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作者

  • 66 篇 陈堂胜
  • 60 篇 李忠辉
  • 49 篇 孔月婵
  • 33 篇 周建军
  • 30 篇 程伟
  • 29 篇 张有涛
  • 28 篇 陆海燕
  • 28 篇 董逊
  • 27 篇 张东国
  • 26 篇 彭大青
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  • 25 篇 陶洪琪
  • 22 篇 薛舫时
  • 19 篇 王元
  • 18 篇 孔岑
  • 17 篇 李亮
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  • 16 篇 郁元卫
  • 16 篇 倪金玉
  • 15 篇 牛斌

语言

  • 293 篇 中文
检索条件"机构=南京电子器件研究所微波毫米波单片和模块电路重点实验室"
293 条 记 录,以下是271-280 订阅
排序:
垂直异质集成PIN超大功率限幅器MMIC技术
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固体电子研究与进展 2021年 第2期41卷 F0003-F0003页
作者: 彭龙新 戴家赟 王钊 贾晨阳 杨进 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
南京电子器件研究所首次提出了PIN异质集成纵向结构超大高功率限幅器构想,引入现有MMIC限幅器不具有的纵向导电结构和SiC衬底的高导热特性,把Si薄层二极管转移到SiC衬底上,极大地提高了MMIC限幅器的耐功率。根据大功率要求,确定了材料结... 详细信息
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InP DHBT Ka波段四通道发射芯片
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固体电子研究与进展 2020年 第5期40卷 F0003-F0003页
作者: 潘晓枫 刘尧 张宇辰 徐波 程伟 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
基于南京电子器件研究所开发的0.7μm InP DHBT工艺,研制了一款工作在Ka波段的四通道变频发射芯片。该款芯片集成四倍频、功分、放大、检波、温度传感及逻辑控制等功能。在输入功率-18 dBm条件下,实测30~40 GHz内四个通道的四倍频差分... 详细信息
来源: 评论
Ku波段GaN T/R一体多功能MMIC的研制
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固体电子研究与进展 2016年 第3期36卷 257-页
作者: 彭龙新 任春江 戈勤 詹月 沈宏昌 李建平 彭建业 徐波 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016 南京电子器件研究所 南京210016
首次研制了国内第一块Ku波段GaN T/R一体多功能全单片芯片,该芯片集成了T/R的接收通道和发射通道。接收通道含功率输出开关、前级低噪声放大器、5位数字衰减器、后级低噪声放大器、小信号开关和5位数字移相器;发射通道含5位数字移相器... 详细信息
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金属掩膜的碳化硅及介质的干法刻蚀研究
金属掩膜的碳化硅及介质的干法刻蚀研究
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
作者: Gang Chen 陈刚 Quanhui Wang 王泉慧 Li Li 李理 Haiqi Liu 刘海琪 Song Bai 柏松 Nanjing Electronic Devices Institute Sctence and Technology on Monolithic lntegrated Circuits and M 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室210016
在碳化硅(SiC)器件制造技术中干法刻蚀是一个不可逆的关键工艺,刻蚀条件的变化造成SiC表面的粗糙度也出现明显不同。而对SiC的感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀来说,有光刻胶(PR)、镍(Ni)、铝、二氧化硅(SiO2)介质等多种掩膜方法。其中,... 详细信息
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多层集成电路中缺陷地引起的寄生基板模式
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太赫兹科学与电子信息学报 2022年 第6期20卷 626-630页
作者: 侯彦飞 王伯武 于伟华 程伟 孙岩 北京理工大学毫米波与太赫兹技术北京市重点实验室 北京100081 北京无线电测量研究所 北京100854 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 江苏南京210016
针对多层集成电路中由于共地面开窗引起的寄模问题,通过对比“窗口遮挡”形式和多种背孔阵列抑制寄生模传播效果,发现“窗口遮挡”形式在有效抑制寄生模传播的同时会极大地增加电路损耗,存在最简背孔阵列可以达到抑制寄生模传播的效果... 详细信息
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X波段100W GaAs单片大功率PIN限幅器
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固体电子研究与进展 2017年 第1期37卷 F0003-F0003页
作者: 彭龙新 李真 徐波 凌志健 李光超 彭劲松 微波毫米波单片集成和模块电路国家重点实验室 南京210016 南京电子器件研究所 南京210016
功率GaAsPIN限幅器已广泛地应用于微波系统中,以保护接收支路中的低噪声放大器。南京电子器件研究所研制出x波段100WGaAs单片大功率PIN限幅器。根据大功率要求,优化了GaAsPIN二极管的I层厚度和表面结构,建立了大、小信号模型,通过... 详细信息
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基于干法转移的柔性碳纳米管射频晶体管器件
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固体电子研究与进展 2022年 第3期42卷 F0003-F0003页
作者: 严可 杨扬 霍帅 张勇 王元 李忠辉 中国电科碳基电子重点实验室 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京210016
半导体型碳纳米管(CNT)作为准一维新型材料,兼具高迁移率、高柔性和高导热等特性,具有创新应用潜力,例如可在柔性电子主流衬底材料上实现高性能射频器件,提供信号无线收发功能,填补当前技术空白。南京电子器件研究所针对新兴的碳纳米管... 详细信息
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金刚石微波功率场效应晶体管
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固体电子研究与进展 2017年 第6期37卷 F0003-F0003页
作者: 郁鑫鑫 周建军 齐成军 曹正义 孔月婵 陈堂胜 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京电子器件研究所南京210016 天津电子材料研究所 天津300220
金刚石材料具有高热导率、高击穿场强、高硬度等众多的优异特性,在机械加工、光学系统、核探测器、声表器件、电力电子器件及大功率微波器件等众多领域具有重要的应用价值。由于现实及潜在的巨大军事、经济和技术价值,金刚石材料已经... 详细信息
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用于雷达T/R组件的SOI CMOS工艺射频芯片
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固体电子研究与进展 2015年 第2期35卷 F0003-F0003页
作者: 陈亮 陈新宇 张有涛 杨磊 南京电子器件研究所 国博电子有限公司南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
南京电子器件研究所国博电子有限公司基于0.18umSOICMOS工艺研制了多款用于相控阵雷达的射频芯片,包括1-1.7GHz有源下混频器、0.7~4GHz有源下混频器、X波段6位移相器和X波段5位衰减器,芯片照片见图1。下混频器集成了射频、本振放... 详细信息
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太赫兹磷化铟双异质结晶体管小信号等效电路模型研究
太赫兹磷化铟双异质结晶体管小信号等效电路模型研究
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2019年全国微波毫米波会议
作者: 陈亚培 张勇 孙岩 陆海燕 程伟 徐锐敏 极高频复杂系统重点学科实验室电子科技大学 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所
随着微波毫米波技术的发展,对于高精度电路仿真技术的要求越来越严格,而准确的太赫兹晶体管模型非常缺乏。本文针对这一问题,提出了一种新型双内电阻太赫兹磷化铟双异质结晶体管小信号模型,该模型针对0.5um*5um发射极晶体管实现了良好... 详细信息
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