检索结果-内蒙古大学图书馆

红外与毫米波学报 2019年第3期38卷 345-350,380页

作者：徐忠超刘军钱峰陆海燕程伟周文勇南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路国家级重点实验室江苏南京210016 杭州电子科技大学教育部射频电路与系统重点实验室浙江杭州310017

给出了 InP DHBT 器件在片测试用到的开路和短路结构的等效电路模型.模型拓扑结构基于物理结构建立并对其在亚毫米波段的高频寄生进行相对完整的考虑.模型的容性和阻性寄生采用解析提取技术从开路结构低频测试数据中获取.模型的高频趋... 详细信息

给出了 InP DHBT 器件在片测试用到的开路和短路结构的等效电路模型.模型拓扑结构基于物理结构建立并对其在亚毫米波段的高频寄生进行相对完整的考虑.模型的容性和阻性寄生采用解析提取技术从开路结构低频测试数据中获取.模型的高频趋肤效应采用传统物理公式计算初值并结合短路测试结构的低频解析提取结果对计算公式进行修正使其适用于实际测试结构建模.模型拓扑结构和参数提取方法采用 0.5 μm InP DHBT 工艺上设计所得开路、短路测试结构进行验证.模型仿真和测试所得S参数在0.1~325GHz频段内吻合地很好.

关键词：在片测试结构等效电路模型参数提取太赫兹

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S波段35WGaN功率MMIC

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固体电子学研究与进展 2011年第6期31卷 532-535页

作者：余旭明洪伟张斌陈堂胜陈辰东南大学毫米波国家重点实验室南京210096 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

报道了一款采用两级拓扑结构的2～4GHz宽带高功率单片微波功率放大器芯片。放大器采用了微带结构,并使用电抗匹配进行设计,重点在于宽带功率效率平坦化设计。经匹配优化后放大器在2～4GHz整个频带内脉冲输出功率大于35W,小信号增益达到2... 详细信息

报道了一款采用两级拓扑结构的2～4GHz宽带高功率单片微波功率放大器芯片。放大器采用了微带结构,并使用电抗匹配进行设计,重点在于宽带功率效率平坦化设计。经匹配优化后放大器在2～4GHz整个频带内脉冲输出功率大于35W,小信号增益达到22dB,在2.4GHz频点处峰值输出功率达到40W,对应的功率附加效率为35%。功率放大器芯片采用0.25μm GaN HEMT76.2mm圆片工艺制造,芯片尺寸为2.7mm×2.3mm。

关键词：铝镓氮/氮化镓氮化镓功率放大器宽带 S波段微波单片集成电路

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小型化硅基毫米波MEMS三维异构集成开关滤波器件

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固体电子学研究与进展 2021年第5期41卷 330-336页

作者：侯芳孙超栾华凯黄旼朱健胡三明东南大学毫米波国家重点实验室南京210096 南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

针对传统开关滤波器组件体积庞大、重量重、调试复杂、集成度低的问题,设计并制作了一种小型化六通道毫米波硅基MEMS三维异构集成开关滤波器件。该器件以四层堆叠的高阻硅材料为衬底,工作频段覆盖18~40 GHz,内部集成了6款小型化空间堆叠... 详细信息

针对传统开关滤波器组件体积庞大、重量重、调试复杂、集成度低的问题,设计并制作了一种小型化六通道毫米波硅基MEMS三维异构集成开关滤波器件。该器件以四层堆叠的高阻硅材料为衬底,工作频段覆盖18~40 GHz,内部集成了6款小型化空间堆叠的MEMS滤波器和2个单片开关,采用3D-TSV(硅通孔)异构集成工艺,实现了开关与滤波器组的晶圆级集成。为了优化毫米波频段集成滤波器性能,提出了MEMS混合交叉耦合多层堆叠SIW(基片集成波导)滤波器拓扑结构,且其工艺与整个开关滤波器件兼容,极大提升了滤波器的带外抑制。经测试,该开关滤波器件带内插损<8.2 dB(包括2个开关共约4 d B的损耗),反射损耗>10 dB,带边1 GHz处带外抑制>40 dBc。该器件体积仅19.0 mm×16.5 mm×1.1 mm,比传统开关滤波器体积减小了99.7%。

关键词：三维异构集成微电子机械系统硅通孔滤波器基片集成波导

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664GHz接收前端技术研究

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微波学报 2015年第S1期31卷 14-17页

作者：姚常飞周明罗运生魏翔张君直南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016 南京电子器件研究所微波毫米波模块电路事业部南京210016

