检索结果-内蒙古大学图书馆

固体电子学研究与进展 2020年第3期40卷 F0003-F0003页

作者：李传皓彭大青李忠辉张东国杨乾坤吴少兵孙岩微波毫米波单片和集成电路重点实验室南京电子器件研究所南京210016

南京电子器件研究所基于MOCVD平台,在100 mm SiC半绝缘衬底上,提出恒压式气流吹扫和台阶式流场调控技术分别应用于生长AlN/GaN异质结界面和AlN势垒层,显著改善了AlN/GaN异质结界面不清晰、Al原子表面扩散长度偏低的外延难题,研制出高性... 详细信息

南京电子器件研究所基于MOCVD平台,在100 mm SiC半绝缘衬底上,提出恒压式气流吹扫和台阶式流场调控技术分别应用于生长AlN/GaN异质结界面和AlN势垒层,显著改善了AlN/GaN异质结界面不清晰、Al原子表面扩散长度偏低的外延难题,研制出高性能AlN/GaN HEMT外延材料。图1为AFM 5μm×5μm范围下的表面形貌,势垒层表面平整,原子台阶明显,RMS=0.3 nm,且无明显缺陷。

关键词：外延材料势垒层扩散长度异质结界面 HEMT 表面平整 MOCVD 半绝缘衬底

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高质量GaN薄膜的MOCVD同质外延生长

高质量GaN薄膜的MOCVD同质外延生长

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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

作者： Liang Li 李亮 Zhonghui Li 李忠辉 Weike Luo 罗伟科 Xu Dong 董逊 Daqing Peng 彭大青 Dongguo Zhang 张东国微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京210016 Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory Nanjing Electronics Device InstituteNaning210016 China

采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,在GaN自支撑衬底上同质外延生长了GaN薄膜,得到高质量的GaN外延薄膜。X射线衍射(XRD)结果显示其(002)面摇摆曲线半高宽小于100弧秒,原子力显微镜(AFM)照片上能看到连续的二维台阶流形貌,其表面租... 详细信息

采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,在GaN自支撑衬底上同质外延生长了GaN薄膜,得到高质量的GaN外延薄膜。X射线衍射(XRD)结果显示其(002)面摇摆曲线半高宽小于100弧秒,原子力显微镜(AFM)照片上能看到连续的二维台阶流形貌,其表面租糙度小于0.5nm,其位错密度低于l06cm-3。

关键词：半导体薄膜氮化镓同质外延金属有机化学气相沉积

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低温GaN插入层对AlGaN/GaN二维电子气特性的改善

低温GaN插入层对AlGaN/GaN二维电子气特性的改善

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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

作者： Dongguo Zhaang 张东国 Zhonghui Li 李忠辉 Daqing Peng 彭大青 Xun Dong 董逊 Liang Li 李亮 Jinyu Ni 倪金玉 Science and Technology of Monolithic Integrated and Modules Circuits Key Laboratory Nanjing Electronic Devices Institute Nanfing 210016 China 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京 210016

利用低压MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长了AlGaN/GaN二维电子气(2DEG)材料,在GaN生长中插入一层低温GaN,并研究了低温GaN插入层对二维电子气输运特性的影响。使用原子力显微镜(AFM)和非接触霍尔测试仪测量了材料的表面形貌和电学特性,发... 详细信息

利用低压MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长了AlGaN/GaN二维电子气(2DEG)材料,在GaN生长中插入一层低温GaN,并研究了低温GaN插入层对二维电子气输运特性的影响。使用原子力显微镜(AFM)和非接触霍尔测试仪测量了材料的表面形貌和电学特性,发现低温GaN插入层可以改善材料表面平整度并使AlGaN/GaN2DEG的电子迁移率有明显提高,GaN插入层温度为860℃的样品2DEG的电子迁移率达到2110 cm2/V.s。

关键词：异质结半导体低温氮化镓插入层二维电子气性能改善电子迁移率

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SOI基级联双微环滤波器研究

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光电子技术 2017年第2期37卷 104-107,111页

作者：顾晓文牛斌郁鑫鑫中国电子科技集团公司第五十五研究所南京210016 砷化镓微波毫米波单片和模块电路国防科技重点实验室南京210016

研究了基于绝缘衬底上的硅(SOI)材料的微环谐振器,实现了光滤波器的功能。采用电子束直写和干法刻蚀等工艺制作出SOI基微环谐振器,微环半径为74μm。测试结果表明,器件的自由频谱宽度(FSR)为1.238nm,1 550nm波长附近的抑制比大于10dB。... 详细信息

研究了基于绝缘衬底上的硅(SOI)材料的微环谐振器,实现了光滤波器的功能。采用电子束直写和干法刻蚀等工艺制作出SOI基微环谐振器,微环半径为74μm。测试结果表明,器件的自由频谱宽度(FSR)为1.238nm,1 550nm波长附近的抑制比大于10dB。通过对微环谐振器进行热调谐,在0~4V电压范围内实现了大于一个FSR的可调谐滤波特性。

关键词：绝缘衬底上硅微环谐振器光栅耦合可调谐

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16 Gb/s GaN数模转换器芯片

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固体电子学研究与进展 2017年第2期37卷 F0003-F0003页

作者：张有涛孔月婵张敏周建军张凯微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京210016 南京国博电子有限公司南京电子器件研究所南京210016

