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  • 293 篇 电子文献
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  • 2 篇 微波毫米波单片集...
  • 2 篇 上海交通大学
  • 2 篇 空军装备部上海局

作者

  • 66 篇 陈堂胜
  • 60 篇 李忠辉
  • 49 篇 孔月婵
  • 33 篇 周建军
  • 30 篇 程伟
  • 29 篇 张有涛
  • 28 篇 陆海燕
  • 28 篇 董逊
  • 27 篇 张东国
  • 26 篇 彭大青
  • 25 篇 朱健
  • 25 篇 陶洪琪
  • 22 篇 薛舫时
  • 19 篇 王元
  • 18 篇 孔岑
  • 17 篇 李亮
  • 16 篇 张斌
  • 16 篇 郁元卫
  • 16 篇 倪金玉
  • 15 篇 牛斌

语言

  • 293 篇 中文
检索条件"机构=南京电子器件研究所微波毫米波单片和模块电路重点实验室"
293 条 记 录,以下是281-290 订阅
排序:
G波段AlN/GaN HEMT外延材料
收藏 引用
固体电子研究与进展 2020年 第3期40卷 F0003-F0003页
作者: 李传皓 彭大青 李忠辉 张东国 杨乾坤 吴少兵 孙岩 微波毫米波单片和集成电路重点实验室 南京电子器件研究所南京210016
南京电子器件研究所基于MOCVD平台,在100 mm SiC半绝缘衬底上,提出恒压式气流吹扫和台阶式流场调控技术分别应用于生长AlN/GaN异质结界面和AlN势垒层,显著改善了AlN/GaN异质结界面不清晰、Al原子表面扩散长度偏低的外延难题,研制出高性... 详细信息
来源: 评论
高质量GaN薄膜的MOCVD同质外延生长
高质量GaN薄膜的MOCVD同质外延生长
收藏 引用
第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
作者: Liang Li 李亮 Zhonghui Li 李忠辉 Weike Luo 罗伟科 Xu Dong 董逊 Daqing Peng 彭大青 Dongguo Zhang 张东国 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京电子器件研究所南京210016 Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory Nanjing Electronics Device InstituteNaning210016 China
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,在GaN自支撑衬底上同质外延生长了GaN薄膜,得到高质量的GaN外延薄膜。X射线衍射(XRD)结果显示其(002)面摇摆曲线半高宽小于100弧秒,原子力显微镜(AFM)照片上能看到连续的二维台阶流形貌,其表面租... 详细信息
来源: 评论
低温GaN插入层对AlGaN/GaN二维电子气特性的改善
低温GaN插入层对AlGaN/GaN二维电子气特性的改善
收藏 引用
第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
作者: Dongguo Zhaang 张东国 Zhonghui Li 李忠辉 Daqing Peng 彭大青 Xun Dong 董逊 Liang Li 李亮 Jinyu Ni 倪金玉 Science and Technology of Monolithic Integrated and Modules Circuits Key Laboratory Nanjing Electronic Devices Institute Nanfing 210016 China 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京电子器件研究所南京 210016
利用低压MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长了AlGaN/GaN二维电子气(2DEG)材料,在GaN生长中插入一层低温GaN,并研究了低温GaN插入层对二维电子气输运特性的影响。使用原子力显微镜(AFM)和非接触霍尔测试仪测量了材料的表面形貌和电学特性,发... 详细信息
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SOI基级联双微环滤波器研究
收藏 引用
电子技术 2017年 第2期37卷 104-107,111页
作者: 顾晓文 牛斌 郁鑫鑫 中国电子科技集团公司第五十五研究所 南京210016 砷化镓微波毫米波单片和模块电路国防科技重点实验室 南京210016
研究了基于绝缘衬底上的硅(SOI)材料的微环谐振器,实现了光滤波器的功能。采用电子束直写和干法刻蚀等工艺制作出SOI基微环谐振器,微环半径为74μm。测试结果表明,器件的自由频谱宽度(FSR)为1.238nm,1 550nm波长附近的抑制比大于10dB。... 详细信息
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16 Gb/s GaN数模转换器芯片
