输零点的低通滤波器电路为原型,通过合理安排LTCC内部元件的位置,有效地利用了结构内部的电磁耦合,在不过多增加滤波器阶数的前提下,达到了带外抑制度高、抑制范围广且尺寸小巧、结构紧凑的目的.本文的设计思路对其他... 详细信息

本文以具有单个传输零点的低通滤波器电路为原型,通过合理安排LTCC内部元件的位置,有效地利用了结构内部的电磁耦合,在不过多增加滤波器阶数的前提下,达到了带外抑制度高、抑制范围广且尺寸小巧、结构紧凑的目的.本文的设计思路对其他小型化滤波器的设计具有很好的指导意义.

关键词：低通滤波器低温共烧陶瓷结构设计电磁耦合带外抑制

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常关型亚微米沟道1200V SiC MOSFET

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固体电子学研究与进展 2014年第5期34卷 F0003-F0003页

作者：黄润华陶永洪柏松陈刚汪玲刘奥卫能李赟赵志飞南京电子器件研究所微波毫米波单片和模块电路重点实验室南京210016

南京电子器件研究所基于自主12μm外延和76．2mm（3英寸）SiC圆片加工工艺，通过介质刻蚀沟道自对准技术，在国内率先实现了导通电流大于5A的SiCDMOSFET，阻断电压大于1200V，阈值电压5V。

关键词： MOSFET 沟道亚微米 SiC 南京电子器件研究所自对准技术加工工艺导通电流

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高质量GaN薄膜的MOCVD同质外延生长

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人工晶体学报 2013年第5期42卷 915-917页

作者：李亮李忠辉罗伟科董逊彭大青张东国南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在GaN自支撑衬底上同质外延生长了GaN薄膜,得到高质量的GaN外延薄膜。X射线衍射(XRD)结果显示其(002)面摇摆曲线半高宽小于100弧秒,原子力显微镜(AFM)照片上能看到连续的二维台阶流形貌,其表面粗... 详细信息

采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在GaN自支撑衬底上同质外延生长了GaN薄膜,得到高质量的GaN外延薄膜。X射线衍射(XRD)结果显示其(002)面摇摆曲线半高宽小于100弧秒,原子力显微镜(AFM)照片上能看到连续的二维台阶流形貌,其表面粗糙度小于0.5 nm,其位错密度低于106cm-3。

关键词： GaN薄膜 MOCVD 同质外延

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基于巴特沃斯低通滤波器的毫米波宽带低插损限幅器研究

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电子学报 2013年第9期41卷 1809-1814页

作者：姚常飞周明罗运生吴刚许从海南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室江苏南京210016 南京电子器件研究所微波毫米波模块电路事业部江苏南京210016

基于巴特沃斯（最大平坦型）低通滤波器模型，研究了毫米波限幅器在小信号时的等效电路．结合限幅电路电磁场仿真模型，分析限幅二极管物理模型的寄生参数和键合金丝电感，提取相应的S参数，以设计限幅器的阻抗匹配网络，研制出了Ka波... 详细信息

基于巴特沃斯（最大平坦型）低通滤波器模型，研究了毫米波限幅器在小信号时的等效电路．结合限幅电路电磁场仿真模型，分析限幅二极管物理模型的寄生参数和键合金丝电感，提取相应的S参数，以设计限幅器的阻抗匹配网络，研制出了Ka波段全频段低插损限幅器．在26～40GHz，测得限幅器小信号插损小于4．3dB，最小插损2．2dB，驻波比小于1．95：1；当输入的连续波功率为0．5W时，限幅输出功率小于10．5dBm；整个限幅器尺寸为20×12×6mm3，限幅器性能达到国外同类产品水平．

关键词：毫米波等效电路模型巴特沃斯低通滤波器限幅器

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