南京电子器件研究所基于76．2mm（3英寸）0．1μm GaN工艺，采用f1／fmax分别为100GHz／165GHz的耗尽型晶体管设计，首次研制出16Gb／s的3bit DAC芯片。该芯片内核面积约为1．20mm×0．15mm。

关键词： DAC芯片 b/s GaN 数模转换器南京电子器件研究所晶体管设计耗尽型

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微波光子收/发模块技术

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光电子技术 2022年第4期42卷 241-247页

作者：钱广钱坤何晓舟王子彦陈向飞唐杰王琛全顾晓文孔月婵陈堂胜南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016 南京大学微结构国家实验室和现代工程与应用科学学院南京210093 空军装备部上海局上海200231

微波光子收/发模块是微波光子系统中实现电光/光电转换等功能的核心部件,在雷达、电子对抗及通信等系统中均具有广泛应用。文章介绍了微波光子收/发模块结构原理和典型产品,论述了微波光子收/发模块未来发展趋势及关键技术。

关键词：微波光子收/发模块光电集成

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基于微环谐振腔的偏振转换器

基于微环谐振腔的偏振转换器

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全国第17次光纤通信暨第18届集成光学学术会议

作者：吴鲁刚黄梦昊李思敏牛斌潘时龙南京航空航天大学雷达成像与微波光子技术教育部重点实验室南京电子器件研究所砷化镓微波毫米波单片和模块电路国防科技重点实验室

本文提出了一种基于微环谐振腔的偏振转换器,通过在耦合区引入非对称波导结构改变了光的偏振态。与传统直线型结构的偏振转换器相比,该器件尺寸变小,同时兼具偏振转换器和微环谐振器的特性,既能实现偏振转换,又具有微环谐振器滤波的能... 详细信息

本文提出了一种基于微环谐振腔的偏振转换器,通过在耦合区引入非对称波导结构改变了光的偏振态。与传统直线型结构的偏振转换器相比,该器件尺寸变小,同时兼具偏振转换器和微环谐振器的特性,既能实现偏振转换,又具有微环谐振器滤波的能力。仿真结果显示,输入横电模(TE模)光波,满足微环谐振条件的光波从下载端输出,且转换为横磁模(TM模),不满足谐振条件的光波从直通端输出,偏振态保持不变。

关键词：集成光子偏振转换器微环谐振器

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薄膜铌酸锂电光调制器研究进展

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光电子技术 2021年第3期41卷 159-166页

作者：秦妍妍吴立枢陈泽贤钱广张晓阳张彤东南大学电子科学与工程学院信息显示与可视化国际合作联合实验室南京210096 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016 东南大学苏州校区苏州金属纳米光电技术重点实验室江苏苏州215123

从铌酸锂电光调制器的工作原理出发,介绍了不同种类的薄膜铌酸锂波导技术和近年来部分具有代表性的薄膜铌酸锂电光调制器研究进展,并对未来发展所面临的挑战和前景进行了展望。

关键词：薄膜铌酸锂电光调制器光子集成

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基于InP DHBT工艺的140 GHz单片功率放大器

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固体电子学研究与进展 2016年第5期36卷 435-页

作者：程伟孙岩王元陆海燕常龙李骁张勇徐锐敏微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京210016 电子科技大学成都611731

磷化铟双异质结双极型晶体管(InP DHBT)具有超高频、高击穿等优点,在亚毫米波/太赫兹单片集成功率放大器应用方面具有独特优势。南京电子器件研究所基于76.2 mm InP DHBT圆片工艺,在国内首次研制出140 GHz单片集成功率放大器,该电路使... 详细信息

磷化铟双异质结双极型晶体管(InP DHBT)具有超高频、高击穿等优点,在亚毫米波/太赫兹单片集成功率放大器应用方面具有独特优势。南京电子器件研究所基于76.2 mm InP DHBT圆片工艺,在国内首次研制出140 GHz单片集成功率放大器,该电路使用多层布线工艺以实现低损耗的薄膜介质微带线。电路拓扑方面,采用4级放大结构,末级采用4个发射极宽度0.5μm的单指InP DHBT器件进行功率合成,芯片面积约为2.0 mm×1.9mm。

关键词： DHBT 单片集成功率放大器 InP DHBT

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铌酸锂薄膜高速电光开关的设计与制备

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光电子技术 2023年第1期43卷 7-10,16页

作者：唐杰王子彦钱坤何晓舟潘时龙王琛全顾晓文钱广孔月婵陈堂胜微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016 南京电子器件研究所南京210016 南京航空航天大学电子信息工程学院南京211106 空军装备部上海局上海200231

基于硅基铌酸锂薄膜(Lithium Niobate on insulator,LNOI)材料平台,设计并制备了高速电光开关芯片,并实现了芯片的光纤耦合、管壳封装和性能测试。测试结果表明,该高速电光开关器件的开关速度达到13.4 ns,消光比达到31.8 dB。研究工作... 详细信息

基于硅基铌酸锂薄膜(Lithium Niobate on insulator,LNOI)材料平台,设计并制备了高速电光开关芯片,并实现了芯片的光纤耦合、管壳封装和性能测试。测试结果表明,该高速电光开关器件的开关速度达到13.4 ns,消光比达到31.8 dB。研究工作对未来研制光学延时芯片和波束形成网络芯片具有重要的支撑意义。

关键词：铌酸锂薄膜电光开关光学波束形成

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