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语言

  • 293 篇 中文
检索条件"机构=南京电子器件研究所微波毫米波单片和模块电路重点实验室"
293 条 记 录,以下是61-70 订阅
排序:
X波段20 W高效率负载调制平衡放大器MMIC
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固体电子研究与进展 2022年 第1期42卷 5-9,21页
作者: 印政 陶洪琪 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
报道了一款采用0.25μm GaN HEMT工艺的8~12 GHz高效率负载调制平衡放大器(Load-modulated balanced amplifier,LMBA)。高峰均比信号传输场景中,功率放大器的效率性能会在输出功率回退区间内急剧恶化。基于LMBA技术,结合有源负载调制与... 详细信息
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硅基异构三维集成技术研究进展
收藏 引用
固体电子研究与进展 2021年 第1期41卷 1-9页
作者: 郁元卫 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
为满足电子系统小型化高密度集成、多功能高性能集成、小体积低成本集成的需求,硅基异构集成和三维集成成为下一代集成电路的使能技术,成为当前和今后的研究热点。硅基三维集成微系统可集成化合物半导体、CMOS、MEMS等芯片,充分发挥材... 详细信息
来源: 评论
1700V碳化硅MOSFET设计
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固体电子研究与进展 2014年 第6期34卷 510-513页
作者: 黄润华 陶永洪 柏松 陈刚 汪玲 刘奥 卫能 李赟 赵志飞 南京电子器件研究所 微波毫米波单片和模块电路重点实验室南京210016
设计了一种击穿电压大于1 700V的SiC MOSFET器件。采用有限元仿真的方法对器件的外延掺杂浓度及厚度、有源区结构以及终端保护效率进行了优化。器件采用14μm厚、掺杂浓度为5×1015cm-3的N型低掺杂区。终端保护结构采用保护环结构... 详细信息
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K波段2.5 W GaN功率MMIC设计
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固体电子研究与进展 2018年 第1期38卷 6-11页
作者: 郭润楠 张斌 陶洪琪 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
报道了一款采用0.15μm GaN功率MMIC工艺研制的功率放大器芯片。芯片工作在5G毫米波候选频段24.75~27.50GHz,采用三级放大结构。结合小信号参数和带有预匹配的Load-pull进行设计,末级匹配电路使用宽带匹配拓扑,在满足输出功率的条件下,... 详细信息
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RF MEMS开关封装的通孔工艺研究
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固体电子研究与进展 2012年 第1期32卷 83-87页
作者: 江钧 朱健 贾世星 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
将喷胶技术应用到金属互联工艺中,此方法可以用于器件的封装。具体工艺步骤如下:在衬底与硅帽键合结束后在底部湿法刻蚀孔200μm。在孔中利用PECVD生长SiO2,优化喷胶工艺在盲孔底部进行光刻,RIE除去SiO2后电镀金与衬底正面器件实现金属... 详细信息
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截止频率0.8 THz的GaN肖特基二极管及其设计
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固体电子研究与进展 2022年 第1期42卷 10-15页
作者: 代鲲鹏 张凯 李传皓 范道雨 步绍姜 吴少兵 林罡 陈堂胜 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
通过设计圆形阳极以及相同面积不同周长的指形阳极,研究了不同阳极周长面积比对太赫兹频段内GaN肖特基二极管串联电阻的影响。在阳极面积分别为7.1、12.6、19.6μm^(2)时,采用圆形阳极的二极管串联电阻分别为14、11、6Ω。相同面积下采... 详细信息
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InAlGaN超薄势垒层结构高频GaN HEMT器件
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固体电子研究与进展 2017年 第5期37卷 299-302页
作者: 朱广润 孔月婵 张凯 郁鑫鑫 陈堂胜 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
提出了一种基于SiC衬底的高性能InAlGaN/AlN/GaN HEMT器件。采用电子束技术实现栅长为80nm的高深宽比(栅脚高度与栅长的比值)T型栅结构。测试结果表明,超薄势垒层结构对于器件短沟道效应具有较好的抑制作用,在Ids=1mA/mm时器件的DIBL=16... 详细信息
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Q波段2W平衡式GaAs pHEMT功率MMIC
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固体电子研究与进展 2016年 第4期36卷 293-297页
作者: 陶洪琪 张斌 周强 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所 南京210016
报道了一款采用0.15μm GaAs功率MMIC工艺研制的Q波段平衡式功率放大器芯片。芯片采用Lange耦合器进行功率合成。在该平台工艺规则限制条件下,按照传统设计方法设计的Lange耦合器无法满足平衡式放大器设计需求。文中提出了解决方法,对La... 详细信息
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0.1~2.0 GHz 10W GaN单片行波放大器
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固体电子研究与进展 2017年 第5期37卷 307-311页
作者: 韩程浩 叶川 陶洪琪 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所 南京210096
报道了一款采用0.25μm GaN功率MMIC工艺研制的0.1~2.0 GHz超宽带功率放大器芯片。芯片采用非均匀分布式拓扑结构进行设计。在管芯栅极端设计稳定结构来提高电路的整体稳定性,在漏极端采用阻抗渐变的方式进行电路匹配,从而提高电路的效... 详细信息
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基于功率合成技术的75~115GHz六倍频源
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电子学报 2015年 第9期43卷 1864-1869页
作者: 姚常飞 陈振华 周明 罗运生 许从海 郁建 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 江苏南京210016 南京电子器件研究所微波毫米波模块电路事业部 江苏南京210016 南京信息工程大学电子与信息工程学院 江苏南京210044
本文采用混合集成技术,实现了75~115GHz的w波段六倍频功率合成信号源.其Ku波段输入信号经有源二倍频、功分及放大后,输出两路各约24dBm的Ka波段信号,以驱动75~115GHz三倍频器,变阻二极管基于南京电子器件研究所(NEDI)的GaAs工... 详细信息
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