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作者

  • 66 篇 陈堂胜
  • 60 篇 李忠辉
  • 49 篇 孔月婵
  • 33 篇 周建军
  • 30 篇 程伟
  • 29 篇 张有涛
  • 28 篇 陆海燕
  • 28 篇 董逊
  • 27 篇 张东国
  • 26 篇 彭大青
  • 25 篇 朱健
  • 25 篇 陶洪琪
  • 22 篇 薛舫时
  • 19 篇 王元
  • 18 篇 孔岑
  • 17 篇 李亮
  • 16 篇 张斌
  • 16 篇 郁元卫
  • 16 篇 倪金玉
  • 15 篇 牛斌

语言

  • 293 篇 中文
检索条件"机构=南京电子器件研究所微波毫米波单片和模块电路重点实验室"
293 条 记 录,以下是281-290 订阅
排序:
利用低温插入层改善GaN外延层晶体质量研究
收藏 引用
固体电子研究与进展 2011年 第4期31卷 328-330,344页
作者: 张东国 李忠辉 孙永强 董逊 李亮 彭大青 倪金玉 章咏梅 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
采用MOCVD系统在蓝宝石衬底上生长了GaN外延薄膜,在高温GaN生长中插入了低温GaN。通过改变低温GaN的生长温度和/比得到不同样品。对样品薄膜进行了高分辨X射线衍射(HRXRD)和光致发光谱(PL)测试,PL半峰宽变化不大,XRD半峰宽有明显变化。... 详细信息
来源: 评论
AlGaN/GaN/AlGaN双异质结材料生长及性质研究
收藏 引用
固体电子研究与进展 2011年 第5期31卷 429-432页
作者: 董逊 孔月婵 周建军 倪金玉 李忠辉 李亮 张东国 彭大青 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
基于能带理论设计并利用MOCVD技术在76.2 mm蓝宝石衬底上生长了不同GaN沟道层厚度的AlGaN/GaN/AlGaN双异质结材料。温霍尔测试结果表明:双异质结材料的二维电子气面密度随沟道层厚度增加有升高并趋于饱和;二维电子气迁移率则随沟道... 详细信息
来源: 评论
2700V 4H-SiC结势垒肖特基二极管
收藏 引用
固体电子研究与进展 2011年 第3期31卷 223-225,232页
作者: 倪炜江 李宇柱 李哲洋 李赟 王雯 贾铃铃 柏松 陈辰 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
在76.2 mm 4H-SiC晶圆上采用厚外延技术和器件制作工艺研制的结势垒肖特基二极管(JBS)。在温下,器件反向耐压达到2 700 V。正向开启电压为0.8 V,在V_F=2 V时正向电流密度122 A/cm^2,比导通电阻R_(on)=8.8 mΩ·cm^2。得到肖特基... 详细信息
来源: 评论
Ku波段宽带大功率多芯片合成设计
收藏 引用
固体电子研究与进展 2011年 第6期31卷 563-567页
作者: 王晔 成海峰 张斌 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
设计针对多个Ku波段宽带MMIC功率放大芯片进行大功率合成。对波导多路功率合成结构进行了分析,基于单个Ku波段6W功放单片,进行了16路的功率合成,研制出了工作在12~17GHz,带宽达到6GHz的固态功率放大器。通过测试发现该固态功率放大器... 详细信息
来源: 评论
优化主氢流量及C/Si比提高76.2 mm 4H-SiC同质外延浓度均匀性
收藏 引用
固体电子研究与进展 2011年 第3期31卷 218-222页
作者: 李赟 孙永强 高汉超 许晓军 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
源在外延片直径方向上的耗尽导致了外延片上局部各点的生长速率及掺杂浓度是个随位置变化的量,因此造成了外延片厚度及浓度的不均匀性。通过引入基座气浮旋转可以有效降低这种不均匀性,在典型工艺条件下,采用基座旋转,76.2 mm 4H-SiC外... 详细信息
来源: 评论
单通道8bit 1.4 GS/s折叠内插ADC
收藏 引用
固体电子研究与进展 2011年 第4期31卷 393-397页
作者: 张有涛 李晓鹏 张敏 刘奡 钱峰 陈辰 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
基于0.18μm CMOS工艺设计并实现了一种8 bit 1.4 GS/s ADC。芯片采用多级级联折叠内插结构降低集成度,片内实现了电阻失调平均和数字辅助失调校准。测试结果表明,ADC在1.4 GHz采样率下,有效位达6.4bit,功耗小于480 mW。文章提的综合... 详细信息
来源: 评论
含有Al组分阶变AlGaN过渡层的Si基AlGaN/GaNHEMT
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固体电子研究与进展 2011年 第6期31卷 527-531页
作者: 倪金玉 董逊 周建军 孔岑 李忠辉 李亮 彭大青 张东国 陆海燕 耿习娇 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
采用一个AlN缓冲层和两个Al组分阶变的AlGaN过渡层作为中间层,在76.2mm Si衬底上外延生长出1.7μm厚无裂纹AlGaN/GaN异质结材料,利用原子力显微镜、X射线衍射、Hall效应测量和CV测量等手段对材料的结构特性和电学性能进行了表征。材料... 详细信息
来源: 评论
八胞合成X波段140W AlGaN/GaN HEMT的研究与应用
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固体电子研究与进展 2011年 第5期31卷 442-444,493页
作者: 钟世昌 陈堂胜 张斌 任春江 陈辰 高涛 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
主要研究第三代半导体AlGaN/GaN功率管内匹配问题。采用8个2.5 mm GaN功率芯片设计、合成以及内匹配电路的测试,在漏极电压40 V,脉冲占空比10%,脉宽100μs的条件下进行功率匹配,实现了GaN功率HEMT在X波段8 GHz 140 W功率输出的内匹配电... 详细信息
来源: 评论
B^+注入隔离在宽禁带半导体中的应用
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固体电子研究与进展 2011年 第3期31卷 233-235,291页
作者: 李春 陈刚 李宇柱 周建军 李肖 南京电子器件研究所 南京210016 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
利用B^+离子注入实现宽禁带半导体的有源层隔离。通过Monte Carlo软件TRIM模拟,优化离子注入能量和剂量。在SiC MESFET中测量两组不同条件的样品及在GaN HEMT测量了三组同种条件的样品都得到了纳安级电流,表现了很好的隔离效果;通过测... 详细信息
来源: 评论
SiC MESFET高温工作寿命研究
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固体电子研究与进展 2011年 第4期31卷 331-334页
作者: 李理 柏松 陈刚 蒋浩 陈征 李赟 陈辰 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成电路和模块重点实验室南京210016
对在76.2 mm 4H-SiC半绝缘衬底上研制的SiC MESFET进行了高温工作寿命试验,试验结果表明采用Au/Ti/欧姆接触结构的器件在结温275℃条件下工作500 h后,饱和电流下降幅度超过了29%,器件均发生失效。分析表明器件失效的主要原因是Ti层扩散... 详细信息
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