检索结果-内蒙古大学图书馆

固体电子学研究与进展 2012年第4期32卷 365-369页

作者：许正荣应海涛李娜李小鹏张有涛杨磊南京国博电子有限公司南京210016 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

采用增强/耗尽型(E/D)结构的赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)技术,研制开发的射频开关,具有插损低、隔离度高、承受功率大、线性度高等特点。产品采用0.5μm栅长的砷化镓PHEMT E/D标准工艺加工,将开关电路和驱动电路集成在一颗芯片上,并... 详细信息

采用增强/耗尽型(E/D)结构的赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)技术,研制开发的射频开关,具有插损低、隔离度高、承受功率大、线性度高等特点。产品采用0.5μm栅长的砷化镓PHEMT E/D标准工艺加工,将开关电路和驱动电路集成在一颗芯片上,并做了相应的静电防护设计。测试结果表明,在0.01～5.0GHz带内,插入损耗≤1.2dB@3GHz、≤1.6dB@5GHz,带内输入输出驻波比≤1.5,隔离度≥60dB@3GHz、≥52dB@5GHz,1dB压缩功率点达到了30dBm,IP3超过了+52dBm。

关键词：砷化镓增强型耗尽型射频开关赝配高电子迁移率晶体管

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W波段宽带正交模转换器研制

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微波学报 2012年第5期28卷 76-80页

作者：姚常飞周明罗运生冯真俊许从海微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016 南京电子器件研究所南京210016

为满足W波段双通道接收系统的需要,实现将天线接收到的线极化或圆极化电磁波分离出正交的垂直极化和水平极化电磁波,研制出了工作频带宽、性能优、结构简单、适合大批量生产的波导正交模转换器(OMT)。在80～102GHz频带内,即相对于中心频... 详细信息

为满足W波段双通道接收系统的需要,实现将天线接收到的线极化或圆极化电磁波分离出正交的垂直极化和水平极化电磁波,研制出了工作频带宽、性能优、结构简单、适合大批量生产的波导正交模转换器(OMT)。在80～102GHz频带内,即相对于中心频率91GHz的24%频带内,测得水平极化传输损耗典型值为0.8dB、垂直极化传输损耗典型值为0.4dB;各端口回波损耗优于15dB;隔离度典型值为21dB。

关键词： W波段正交模转换器垂直极化水平极化

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Ka波段0/Π MEMS移相器

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固体电子学研究与进展 2012年第1期32卷 68-72页

作者：郁元卫朱健姜理利施毅南京大学电子科学与工程学院南京210093 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016 南京电子器件研究所南京210016

报道了一种Ka波段实时延MEMS移相器芯片。该移相器基于开关线式移相器设计原理,集成了4个MEMS三端口直接接触式毫米波开关单元,使用共面波导（CPW）传输线,利用阶梯阻抗的方式实现传输线拐角和CPW空气桥结构的传输线阻抗匹配。芯片采用R... 详细信息

报道了一种Ka波段实时延MEMS移相器芯片。该移相器基于开关线式移相器设计原理,集成了4个MEMS三端口直接接触式毫米波开关单元,使用共面波导（CPW）传输线,利用阶梯阻抗的方式实现传输线拐角和CPW空气桥结构的传输线阻抗匹配。芯片采用RF MEMS表面牺牲层工艺制作在400μm厚的高阻硅衬底上,面积为1.4 mm×2.8 mm。测试显示,在34~36 GHz频率范围内,相移误差3.2°,插入损耗2 dB,反射损耗小于-15 dB。

关键词： Ka波段微机电系统移相器毫米波微机电系统开关开关线

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毫米波串联接触式RF MEMS开关的设计与制造

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固体电子学研究与进展 2012年第2期32卷 141-144页

作者：侯智昊朱锋郁元卫朱健南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016 南京大学电子科学与工程学院南京210096

设计了一种应用于毫米波波段的串联接触式RF MEMS开关。为了在毫米波波段获得较高的隔离度,通过使用短截线结构,以降低输入输出端口的耦合电容。为了获得可靠的金属接触,设计了一种改进型的"蟹形"桥结构。测试结果显示,在30G... 详细信息

设计了一种应用于毫米波波段的串联接触式RF MEMS开关。为了在毫米波波段获得较高的隔离度,通过使用短截线结构,以降低输入输出端口的耦合电容。为了获得可靠的金属接触,设计了一种改进型的"蟹形"桥结构。测试结果显示,在30GHz,插入损耗为-0.3dB,隔离度为-20dB。在DC～40GHz的频率范围内,插入损耗优于-0.5dB,隔离度优于-20dB。所设计的串联接触式RF MEMS开关,可应用于20～40GHz的频率范围内。

关键词：射频微机电系统开关串联接触式毫米波

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毫米波串联接触式MEMS开关的设计(英文)

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纳米技术与精密工程 2012年第4期10卷 318-321页

作者：侯智昊朱锋郁元卫朱健南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成电路和模块重点实验室南京210016 南京大学电子科学与工程学院南京210032

设计并制造了一种应用于毫米波波段的串联接触式RF MEMS开关.为了在毫米波波段获得较高的隔离度,在RF MEMS开关的输入、输出端口使用细长型的接触端,以降低输入、输出端口的耦合电容.为了获得较高的接触可靠性并降低开关的开启电压,RF M... 详细信息

设计并制造了一种应用于毫米波波段的串联接触式RF MEMS开关.为了在毫米波波段获得较高的隔离度,在RF MEMS开关的输入、输出端口使用细长型的接触端,以降低输入、输出端口的耦合电容.为了获得较高的接触可靠性并降低开关的开启电压,RF MEMS开关上电极结构使用蟹形梁结构.该RF MEMS开关利用南京电子器件研究所微纳米研发部的金表面工艺制备.所获得的RF MEMS开关,在30 GHz频率下,其插入损耗为-0.3 dB,隔离度为-20 dB.在20~40 GHz的频率范围内,其插入损耗均优于-0.5 dB,隔离度均优于-20 dB.

