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作者

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  • 60 篇 李忠辉
  • 49 篇 孔月婵
  • 33 篇 周建军
  • 30 篇 程伟
  • 29 篇 张有涛
  • 28 篇 陆海燕
  • 28 篇 董逊
  • 27 篇 张东国
  • 26 篇 彭大青
  • 25 篇 朱健
  • 25 篇 陶洪琪
  • 22 篇 薛舫时
  • 19 篇 王元
  • 18 篇 孔岑
  • 17 篇 李亮
  • 16 篇 张斌
  • 16 篇 郁元卫
  • 16 篇 倪金玉
  • 15 篇 牛斌

语言

  • 293 篇 中文
检索条件"机构=南京电子器件研究所微波毫米波单片和模块电路重点实验室"
293 条 记 录,以下是271-280 订阅
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重P型掺杂GaAsSb费米能级研究
重P型掺杂GaAsSb费米能级研究
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
作者: Hanehao Gao 高汉超 Zhijun Yin 尹志军 Wei Cheng 程伟 Yuan Wang 王元 Xiaojun Xu 许晓军 Zhonghui Li 李忠辉 Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratorys Nanjing Electronic 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京电子器件研究所南京 210016
重P型掺杂GaAsSb广泛用于InP HBT基区材料,重掺杂影响GaAsSb材料带隙和费米能级等重要参数,这些参数对设计高性能HBT起着关键作用。光荧光作为重要手段广泛用于研究重掺杂Ⅲ-Ⅴ族外延材料。本文通过光荧光方法研究了重掺杂GaAsSb费米能... 详细信息
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低真空条件下石墨烯薄膜的制备工艺研究
低真空条件下石墨烯薄膜的制备工艺研究
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
作者: Yun Li 李赟 Zhijun Yin 尹志军 Zhiming Zhu 朱志明 Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory Nanfing Electronic 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京电子器件研究所南京 210016
本文利用水平热壁式CVD外延炉开展了SiC热分解法制备石墨烯薄膜的实验,主要研究了不同的真空热处理时间对石墨烯薄膜生长的影响。SiC衬底的氢气在线刻蚀处理和热分解在同一炉次进行,高温时反应释放出之前吸附的氢气不能有效地被分子... 详细信息
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金属掩膜的碳化硅及介质的干法刻蚀研究
金属掩膜的碳化硅及介质的干法刻蚀研究
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
作者: Gang Chen 陈刚 Quanhui Wang 王泉慧 Li Li 李理 Haiqi Liu 刘海琪 Song Bai 柏松 Nanjing Electronic Devices Institute Sctence and Technology on Monolithic lntegrated Circuits and M 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室210016
在碳化硅(SiC)器件制造技术中干法刻蚀是一个不可逆的关键工艺,刻蚀条件的变化造成SiC表面的粗糙度也出现明显不同。而对SiC的感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀来说,有光刻胶(PR)、镍(Ni)、铝、二氧化硅(SiO2)介质等多种掩膜方法。其中,... 详细信息
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高质量GaN薄膜的MOCVD同质外延生长
高质量GaN薄膜的MOCVD同质外延生长
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
作者: Liang Li 李亮 Zhonghui Li 李忠辉 Weike Luo 罗伟科 Xu Dong 董逊 Daqing Peng 彭大青 Dongguo Zhang 张东国 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京电子器件研究所南京210016 Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory Nanjing Electronics Device InstituteNaning210016 China
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,在GaN自支撑衬底上同质外延生长了GaN薄膜,得到高质量的GaN外延薄膜。X射线衍射(XRD)结果显示其(002)面摇摆曲线半高宽小于100弧秒,原子力显微镜(AFM)照片上能看到连续的二维台阶流形貌,其表面租... 详细信息
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低温GaN插入层对AlGaN/GaN二维电子气特性的改善
低温GaN插入层对AlGaN/GaN二维电子气特性的改善
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
作者: Dongguo Zhaang 张东国 Zhonghui Li 李忠辉 Daqing Peng 彭大青 Xun Dong 董逊 Liang Li 李亮 Jinyu Ni 倪金玉 Science and Technology of Monolithic Integrated and Modules Circuits Key Laboratory Nanjing Electronic Devices Institute Nanfing 210016 China 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京电子器件研究所南京 210016
利用低压MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长了AlGaN/GaN二维电子气(2DEG)材料,在GaN生长中插入一层低温GaN,并研究了低温GaN插入层对二维电子气输运特性的影响。使用原子力显微镜(AFM)和非接触霍尔测试仪测量了材料的表面形貌和电学特性,发... 详细信息
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原位钝化和催化剂钝化沟道阱能带计算
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固体电子研究与进展 2011年 第4期31卷 319-327页
作者: 薛舫时 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
把Si3N4/AlGaN界面看成新的异质结,自洽求解薛定谔方程和泊松方程,建立起原位钝化和CATCVD钝化异质结构的新能带模型。运用这一模型,研究了原位钝化和CATCVD钝化异质结沟道阱的电子气密度、能带结构和输运性能,解释了相应的实验结果。... 详细信息
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AlInN三明治势垒GaN HFET
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固体电子研究与进展 2011年 第5期31卷 421-428,472页
作者: 薛舫时 孔月婵 董逊 周建军 李忠辉 陈辰 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
介绍了国际上AlInN势垒HFET的最新发展。从器件性能分析中发现这种新势垒显著提高了沟道电子气密度,增大了强场漂移速度,消除应变提高了器件可靠性和热稳定性,能在高温下有效工作,使GaN HFET研究走上新的台阶。但是薄势垒引起的大栅流... 详细信息
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SiC电力电子技术综述
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固体电子研究与进展 2011年 第3期31卷 213-217,262页
作者: 李宇柱 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
与硅相比,4H-SiC材料具有高功率、耐高温、高频、高集成度、高效率、高抗辐射等优势,是制作电力电子器件的理想材料,近十年以来SiC电力电子器件性能不断提高。回顾了SiC电力电子器件的发展,总结了材料、工艺和器件面对的技术问题。笔... 详细信息
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MMIC用多层磁膜电感研究
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固体电子研究与进展 2011年 第3期31卷 236-239,297页
作者: 孔岑 李辉 周建军 陈效建 陈辰 耿习娇 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
采用磁控溅射生长磁膜工艺,结合BCB(苯并环丁烯)平坦化技术,首次制作了"金属线圈/磁膜/金属线圈(M/F/M)"和"磁膜/金属线圈/磁膜/金属线圈(F/M/F/M)"两种结构的多层磁膜电感,整个工艺与标准MMIC工艺兼容。在2 GHz处,... 详细信息
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0.5μm AlGaN/GaN HEMT及其应用
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固体电子研究与进展 2011年 第5期31卷 433-437页
作者: 任春江 王泉慧 刘海琪 王雯 李忠辉 孔月婵 蒋浩 钟世昌 陈堂胜 张斌 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
报道了采用I线步进光刻实现的76.2 mm SiC衬底0.5μm GaN HEMT。器件正面工艺光刻均采用了I线步进光刻来实现,背面用通孔接地。栅脚介质刻蚀采用一种优化的低损伤RIE刻蚀方法实现了60°左右的侧壁倾斜角,降低了栅脚附近峰值电场强度... 详细信息
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