检索结果-内蒙古大学图书馆

利用MOCVD技术，在4英寸SiC衬底上生长了AlGaN/GaN/AlGaN双异质结及InAlN/GaN异质结材料.利用XRD、Hall、AFM等测试方法对材料的晶体质量、电学性质及表面形貌等进行了分析：在4英寸SiC衬底上生长出的高质量GaN缓冲层(002)面及(102)面XRD摇摆曲线半高宽分别达到129、194弧秒;InAlN/GaN材料方阻不均匀性1.5％、室温二维电子气迁移率1216cm2 v-1s-1、二维电子气浓度2.65×1013cm-2;AlGaN/GaN/AlGaN双异质结材料室温二维电子气迁移率2059 cm2v-1s-1、1Oμm× 1Oμm表面粗糙度0.43nm.

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高性能微型LTCC低通滤波器设计

高性能微型LTCC低通滤波器设计

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2014全国第十五届微波集成电路与移动通信学术年会

作者：郑琨王子良徐利陈昱晖南京电子器件研究所南京210016 南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

本文以具有单个传输零点的低通滤波器电路为原型,通过合理安排LTCC内部元件的位置,有效地利用了结构内部的电磁耦合,在不过多增加滤波器阶数的前提下,达到了带外抑制度高、抑制范围广且尺寸小巧、结构紧凑的目的.本文的设计思路对其他... 详细信息

本文以具有单个传输零点的低通滤波器电路为原型,通过合理安排LTCC内部元件的位置,有效地利用了结构内部的电磁耦合,在不过多增加滤波器阶数的前提下,达到了带外抑制度高、抑制范围广且尺寸小巧、结构紧凑的目的.本文的设计思路对其他小型化滤波器的设计具有很好的指导意义.

关键词：低通滤波器低温共烧陶瓷结构设计电磁耦合带外抑制

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小型化MEMS高通滤波器研究

小型化MEMS高通滤波器研究

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2017年西南三省一市(贵州、重庆、四川、云南)自动化与仪器仪表学术年会

作者：朱锋陶子文郁元卫朱健南京电子器件研究所南京 210016 南京电子器件研究所南京 210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京 210016

介绍了一种小型高性能的高通滤波器,该高通滤波器利用两层硅片来实现悬置带线的结构,采用立体布线和通孔的方式来接地,运用HFSS三维电磁场仿真软件设计出了一款截止频率为7.6GHz的MEMS高通滤波器,运用MEMS工艺在两层硅衬底上进行了样品... 详细信息

介绍了一种小型高性能的高通滤波器,该高通滤波器利用两层硅片来实现悬置带线的结构,采用立体布线和通孔的方式来接地,运用HFSS三维电磁场仿真软件设计出了一款截止频率为7.6GHz的MEMS高通滤波器,运用MEMS工艺在两层硅衬底上进行了样品的研制.样品取得了良好的测试结果,其中通带内的插入损耗小于1.2dB,通带回波损耗小于10.9dB.

关键词：高通滤波器小型化设计立体布线通孔方式

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一种T/R组件热场问题的研究

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电子与封装 2015年第12期15卷 38-42页

作者：周骏刘伟盛重沈亚微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016 南京电子器件研究所南京210016 空军驻江苏地区军事代表室南京210016

T/R组件的热设计是有源相控阵雷达的核心技术之一。文章提出了针对高密度组件的各种散热措施,采用热仿真软件对T/R组件沟道温度进行仿真研究,并利用红外热分析仪进行测试验证,并将仿真结果与实验结果进行对比,两者结果吻合较好,满足T/R... 详细信息

T/R组件的热设计是有源相控阵雷达的核心技术之一。文章提出了针对高密度组件的各种散热措施,采用热仿真软件对T/R组件沟道温度进行仿真研究,并利用红外热分析仪进行测试验证,并将仿真结果与实验结果进行对比,两者结果吻合较好,满足T/R组件的使用要求。

关键词： T/R组件热设计高密度

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4 bit DRFM用相位量化ADC及DAC

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固体电子学研究与进展 2012年第2期32卷 F0003-F0003页

作者：张敏张有涛李晓鹏钱峰陈辰南京电子器件研究所南京210016 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

数字射频存储器（DRFM）基于高速采样和数字存储技术,能够对射频和微波信号进行存储及再现。相位量化DRFM的核心部件是模数转换器（ADC）和数模转换器（DAC）,其性能直接决定了DRFM系统的关键参数瞬时带宽。南京电子器件研究所研制成功... 详细信息

数字射频存储器（DRFM）基于高速采样和数字存储技术,能够对射频和微波信号进行存储及再现。相位量化DRFM的核心部件是模数转换器（ADC）和数模转换器（DAC）,其性能直接决定了DRFM系统的关键参数瞬时带宽。南京电子器件研究所研制成功瞬时带宽500 MHz的4 bit相位量化ADC/DAC,LVDS数字接口,带内SFDR优于-30 dBc。4 bit相位量化ADC将模拟信号的相位等分为24个相位区间并对其进行量化,采用类Flash结构实现,最终输出8路与输入同频率且两两相差22.5°的等占空比方波。

关键词：相位量化 ADC 数字射频存储器 DAC 南京电子器件研究所数字存储技术 DRFM 瞬时带宽

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高频石墨烯场效应晶体管研制

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固体电子学研究与进展 2015年第1期35卷 105-105页

作者：吴云孙梦龙赵志飞霍帅微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所

石墨烯具有高电子迁移率和高热导率等优良特性,在毫米波、亚毫米波乃至太赫兹器件、超级计算机等方面具有广阔应用前景。然而石墨烯是二维结构,受衬底、栅界面的影响较体材料更为敏感,因而高性能的石墨烯FET器件的研制也成为一个极具挑... 详细信息

石墨烯具有高电子迁移率和高热导率等优良特性,在毫米波、亚毫米波乃至太赫兹器件、超级计算机等方面具有广阔应用前景。然而石墨烯是二维结构,受衬底、栅界面的影响较体材料更为敏感,因而高性能的石墨烯FET器件的研制也成为一个极具挑战性的课题。南京电子器件研究所通过氢插入等工艺用SiC热解法制备出高质量的石墨烯薄膜,材枓霍尔迁移率达2000 cm2/(V·s)。在此基础上,开发了可降低栅介质散射作用的A1自氧化缓冲工艺,同时以自对准和T栅(150 nm栅脚,400 nm栅帽)减小器件的寄生效应,研制出了高性能石墨烯场效应

关键词：场效应晶体管器件高性能单极晶体管场效应器件石墨烯 FET

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常关型亚微米沟道1200V SiC MOSFET

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固体电子学研究与进展 2014年第5期34卷 F0003-F0003页

作者：黄润华陶永洪柏松陈刚汪玲刘奥卫能李赟赵志飞南京电子器件研究所微波毫米波单片和模块电路重点实验室南京210016

南京电子器件研究所基于自主12μm外延和76．2mm（3英寸）SiC圆片加工工艺，通过介质刻蚀沟道自对准技术，在国内率先实现了导通电流大于5A的SiCDMOSFET，阻断电压大于1200V，阈值电压5V。

关键词： MOSFET 沟道亚微米 SiC 南京电子器件研究所自对准技术加工工艺导通电流

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