检索结果-内蒙古大学图书馆

固体电子学研究与进展 2018年第2期38卷 101-105页

作者：王嘉文陶洪琪微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京210016

分析了谐波控制理论提高功放效率的原理。对南京电子器件研究所的GaN HEMT器件进行了负载牵引测试。根据测试结果发现,通过谐波控制可以有效提升该器件的效率,在8GHz时能获得10%的效率提升。应用谐波控制理论设计了一款X波段单级MMIC功... 详细信息

分析了谐波控制理论提高功放效率的原理。对南京电子器件研究所的GaN HEMT器件进行了负载牵引测试。根据测试结果发现,通过谐波控制可以有效提升该器件的效率,在8GHz时能获得10%的效率提升。应用谐波控制理论设计了一款X波段单级MMIC功放。经连续波测试,该功放芯片在8.6~9.5GHz范围内漏极效率达到48%~56%。

关键词：谐波控制功率放大器高效率单片微波集成电路

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

基于AHRS的改进自适应互补滤波算法研究

引用

固体电子学研究与进展 2018年第2期38卷 141-145页

作者：张浩磊朱健黄镇南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

针对基于MEMS传感器的航姿参考系统精度不高、数据易漂移导致测量无人载体航姿数据不准确的问题,设计了基于四元数与自适应互补滤波相结合的改进自适应互补滤波算法。通过对MEMS加速度计与磁强计输出数据、MEMS陀螺仪的积分数据进行补... 详细信息

针对基于MEMS传感器的航姿参考系统精度不高、数据易漂移导致测量无人载体航姿数据不准确的问题,设计了基于四元数与自适应互补滤波相结合的改进自适应互补滤波算法。通过对MEMS加速度计与磁强计输出数据、MEMS陀螺仪的积分数据进行补偿、数据融合,减小积分漂移。仿真实验数据表明,该改进互补滤波算法可抑制外部噪声对输出数据准确性的影响,提高了姿态角输出数据准确性。

关键词：微机电系统航姿参考系统四元数自适应互补滤波

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

金刚石材料在功率器件热管理中的应用研究

金刚石材料在功率器件热管理中的应用研究

引用

第一届人工晶体材料青年学术会议

作者：郭怀新吴立枢孔月婵李忠辉微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京 210016

氮化镓电子器件，尤其是HEMT器件，近几年在大功率、高集成度应用方面都取得了巨大进步。然而，高功率密度的发展受限于其自生热和近结区散热能力引起器件结温升高问题，严重导致器件性能下降，使GaN器件的高功率性能优势远未发挥。

关键词： GaN功率器件芯片级热管理金刚石衬底金刚石钝化

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

Ka波段GaN单片低噪声放大器研制

引用

固体电子学研究与进展 2018年第2期38卷 81-84,94页

作者：吴少兵李建平李忠辉高建峰黄念宁南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

报道了Ka波段GaN自偏压低噪声三级放大电路的研制结果。在高Al含量的AlGaN/GaN HEMT外延结构上,采用电子束直写工艺制备了栅长100nm的"T"型栅结构。器件直流测试最大电流密度为1.55A/mm,最大跨导为490mS/mm;小信号测试外推其f... 详细信息

报道了Ka波段GaN自偏压低噪声三级放大电路的研制结果。在高Al含量的AlGaN/GaN HEMT外延结构上,采用电子束直写工艺制备了栅长100nm的"T"型栅结构。器件直流测试最大电流密度为1.55A/mm,最大跨导为490mS/mm;小信号测试外推其fT和fmax分别为95GHz及230GHz。采用该工艺制备的自偏压三级放大电路工作电压7V,在33~47GHz小信号增益大于20dB,噪声系数均值在2dB左右,单频点噪声系数可达1.6dB,噪声水平达到GaN器件在该频段的高水平。此外,该单片电路的功耗在560mW左右,带内连续波测试输出P-1>15dBm。

关键词： GaN高电子迁移率晶体管 Ka波段电子束直写低噪声放大器

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

SiN钝化层对GaAs pHEMT低噪声放大器芯片耐氢效应能力的影响

引用

固体电子学研究与进展 2018年第5期38卷 329-332,342页

作者：贾东铭张磊彭龙新林罡邹雷南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

对两种不同钝化层状态的LNA芯片在不同氢气浓度下进行150℃、105h加速寿命试验。漏极电流监控曲线表明,加厚SiN钝化层器件在20%氢气浓度试验后仅下降约0.8%,试验前后电性能基本不变。通过加厚SiN钝化层有效提升了GaAs pHEMT低噪声放大... 详细信息

对两种不同钝化层状态的LNA芯片在不同氢气浓度下进行150℃、105h加速寿命试验。漏极电流监控曲线表明,加厚SiN钝化层器件在20%氢气浓度试验后仅下降约0.8%,试验前后电性能基本不变。通过加厚SiN钝化层有效提升了GaAs pHEMT低噪声放大器芯片在氢气氛围中的可靠工作寿命,这对于该类器件在组件中的实际应用具有重要意义。

关键词：氢效应砷化镓赝配型高电子迁移率晶体管氮化硅钝化层加速寿命试验

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

MEMS层叠器件悬空结构划切方法研究

引用

电子工业专用设备 2019年第4期48卷 9-12页

作者：钱可强吴杰王冬蕊姜理利黄旼南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016

针对MEMS层叠器件悬空结构划切的各种缺陷,提出了分段进给式切割方法,通过多次切割同一个划切槽,切割深度依次增加,直到切割深度大于悬梁厚度,有效减小悬空结构底部崩边和裂纹。为解决划片槽覆盖有划切标记和介质钝化层的划片正面崩边问... 详细信息