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固体电子研究与进展 2017年 第2期37卷 F0003-F0003页
作者: 张有涛 孔月婵 张敏 周建军 张凯 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所 南京210016 南京国博电子有限公司南京电子器件研究所 南京210016
南京电子器件研究所基于76.2mm(3英寸)0.1μm GaN工艺,采用f1/fmax分别为100GHz/165GHz的耗尽型晶体管设计,首次研制出16Gb/s的3bit DAC芯片。该芯片内核面积约为1.20mm×0.15mm。
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微波光子收/发模块技术
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电子技术 2022年 第4期42卷 241-247页
作者: 钱广 钱坤 何晓舟 王子彦 陈向飞 唐杰 王琛全 顾晓文 孔月婵 陈堂胜 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016 南京大学微结构国家实验室和现代工程与应用科学学院 南京210093 空军装备部上海局 上海200231
微波光子收/发模块微波光子系统中实现电光/光电转换等功能的核心部件,在雷达、电子对抗及通信等系统中均具有广泛应用。文章介绍了微波光子收/发模块结构原理和典型产品,论述了微波光子收/发模块未来发展趋势及关键技术。
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基于微环谐振腔的偏振转换器
基于微环谐振腔的偏振转换器
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全国第17次光纤通信暨第18届集成光学学术会议
作者: 吴鲁刚 黄梦昊 李思敏 牛斌 潘时龙 南京航空航天大学雷达成像与微波光子技术教育部重点实验室 南京电子器件研究所砷化镓微波毫米波单片和模块电路国防科技重点实验室
本文提出了一种基于微环谐振腔的偏振转换器,通过在耦合区引入非对称波导结构改变了光的偏振态。与传统直线型结构的偏振转换器相比,该器件尺寸变小,同时兼具偏振转换器和微环谐振器的特性,既能实现偏振转换,又具有微环谐振器滤波的能... 详细信息
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薄膜铌酸锂电光调制器研究进展
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电子技术 2021年 第3期41卷 159-166页
作者: 秦妍妍 吴立枢 陈泽贤 钱广 张晓阳 张彤 东南大学电子科学与工程学院 信息显示与可视化国际合作联合实验室南京210096 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016 东南大学苏州校区 苏州金属纳米光电技术重点实验室江苏苏州215123
从铌酸锂电光调制器的工作原理出发,介绍了不同种类的薄膜铌酸锂波导技术和近年来部分具有代表性的薄膜铌酸锂电光调制器研究进展,并对未来发展面临的挑战和前景进行了展望。
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基于InP DHBT工艺的140 GHz单片功率放大器
收藏 引用
固体电子研究与进展 2016年 第5期36卷 435-页
作者: 程伟 孙岩 王元 陆海燕 常龙 李骁 张勇 徐锐敏 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所 南京210016 电子科技大学 成都611731
磷化铟双异质结双极型晶体管(InP DHBT)具有超高频、高击穿等优点,在亚毫米波/太赫兹单片集成功率放大器应用方面具有独特优势。南京电子器件研究所基于76.2 mm InP DHBT圆片工艺,在国内首次研制出140 GHz单片集成功率放大器,该电路使... 详细信息
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铌酸锂薄膜高速电光开关的设计与制备
收藏 引用
电子技术 2023年 第1期43卷 7-10,16页
作者: 唐杰 王子彦 钱坤 何晓舟 潘时龙 王琛全 顾晓文 钱广 孔月婵 陈堂胜 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016 南京电子器件研究所 南京210016 南京航空航天大学电子信息工程学院 南京211106 空军装备部上海局 上海200231
基于硅基铌酸锂薄膜(Lithium Niobate on insulator,LNOI)材料平台,设计并制备了高速电光开关芯片,并实现了芯片的光纤耦合、管壳封装和性能测试。测试结果表明,该高速电光开关器件的开关速度达到13.4 ns,消光比达到31.8 dB。研究工作... 详细信息
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