基于X波段源,通过9×2×2次倍频链实现了输出约1-2m W的320-356GHz全固态倍频源。该信号源作为本振信号驱动664GHz接收前端的二次谐波混频器,该混频器采用了有源偏置技术以降低混频器的本振驱动功率和接收机的噪声温度。仿真结... 详细信息

基于X波段源,通过9×2×2次倍频链实现了输出约1-2m W的320-356GHz全固态倍频源。该信号源作为本振信号驱动664GHz接收前端的二次谐波混频器,该混频器采用了有源偏置技术以降低混频器的本振驱动功率和接收机的噪声温度。仿真结果表明,混频二极管在0.3m W本振驱动功率及0.35V直流偏置下,在650-680GHz带宽内,仿真得到的单边带变频损耗小于12d B,666GHz最小损耗为10.8d B。

关键词： GaAs肖特基二极管太赫兹倍频谐波混频

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GaN功率器件芯片级热管理技术研究进展

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固体电子学研究与进展 2018年第5期38卷 316-323页

作者：郭怀新孔月婵韩平陈堂胜微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京210016 固体微结构物理国家实验室南京大学南京210093

详细论述了GaN器件热瓶颈的原因,并对近年来国外正在开展的先进芯片级散热技术研究情况进行系统分析和评述。揭示了高导热材料及微流体与芯片近结集成的各类散热技术的热设计原理、工艺开发和面临的技术挑战,阐述了GaN器件芯片级热管理... 详细信息

详细论述了GaN器件热瓶颈的原因,并对近年来国外正在开展的先进芯片级散热技术研究情况进行系统分析和评述。揭示了高导热材料及微流体与芯片近结集成的各类散热技术的热设计原理、工艺开发和面临的技术挑战,阐述了GaN器件芯片级热管理的技术现状和发展方向。

关键词： GaN器件芯片级热管理金刚石微流体

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基于薄膜工艺的1030GHz混频器和750~1100GHz倍频器研制

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红外与毫米波学报 2022年第5期41卷 871-878页

作者：孟进张德海牛斌朱皓天刘锶钰范道雨陈胜堂周明中国科学院国家空间科学中心微波遥感重点实验室北京100190 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室江苏南京210016 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司江苏南京210016

基于南京电子器件研究所砷化镓工艺线,自主完成了750~1100 GHz全频带三倍频器以及中心频率为1030 GHz的低损耗二次谐波混频器的研制。为了提升模块的性能,将传统的场路结合的设计方法进行了扩展,引入器件的参数优化,并建立起两者互为反... 详细信息

基于南京电子器件研究所砷化镓工艺线,自主完成了750~1100 GHz全频带三倍频器以及中心频率为1030 GHz的低损耗二次谐波混频器的研制。为了提升模块的性能,将传统的场路结合的设计方法进行了扩展,引入器件的参数优化,并建立起两者互为反馈的关系,从而达到整个设计过程的闭环。研制出的单片电路厚度为3μm,并通过梁氏引线支撑悬置于腔体结构中。测试结果表明宽带倍频器在790~1100 GHz频率范围内输出功率为-23~-11 dBm。以上述倍频源作为射频信号对二次谐波混频器进行测试,在1020~1044 GHz频率范围内变频损耗优于17.5 dB,在1030 GHz处测得的最小变频损耗为14.5 dB。

关键词：太赫兹单片电路谐波混频器宽带倍频

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微波等离子体化学气相沉积法合成高导热金刚石材料及器件应用进展

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硅酸盐学报 2022年第7期50卷 1852-1864页

作者：赵继文郝晓斌赵柯臣李一村张森刘康代兵郭怀新韩杰才朱嘉琦哈尔滨工业大学特种环境复合材料技术国家级重点实验室哈尔滨150080 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210006 哈尔滨工业大学微系统与微结构制造教育部重点实验室哈尔滨150080

随着第3代半导体的应用,电子器件向高功率、小型化发展,由此带来的“热”问题逐渐凸显,金刚石由于其超高的热导率及稳定的性质,被认为是最优的散热材料之一。简要介绍了微波等离子体化学气相沉积装备的原理及发展历程,对比分析了不同种... 详细信息