关键词： RFMEMS开关串联接触式毫米波

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基于AlGaN/GaN E/D器件设计环形振荡器

基于AlGaN/GaN E/D器件设计环形振荡器

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2012全国第十四届微波集成电路与移动通信学术年会

作者：陆海燕周建军孔月婵董逊孔岑耿习娇南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京 210016

基于0.8μm GaN HEMT E/D集成工艺设计并制备了17级GaN环形振荡器,采用两级缓冲输出,共采用38个晶体管.对GaN增强型和耗尽型器件进行详细的直流以及微波小信号测试,基于以上测试进行了设计.研制的17级环形振荡器采用反相器闭环结构,基... 详细信息

基于0.8μm GaN HEMT E/D集成工艺设计并制备了17级GaN环形振荡器,采用两级缓冲输出,共采用38个晶体管.对GaN增强型和耗尽型器件进行详细的直流以及微波小信号测试,基于以上测试进行了设计.研制的17级环形振荡器采用反相器闭环结构,基波的振荡频率为197.5MHz,振荡周期为5.06ns,平均每级反相器延迟为148ps.

关键词：环形振荡器电路设计增强型器件耗尽型器件

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实现高效率是GaN微波功放的第一要务

实现高效率是GaN微波功放的第一要务

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2012全国第十四届微波集成电路与移动通信学术年会

作者：邵凯南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

GaN HEMT技术的日益成熟为军民两个领域的应用带来了新一代微波大功率固态放大器,它比GaAs高一个数量级的输出功率密度是最吸引人的优点.但高输出功率密度同时也带来了高的电源消耗和热功耗.如果不解决这一问题,将给应用系统带来灾难性... 详细信息

GaN HEMT技术的日益成熟为军民两个领域的应用带来了新一代微波大功率固态放大器,它比GaAs高一个数量级的输出功率密度是最吸引人的优点.但高输出功率密度同时也带来了高的电源消耗和热功耗.如果不解决这一问题,将给应用系统带来灾难性后果.本文叙述了提高功放效率减少功耗的主要技术途径,报告了微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室与南京电子器件研究所在这方面的初步实验结果.如何实现GaN HEMT高效率工作是当前研究的热点，在高频段大家都看好E类功放。目前在器件研究方面是要在保持较高功率密度的同时尽可能提高Fmax，e，在电路设计方面是要研究各种准E类工作模式，以达到同时实现高频、宽带、高效、高功率密度的目的。

关键词：微波大功率固态放大器输出功率密度调制信号工作模式

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微米级线宽双台面套准精度的研究

微米级线宽双台面套准精度的研究

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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

作者：王雯陈刚陈谷然李理南京电子器件研究所南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 210016

在碳化硅(SiC)器件制造技术中光刻工艺是一个影响其他工艺宽容度的关键工艺，由于厚层介质掩膜在SiC器件中的重要作用，在小台面完成并且厚层介质掩膜生长后，为形成大台面而造成的套准精度的控制将严重影响SiC双台面结构的图形转移。... 详细信息

在碳化硅(SiC)器件制造技术中光刻工艺是一个影响其他工艺宽容度的关键工艺，由于厚层介质掩膜在SiC器件中的重要作用，在小台面完成并且厚层介质掩膜生长后，为形成大台面而造成的套准精度的控制将严重影响SiC双台面结构的图形转移。由于台面线宽在微米量级，因此套准精度控制不好就会造成SiC器件的短路问题。本论文通过对厚层介质掩膜下小台面与其上大台面光刻套准精度的研究，得到了优化后的光刻条件，使大台面与小台面之间的图形转移偏移量由lOOnm降至20nm以内，刻蚀后形成的SiC大台面与小台面套准良好，用于自主外延的SiC片制作的相关器件得到了良好结果。

关键词：碳化硅半导体器件制造线宽双台面光刻工艺套准精度厚层介质

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76.2mm Si基AlGaN/GaN HEMT

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固体电子学研究与进展 2012年第4期32卷 F0003-F0003页

作者：倪金玉孔岑周建军李忠辉陈堂胜南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

南京电子器件研究所采用含有双AIGaN过渡层的材料结构在76．2mm（3英寸）Si绀底上外延生长了厚度超过2μm的AIGaN／GaNHEMT材料（图1），材料表而光滑、无裂纹。通过外延材料结构和生长条件优化，

关键词： Si基南京电子器件研究所材料结构外延生长条件优化过渡层材料表

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0．15μm栅长Ka波段GaN功率HEMT器件

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固体电子学研究与进展 2012年第1期32卷 F0003-F0003页

作者：周建军董逊孔岑孔月婵李忠辉陈堂胜陈辰南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

宽带隙GaN基材料具有临界击穿场强高、峰值电子漂移速度高以及抗腐蚀、耐高温等优异的物理、化学性质，是研制高性能的固态毫米波器件的优选材料。AlGaN／GaNHEMT器件由于高浓度的二维电子气以及高的电子迁移率特性，使其在获得和GaAsPH... 详细信息

宽带隙GaN基材料具有临界击穿场强高、峰值电子漂移速度高以及抗腐蚀、耐高温等优异的物理、化学性质，是研制高性能的固态毫米波器件的优选材料。AlGaN／GaNHEMT器件由于高浓度的二维电子气以及高的电子迁移率特性，使其在获得和GaAsPHEMT同样频率特性的基础下可以获得更高的输出功率密度，

关键词： AlGaN/GaN HEMT器件功率密度 Ka波段电子迁移率频率特性毫米波器件二维电子气

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