检索结果-内蒙古大学图书馆

固体电子学研究与进展 2021年第2期41卷 F0003-F0003页

作者：彭龙新戴家赟王钊贾晨阳杨进南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

南京电子器件研究所首次提出了PIN异质集成纵向结构超大高功率限幅器构想,引入现有MMIC限幅器不具有的纵向导电结构和SiC衬底的高导热特性,把Si薄层二极管转移到SiC衬底上,极大地提高了MMIC限幅器的耐功率。根据大功率要求,确定了材料结... 详细信息

南京电子器件研究所首次提出了PIN异质集成纵向结构超大高功率限幅器构想,引入现有MMIC限幅器不具有的纵向导电结构和SiC衬底的高导热特性,把Si薄层二极管转移到SiC衬底上,极大地提高了MMIC限幅器的耐功率。根据大功率要求,确定了材料结构N^(+)、P^(+)和I层等参数,设计了工艺方案和加工方法,基于自停止减薄技术实现超薄Si基PIN管芯转移,使用Au-Au热压键合的晶圆级低温异质键合互连技术,制成了超大功率限幅器。

关键词：异质集成热压键合限幅器 PIN管晶圆级超大功率纵向结构减薄技术

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InP DHBT Ka波段四通道发射芯片

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固体电子学研究与进展 2020年第5期40卷 F0003-F0003页

作者：潘晓枫刘尧张宇辰徐波程伟南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

基于南京电子器件研究所开发的0.7μm InP DHBT工艺,研制了一款工作在Ka波段的四通道变频发射芯片。该款芯片集成四倍频、功分、放大、检波、温度传感及逻辑控制等功能。在输入功率-18 dBm条件下,实测30~40 GHz内四个通道的四倍频差分... 详细信息

基于南京电子器件研究所开发的0.7μm InP DHBT工艺,研制了一款工作在Ka波段的四通道变频发射芯片。该款芯片集成四倍频、功分、放大、检波、温度传感及逻辑控制等功能。在输入功率-18 dBm条件下,实测30~40 GHz内四个通道的四倍频差分输出信号功率大于5 dBm,三次谐波抑制大于30 dBc,五次谐波抑制大于35 dBc。线性功率检波范围为-10~10 dBm(0.05 V/dBm),温度传感器检测范围为-55~125℃(1 mV/K)。图1-4展示了该款芯片的测试结果。

关键词： Ka波段温度传感 DHBT 四倍频 InP 五次谐波四通道三次谐波

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Ku波段GaN T/R一体多功能MMIC的研制

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固体电子学研究与进展 2016年第3期36卷 257-页

作者：彭龙新任春江戈勤詹月沈宏昌李建平彭建业徐波微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016 南京电子器件研究所南京210016

首次研制了国内第一块Ku波段GaN T/R一体多功能全单片芯片,该芯片集成了T/R的接收通道和发射通道。接收通道含功率输出开关、前级低噪声放大器、5位数字衰减器、后级低噪声放大器、小信号开关和5位数字移相器;发射通道含5位数字移相器... 详细信息

<正>首次研制了国内第一块Ku波段GaN T/R一体多功能全单片芯片,该芯片集成了T/R的接收通道和发射通道。接收通道含功率输出开关、前级低噪声放大器、5位数字衰减器、后级低噪声放大器、小信号开关和5位数字移相器;发射通道含5位数字移相器、小信号开关、驱动放大器、功率放大器和功率开关,如图1所示。在16~17 GHz工作频率内测得接收通道增益≥20±0.5 dB,噪声系数≤3.5 dB;发射通道增益约44 dB,饱和功率41 dBm(脉冲宽度100μs,10%占空比),功率附加效率约30%。

关键词：低噪声放大器移相器接收通道功率附加效率功率开关 Ku波段GaN T/R MMIC 噪声系数占空比衰减器

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金属掩膜的碳化硅及介质的干法刻蚀研究

金属掩膜的碳化硅及介质的干法刻蚀研究

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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

作者： Gang Chen 陈刚 Quanhui Wang 王泉慧 Li Li 李理 Haiqi Liu 刘海琪 Song Bai 柏松 Nanjing Electronic Devices Institute Sctence and Technology on Monolithic lntegrated Circuits and M 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室210016

