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  • 2 篇 微波毫米波单片集...
  • 2 篇 上海交通大学
  • 2 篇 空军装备部上海局

作者

  • 66 篇 陈堂胜
  • 60 篇 李忠辉
  • 49 篇 孔月婵
  • 33 篇 周建军
  • 30 篇 程伟
  • 29 篇 张有涛
  • 28 篇 陆海燕
  • 28 篇 董逊
  • 27 篇 张东国
  • 26 篇 彭大青
  • 25 篇 朱健
  • 25 篇 陶洪琪
  • 22 篇 薛舫时
  • 19 篇 王元
  • 18 篇 孔岑
  • 17 篇 李亮
  • 16 篇 张斌
  • 16 篇 郁元卫
  • 16 篇 倪金玉
  • 15 篇 牛斌

语言

  • 293 篇 中文
检索条件"机构=南京电子器件研究所微波毫米波单片和模块电路重点实验室"
293 条 记 录,以下是231-240 订阅
排序:
0.15μm栅长Ka波段GaN功率HEMT器件
收藏 引用
固体电子研究与进展 2012年 第1期32卷 F0003-F0003页
作者: 周建军 董逊 孔岑 孔月婵 李忠辉 陈堂胜 陈辰 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
宽带隙GaN基材料具有临界击穿场强高、峰值电子漂移速度高以及抗腐蚀、耐高温等优异的物理、化学性质,是研制高性能的固态毫米波器件的优选材料。AlGaN/GaNHEMT器件由于高浓度的二维电子气以及高的电子迁移率特性,使其在获得和GaAsPH... 详细信息
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MOCVD方法制备p型AlGaN材料
MOCVD方法制备p型AlGaN材料
收藏 引用
第13届全国MOCVD学术会议
作者: 李亮 罗伟科 李忠辉 董逊 彭大青 张东国 李传皓 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室江苏南京210016
来源: 评论
LNOI光电子集成芯片技术
收藏 引用
电子技术 2019年 第3期39卷 168-177页
作者: 韩春林 钱广 胡国华 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016 中国电子科技集团公司第五十五研究所 南京210016 东南大学先进光子学中心 南京210096
介绍了LNOI材料、光波导制备、光耦合和器件技术方面的研究进展,并针对LNOI材料在光电集成芯片方面的发展进行了展望。
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4英寸SiC衬底GaN基异质结材料
4英寸SiC衬底GaN基异质结材料
收藏 引用
第13届全国MOCVD学术会议
作者: 董逊 倪金玉 潘磊 彭大青 张东国 李忠辉 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 江苏南京210016
利用MOCVD技术,在4英寸SiC衬底上生长了AlGaN/GaN/AlGaN双异质结及InAlN/GaN异质结材料.利用XRD、Hall、AFM等测试方法对材料的晶体质量、电学性质及表面形貌等进行了分析:在4英寸SiC衬底上生长出的高质量GaN缓冲层(002)面及(102)面XR...
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高性能微型LTCC低通滤波器设计
高性能微型LTCC低通滤波器设计
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2014全国第十五届微波集成电路与移动通信学术年会
作者: 郑琨 王子良 徐利 陈昱晖 南京电子器件研究所 南京210016 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
本文以具有单个传输零点的低通滤波器电路为原型,通过合理安排LTCC内部元件的位置,有效地利用了结构内部的电磁耦合,在不过多增加滤波器阶数的前提下,达到了带外抑制度高、抑制范围广且尺寸小巧、结构紧凑的目的.本文的设计思路对其他... 详细信息
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小型化MEMS高通滤波器研究
小型化MEMS高通滤波器研究
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2017年西南三省一市(贵州、重庆、四川、云南)自动化与仪器仪表学术年会
作者: 朱锋 陶子文 郁元卫 朱健 南京电子器件研究所 南京 210016 南京电子器件研究所 南京 210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京 210016
介绍了一种小型高性能的高通滤波器,该高通滤波器利用两层硅片来实现悬置带线的结构,采用立体布线和通孔的方式来接地,运用HFSS三维电磁场仿真软件设计出了一款截止频率为7.6GHz的MEMS高通滤波器,运用MEMS工艺在两层硅衬底上进行了样品... 详细信息
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一种T/R组件热场问题的研究
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电子与封装 2015年 第12期15卷 38-42页
作者: 周骏 刘伟 盛重 沈亚 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016 南京电子器件研究所 南京210016 空军驻江苏地区军事代表室 南京210016
T/R组件的热设计是有源相控阵雷达的核心技术之一。文章提出了针对高密度组件的各种散热措施,采用热仿真软件对T/R组件沟道温度进行仿真研究,并利用红外热分析仪进行测试验证,并将仿真结果与实验结果进行对比,两者结果吻合较好,满足T/R... 详细信息
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4 bit DRFM用相位量化ADC及DAC
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固体电子研究与进展 2012年 第2期32卷 F0003-F0003页
作者: 张敏 张有涛 李晓鹏 钱峰 陈辰 南京电子器件研究所 南京210016 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
数字射频存储器(DRFM)基于高速采样和数字存储技术,能够对射频和微波信号进行存储及再现。相位量化DRFM的核心部件是模数转换器(ADC)和数模转换器(DAC),其性能直接决定了DRFM系统的关键参数瞬时带宽。南京电子器件研究所研制成功... 详细信息
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高频石墨烯场效应晶体管研制
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固体电子研究与进展 2015年 第1期35卷 105-105页
作者: 吴云 孙梦龙 赵志飞 霍帅 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京电子器件研究所
石墨烯具有高电子迁移率和高热导率等优良特性,在毫米波、亚毫米波乃至太赫兹器件、超级计算机等方面具有广阔应用前景。然而石墨烯是二维结构,受衬底、栅界面的影响较体材料更为敏感,因而高性能的石墨烯FET器件的研制也成为一个极具挑... 详细信息
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常关型亚微米沟道1200V SiC MOSFET
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固体电子研究与进展 2014年 第5期34卷 F0003-F0003页
作者: 黄润华 陶永洪 柏松 陈刚 汪玲 刘奥 卫能 李赟 赵志飞 南京电子器件研究所 微波毫米波单片和模块电路重点实验室南京210016
南京电子器件研究所基于自主12μm外延和76.2mm(3英寸)SiC圆片加工工艺,通过介质刻蚀沟道自对准技术,在国内率先实现了导通电流大于5A的SiCDMOSFET,阻断电压大于1200V,阈值电压5V。
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