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  • 18 篇 孔岑
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  • 16 篇 张斌
  • 16 篇 郁元卫
  • 16 篇 倪金玉
  • 15 篇 牛斌

语言

  • 293 篇 中文
检索条件"机构=南京电子器件研究所微波毫米波单片和模块电路重点实验室"
293 条 记 录,以下是61-70 订阅
排序:
60 GHz带宽石墨烯光电探测器
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固体电子研究与进展 2022年 第6期42卷 F0003-F0003页
作者: 陶然 吴云 曹正义 王东辰 李冠宇 李忠辉 南京电子器件研究所 中国电子科技集团有限公司碳基电子重点实验室微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
针对石墨烯光电探测器的感光增强、光生载流子分离等技术难点,南京电子器件研究所结合前期石墨烯器件电路的研制经验,建立了一套低损伤、高扩展性的短间距曲折沟道与异种电极一体化的制备工艺。有效降低了石墨烯的欧姆接触电阻,并使... 详细信息
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GaN HFET中的实时能带和电流崩塌
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固体电子研究与进展 2019年 第5期39卷 313-323,389页
作者: 薛舫时 杨乃彬 郁鑫鑫 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室
从场效应管能带和能带峰耗尽的新概念出发,提出了研究GaN HFET射频工作中实时能带的新课题。运用自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程的能带计算软件详细计算了不同栅压和漏压下的实时稳态能带,由此求出各种实时能带下的局域电子气密度和... 详细信息
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柔性石墨烯放大器MMIC
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固体电子研究与进展 2021年 第5期41卷 F0003-F0003页
作者: 吴云 孙岩 曹正义 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
石墨烯兼具高电子迁移率以及优良机械韧性的优点,石墨烯同柔性衬底的结合有望突破柔性电子高频化的技术瓶颈,推进柔性电子的在携式无线通讯、监护电子等方面的应用进程。然而,由于一直没找到合适的衬底以及兼容的集成工艺,柔性石墨烯器... 详细信息
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1~8 GHz GaN 10 W 巴伦型分布式功率放大器
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固体电子研究与进展 2019年 第3期39卷 159-162,178页
作者: 韩程浩 陶洪琪 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室
报道了一款采用0.25μm GaN HEMT工艺研制的1~8GHz超宽带分布式功率放大器芯片。通过在芯片的输出端设计超宽带巴伦结构,来实现负载阻抗变换,以提高分布式电路的输出功率和效率特性。为了提高电路的增益,设计了一种两级非均匀式的电路... 详细信息
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垂直异质集成PIN超大功率限幅器MMIC技术
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固体电子研究与进展 2021年 第2期41卷 F0003-F0003页
作者: 彭龙新 戴家赟 王钊 贾晨阳 杨进 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
南京电子器件研究所首次提出了PIN异质集成纵向结构超大高功率限幅器构想,引入现有MMIC限幅器不具有的纵向导电结构和SiC衬底的高导热特性,把Si薄层二极管转移到SiC衬底上,极大地提高了MMIC限幅器的耐功率。根据大功率要求,确定了材料结... 详细信息
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双模式高集成负电荷泵电路设计
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固体电子研究与进展 2020年 第1期40卷 53-59页
作者: 李亚军 李晓鹏 张有涛 刘洁 陈新宇 杨磊 南京国博电子有限公司 南京210016 南京电子器件研究所 南京210016 东南大学 射频与光电集成电路研究所南京210096 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016 中国空间技术研究院西安分院 西安710100
提出了一种新颖的双模式高集成开关电容电荷泵。该电荷泵集成高频振荡器、电平移位、逻辑驱动以及4个功率MOSFET开关。与传统电荷泵相比,该电路可以工作在单电源以及双电源两种模式。单电源模式下,输出电压为-VCC;双电源模式下,输出电压... 详细信息
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微波光子集成芯片技术
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雷达学报(中英文) 2019年 第2期8卷 262-280页
作者: 钱广 钱坤 顾晓文 孔月婵 陈堂胜 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016 空军装备部驻南京地区第二军事代表室 南京210016
微波光子集成芯片技术是微波光子雷达的重要支撑技术,不仅可以实现器件的多功能化,缩小微波光子雷达的体积,还可以大大提升微波光子雷达的稳定性与可靠性。该文介绍了目前常用的InP基、Si基和铌酸锂基等材料体系及其异质异构集成的光子... 详细信息
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一款W波段GaN HEMT高谐波抑制八次倍频器MMIC
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固体电子研究与进展 2019年 第1期39卷 1-4,27页
作者: 项萍 王维波 陈忠飞 郭方金 潘晓枫 徐志超 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
报道了一款采用0.1μm GaN HEMT工艺制作的W波段八次倍频器芯片。该芯片集成了3个二次倍频器和1个驱动放大器。二次倍频器采用有源平衡电路结构以实现较好的功率输出和有效的基波和奇次谐波抑制;驱动放大器采用单级负反馈电路结构,在实... 详细信息
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毫米波MEMS移相器模块用驱动电路研究
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固体电子研究与进展 2019年 第1期39卷 23-27页
作者: 黄镇 朱健 郁元卫 姜理利 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
设计了一种4 bit毫米波MEMS移相器驱动电路,主要由24 bit串并转换电路、高压控制电路和升压电路组成。利用24 bit串并转换电路和高压控制电路,实现了波控机控制系统与MEMS移相器的接口转换,满足毫米波MEMS移相器对正反相驱动电压的要求... 详细信息
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一种Ku波段硅基MEMS隔离器设计
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固体电子研究与进展 2019年 第5期39卷 381-385页
作者: 陶子文 孙俊峰 朱健 郁元卫 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016
设计了一种Ku波段MEMS隔离器。该隔离器的微波铁氧体嵌入放置在MEMS工艺制作的硅腔体内,内导体和负载电阻以及接地孔采用MEMS工艺制作在高阻硅片上,最后利用集成封装技术实现铁氧体、磁钢、硅芯片等单元的有机结合,形成整体结构。该结... 详细信息
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