在碳化硅(SiC)器件制造技术中干法刻蚀是一个不可逆的关键工艺,刻蚀条件的变化造成SiC表面的粗糙度也出现明显不同。而对SiC的感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀来说,有光刻胶(PR)、镍(Ni)、铝、二氧化硅(SiO2)介质等多种掩膜方法。其中,... 详细信息

在碳化硅(SiC)器件制造技术中干法刻蚀是一个不可逆的关键工艺,刻蚀条件的变化造成SiC表面的粗糙度也出现明显不同。而对SiC的感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀来说,有光刻胶(PR)、镍(Ni)、铝、二氧化硅(SiO2)介质等多种掩膜方法。其中,用Ni金属作为掩膜刻蚀SiC或介质易形成接近垂直的台阶,而采用光刻胶掩膜刻蚀SiC或介质则易形成缓坡台阶。本论文通过对Ni金属掩膜下采用ICP刻蚀SiC或介质的研究,得到了干法刻蚀SiC或介质的条件,形成的台阶接近垂直,刻蚀后的SiC表面光滑,SiC或介质与Ni的刻蚀比大于10：1。用于自主外延的SiC片制作的相关器件得到了良好结果。

关键词：半导体器件金属掩膜碳化硅干法刻蚀

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多层集成电路中缺陷地引起的寄生基板模式

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太赫兹科学与电子信息学报 2022年第6期20卷 626-630页

作者：侯彦飞王伯武于伟华程伟孙岩北京理工大学毫米波与太赫兹技术北京市重点实验室北京100081 北京无线电测量研究所北京100854 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室江苏南京210016

针对多层集成电路中由于共地面开窗引起的寄模问题,通过对比“窗口遮挡”形式和多种背孔阵列抑制寄生模传播效果,发现“窗口遮挡”形式在有效抑制寄生模传播的同时会极大地增加电路损耗,存在最简背孔阵列可以达到抑制寄生模传播的效果... 详细信息

针对多层集成电路中由于共地面开窗引起的寄模问题,通过对比“窗口遮挡”形式和多种背孔阵列抑制寄生模传播效果,发现“窗口遮挡”形式在有效抑制寄生模传播的同时会极大地增加电路损耗,存在最简背孔阵列可以达到抑制寄生模传播的效果。在不改变工艺结构的前提下,“双背孔”和“四背孔”形式可以分别满足200 GHz/300 GHz以下介质膜抑制需求,此时背孔所占面积最小,可以有效减小背孔排列密度,增加电路集成度。

关键词：多层集成电路寄生模薄膜微带线缺陷地

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X波段100W GaAs单片大功率PIN限幅器

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固体电子学研究与进展 2017年第1期37卷 F0003-F0003页

作者：彭龙新李真徐波凌志健李光超彭劲松微波毫米波单片集成和模块电路国家重点实验室南京210016 南京电子器件研究所南京210016

功率GaAsPIN限幅器已广泛地应用于微波系统中，以保护接收支路中的低噪声放大器。南京电子器件研究所研制出x波段100WGaAs单片大功率PIN限幅器。根据大功率要求，优化了GaAsPIN二极管的I层厚度和表面结构，建立了大、小信号模型，通过... 详细信息

功率GaAsPIN限幅器已广泛地应用于微波系统中，以保护接收支路中的低噪声放大器。南京电子器件研究所研制出x波段100WGaAs单片大功率PIN限幅器。根据大功率要求，优化了GaAsPIN二极管的I层厚度和表面结构，建立了大、小信号模型，通过优化设计，

关键词： PIN限幅器大功率单片 X波段南京电子器件研究所低噪声放大器 PIN二极管 GaAs

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基于干法转移的柔性碳纳米管射频晶体管器件

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固体电子学研究与进展 2022年第3期42卷 F0003-F0003页

作者：严可杨扬霍帅张勇王元李忠辉中国电科碳基电子重点实验室微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京210016

半导体型碳纳米管(CNT)作为准一维新型材料,兼具高迁移率、高柔性和高导热等特性,具有创新应用潜力,例如可在柔性电子主流衬底材料上实现高性能射频器件,提供信号无线收发功能,填补当前技术空白。南京电子器件研究所针对新兴的碳纳米管... 详细信息