随着第3代半导体的应用,电子器件向高功率、小型化发展,由此带来的“热”问题逐渐凸显,金刚石由于其超高的热导率及稳定的性质,被认为是最优的散热材料之一。简要介绍了微波等离子体化学气相沉积装备的原理及发展历程,对比分析了不同种类生长设备的差异,对单晶、多晶及纳米晶金刚石在器件散热应用中的现状进行总结,结合第3代半导体总结了金刚石增强散热产业化过程中将面临的性能与尺寸方面的瓶颈问题及金刚石材料“大、纯、快”的发展方向,并对散热应用的未来研究方向做出展望。

关键词：金刚石微波等离子体化学气相沉积散热氮化镓器件

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基于GaN功率器件的热仿真技术研究

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固体电子学研究与进展 2017年第3期37卷 176-181页

作者：郭怀新韩平陈堂胜微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京210016 固体微结构物理国家实验室南京大学南京210093

针对大功率器件散热瓶颈问题,基于GaN功率芯片,利用有限元分析方法开展了芯片近结区热特性模拟方法的研究。建立了芯片近结区散热能力仿真评估的三维理论模型,系统地研究了不同的初始条件、边界条件、晶格热效应及结构理论假设等因素对... 详细信息

针对大功率器件散热瓶颈问题,基于GaN功率芯片,利用有限元分析方法开展了芯片近结区热特性模拟方法的研究。建立了芯片近结区散热能力仿真评估的三维理论模型,系统地研究了不同的初始条件、边界条件、晶格热效应及结构理论假设等因素对仿真精度的影响,分析了理论建模因素对计算结果的影响的原因。同时采用红外热成像仪对不同功率下的GaN芯片结温进行测试验证,模拟计算的结果和测试值的偏差在10%之内,表明合理建模的热仿真技术可有效评估器件散热能力。

关键词： GaN芯片热仿真结温有限元分析

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氧化物功能薄膜材料在柔性传感器件中的应用

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中国科学：信息科学 2018年第6期48卷 635-649页

作者：潘泰松廖非易姚光王宇轩高敏林媛电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

柔性传感器件因其在医疗健康、人机交互等应用中的巨大前景,受到了广泛关注,也是近年来的研究热点.作为无机功能材料中的一类重要材料,氧化物功能薄膜因其具有丰富的电子学、光学、热学、力学、磁学等方面性质已经在各种电子和光电子器... 详细信息

柔性传感器件因其在医疗健康、人机交互等应用中的巨大前景,受到了广泛关注,也是近年来的研究热点.作为无机功能材料中的一类重要材料,氧化物功能薄膜因其具有丰富的电子学、光学、热学、力学、磁学等方面性质已经在各种电子和光电子器件中得到了广泛的应用.将氧化物功能薄膜应用于柔性传感器件,有望进一步提高柔性传感器件的性能,并为新型柔性传感器件的设计提供材料保障.本文分析了目前氧化物功能薄膜在柔性传感器件中应用所面临的重点科学技术问题,并介绍了近年来在基于氧化物功能薄膜的柔性传感器件所涉及的关键技术和器件应用上的研究进展.

关键词：无机功能材料氧化物功能薄膜柔性器件传感器件

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柔性热管的研究进展与展望

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中国材料进展 2018年第12期37卷 1025-1032,1047页

作者：陶鹏常超郭怀新陈寰贝尚文邓涛上海交通大学材料科学与工程学院金属基复合材料国家重点实验室上海200240 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室江苏南京210016 南京电子器件研究所江苏南京210016

现代电子设备的大功率化、高度集成化、微型化、柔性化发展趋势对先进的热管理材料和技术提出了迫切需求。基于气液相变的热管技术是一种高效的热管理手段,然而传统的刚性热管满足不了复杂结构、狭小空间的微型电子元器件以及可折叠电... 详细信息

现代电子设备的大功率化、高度集成化、微型化、柔性化发展趋势对先进的热管理材料和技术提出了迫切需求。基于气液相变的热管技术是一种高效的热管理手段,然而传统的刚性热管满足不了复杂结构、狭小空间的微型电子元器件以及可折叠电子器件的高性能散热需要,发展新型柔性热管技术有望克服上述问题,具有重要意义。系统介绍了柔性热管的基础理论、结构设计、材料加工、器件制备等方面的研究进展,以及其在航空航天、电子产品等领域的实际应用。基于柔性热管的发展历程和研究现状,对该领域今后的研究和发展方向做出了展望。

关键词：柔性热管气液相变热阻导热率

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