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语言

  • 293 篇 中文
检索条件"机构=南京电子器件研究所微波毫米波单片和模块电路重点实验室"
293 条 记 录,以下是291-300 订阅
排序:
GaN HEMT的温度特性及其应用
收藏 引用
固体电子研究与进展 2011年 第3期31卷 226-232页
作者: 任春江 陈堂胜 余旭明 张斌 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成模块和电路国家重点实验室南京210016
对0.25μm双场板结构GaN HEMT器件的温度特性进行了研究。负载牵引测试结果显示,GaN HEMT增益的温度系数为-0.02 dB/℃、饱和输出功率系数为-0.004 dB/℃。大的增益温度系数结合GaN HEMT自热效应引起的高温升对实际应用特别是功率MMIC... 详细信息
来源: 评论
S波段35WGaN功率MMIC
收藏 引用
固体电子研究与进展 2011年 第6期31卷 532-535页
作者: 余旭明 洪伟 张斌 陈堂胜 陈辰 东南大学毫米波国家重点实验室 南京210096 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
报道了一款采用两级拓扑结构的2~4GHz宽带高功率单片微波功率放大器芯片。放大器采用了微带结构,并使用电抗匹配进行设计,重点在于宽带功率效率平坦化设计。经匹配优化后放大器在2~4GHz整个频带内脉冲输出功率大于35W,小信号增益达到2... 详细信息
来源: 评论
fmax=325GHz的多指共基极InGaAs/InPDHBT
收藏 引用
固体电子研究与进展 2011年 第5期31卷 F0003-F0003页
作者: 程伟 赵岩 王元 陆海燕 高汉超 陈辰 杨乃彬 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
数字化和高频化是现代雷达和通信系统的两个重要发展方向。InPDHBT具有十分优异的高频特性、良好的器件一致性、高线性度以及极低的1/f噪声等优点,因而在超高速数模混合电路毫米波/亚毫米波单片集成电路方面具有广阔应用前景。南... 详细信息
来源: 评论