半导体型碳纳米管(CNT)作为准一维新型材料,兼具高迁移率、高柔性和高导热等特性,具有创新应用潜力,例如可在柔性电子主流衬底材料上实现高性能射频器件,提供信号无线收发功能,填补当前技术空白。南京电子器件研究所针对新兴的碳纳米管薄膜材料,突破低维材料常用的湿法转移方法带来的局限,以避免转移过程中薄膜应力不均匀导致的褶皱、破损以及电学性能严重退化等问题,利用不同材料界面间范德华力的差异,开发了碳纳米管薄膜干法转移方法。

关键词：碳纳米管薄膜低维材料材料界面新型材料准一维柔性电子范德华力衬底材料

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金刚石微波功率场效应晶体管

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固体电子学研究与进展 2017年第6期37卷 F0003-F0003页

作者：郁鑫鑫周建军齐成军曹正义孔月婵陈堂胜微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京210016 天津电子材料研究所天津300220

金刚石材料具有高热导率、高击穿场强、高硬度等众多的优异特性，在机械加工、光学系统、核探测器、声表器件、电力电子器件及大功率微波器件等众多领域具有重要的应用价值。由于现实及潜在的巨大军事、经济和技术价值，金刚石材料已经... 详细信息

金刚石材料具有高热导率、高击穿场强、高硬度等众多的优异特性，在机械加工、光学系统、核探测器、声表器件、电力电子器件及大功率微波器件等众多领域具有重要的应用价值。由于现实及潜在的巨大军事、经济和技术价值，金刚石材料已经成为21世纪的战略材料之一。

关键词：大功率微波器件金刚石材料功率场效应晶体管电力电子器件高热导率击穿场强机械加工光学系统

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用于雷达T/R组件的SOI CMOS工艺射频芯片

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固体电子学研究与进展 2015年第2期35卷 F0003-F0003页

作者：陈亮陈新宇张有涛杨磊南京电子器件研究所国博电子有限公司南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

南京电子器件研究所国博电子有限公司基于0．18umSOICMOS工艺研制了多款用于相控阵雷达的射频芯片，包括1-1．7GHz有源下混频器、0．7～4GHz有源下混频器、X波段6位移相器和X波段5位衰减器，芯片照片见图1。下混频器集成了射频、本振放... 详细信息

南京电子器件研究所国博电子有限公司基于0．18umSOICMOS工艺研制了多款用于相控阵雷达的射频芯片，包括1-1．7GHz有源下混频器、0．7～4GHz有源下混频器、X波段6位移相器和X波段5位衰减器，芯片照片见图1。下混频器集成了射频、本振放大器，混频器以及中频放大器；X波段移相器和衰减器均集成了驱动器和ESD保护电路。该系列芯片解决了高集成度、小尺寸以及低功耗雷达T瓜组件的关键问题。

关键词：相控阵雷达射频芯片 T/R组件 CMOS工艺南京电子器件研究所 SOI ESD保护电路中频放大器

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太赫兹磷化铟双异质结晶体管小信号等效电路模型研究

太赫兹磷化铟双异质结晶体管小信号等效电路模型研究

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2019年全国微波毫米波会议

作者：陈亚培张勇孙岩陆海燕程伟徐锐敏极高频复杂系统重点学科实验室电子科技大学微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所

随着微波毫米波技术的发展,对于高精度电路仿真技术的要求越来越严格,而准确的太赫兹晶体管模型非常缺乏。本文针对这一问题,提出了一种新型双内电阻太赫兹磷化铟双异质结晶体管小信号模型,该模型针对0.5um*5um发射极晶体管实现了良好... 详细信息

随着微波毫米波技术的发展,对于高精度电路仿真技术的要求越来越严格,而准确的太赫兹晶体管模型非常缺乏。本文针对这一问题,提出了一种新型双内电阻太赫兹磷化铟双异质结晶体管小信号模型,该模型针对0.5um*5um发射极晶体管实现了良好的全频段多偏置S参数特性表征。

关键词：太赫兹技术小信号模型异质结晶体管等效电路模型

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