针对MEMS层叠器件悬空结构划切的各种缺陷,提出了分段进给式切割方法,通过多次切割同一个划切槽,切割深度依次增加,直到切割深度大于悬梁厚度,有效减小悬空结构底部崩边和裂纹。为解决划片槽覆盖有划切标记和介质钝化层的划片正面崩边问题,进一步提出了预开槽分段进给式切割方案,用宽刀开槽,再用窄刀分段进给式切割,解决了悬空结构正面崩边和侧边裂纹等划切缺陷,使得崩边尺寸减小至10μm以内,大大提高成品率。

关键词：微机电系统层叠器件划片圆片级堆叠

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

Ku波段GaN MMIC高线性功率放大器设计

引用

固体电子学研究与进展 2018年第2期38卷 85-89页

作者：赵映红钱峰郑惟彬南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

设计了一款Ku波段工作频率为13.0~15.5GHz的GaN MMIC高线性功率放大器,采用0.25μm GaN HEMT工艺,电路采用两级放大器的结构。通过两种不同的末级匹配网络的设计,对比分析匹配网络的设计对功率放大器效率与线性度的影响。一种是匹配到... 详细信息

设计了一款Ku波段工作频率为13.0~15.5GHz的GaN MMIC高线性功率放大器,采用0.25μm GaN HEMT工艺,电路采用两级放大器的结构。通过两种不同的末级匹配网络的设计,对比分析匹配网络的设计对功率放大器效率与线性度的影响。一种是匹配到最佳功率附加效率(PAE)的末级匹配网络,一种则是匹配到最佳线性度的末级匹配网络(用最佳三阶交调产物与载波比值(IM3)来表示),级间和输入级匹配网络也尽量达到低损耗、高线性指标,从而提高整体电路的线性度,并尽量使得效率不恶化。测试结果表明,功率放大器的最大输出功率可以达到37.5dBm,匹配到最佳PAE的功率放大器功率附加效率均大于32%,最大可以达到36%,匹配到最佳IM3的功率放大器PAE低了2到4个百分点,线性度指标IM3则高了1到2个dBc。该测试结果表明,对于高线性功率放大器,末级匹配网络可以在最佳PAE点的基础上适当地向最佳IM3点靠近,以逼近更好的线性度指标,但若距离最佳IM3太近,PAE则会有较大的恶化。

关键词： GaN 微波单片集成电路高线性功率放大器

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

GaN太赫兹肖特基变容二极管倍频效率的研究

引用

电子元件与材料 2018年第12期37卷 9-16页

作者：代鲲鹏张凯林罡南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室江苏南京210016

本文使用Sentaurus仿真工具对恒定掺杂和渐变掺杂两种典型掺杂的GaN太赫兹肖特基变容二极管进行了仿真研究。着重研究了两种掺杂方式下轻掺杂外延层掺杂浓度对变容二极管的C-V特性和倍频效率的影响。通过数字滤波求解输入频率300GHz幅... 详细信息

本文使用Sentaurus仿真工具对恒定掺杂和渐变掺杂两种典型掺杂的GaN太赫兹肖特基变容二极管进行了仿真研究。着重研究了两种掺杂方式下轻掺杂外延层掺杂浓度对变容二极管的C-V特性和倍频效率的影响。通过数字滤波求解输入频率300GHz幅值8V的正弦电压在偏置电压为-8V时产生的各频率分量,计算出具有不同掺杂浓度的GaN二极管的倍频效率。结果显示,在仿真掺杂浓度范围内并且不考虑外围电路影响的前提下,恒定掺杂的GaN变容二极管的二倍频效率最大值为32.5%,三倍频效率最大值为16.1%;而采用渐变掺杂方式能够显著提高二极管的倍频效率,在仿真的掺杂浓度范围内,二倍频与三倍频效率均最大能提高50%左右。通过理论推导和仿真结果的计算揭示了决定掺杂浓度与倍频效率之间的关系变化趋势的内在因素。本文的研究对GaN肖特基变容二极管的倍频效率进行了理论预测,并提出了渐变掺杂提高倍频效率的解决方案,这对后续的器件设计与制备具有指导意义。

关键词： GaN 肖特基变容二极管太赫兹恒定掺杂渐变掺杂倍频效率

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

高电导率p型AlGaN材料

引用

固体电子学研究与进展 2019年第5期39卷 F0003-F0003页

作者：罗伟科李忠辉孔岑杨乾坤杨峰南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室

南京电子器件研究所提出并研发了一种"金属源气流调制生长"的外延方法,在采用MOCVD系统外延生长Mg掺杂的p型AlGaN材料时,引入"晶体质量提升"和"激活效率提升"两种不同的生长,两种工艺在外延过程中交替进... 详细信息

南京电子器件研究所提出并研发了一种"金属源气流调制生长"的外延方法,在采用MOCVD系统外延生长Mg掺杂的p型AlGaN材料时,引入"晶体质量提升"和"激活效率提升"两种不同的生长,两种工艺在外延过程中交替进行,既能保证晶体质量,又能提升受主杂质Mg的激活效率。

关键词：晶体质量受主杂质外延生长 MOCVD系统 AlGaN Mg掺杂高电导率效率提升

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

高速InP基电光调制器和光电探测器

引用

固体电子学研究与进展 2019年第4期39卷 F0003-F0003页

作者：钱广李冠宇牛斌周奉杰顾晓文孔月婵陈堂胜南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室

南京电子器件研究所开发了76.2mm(3英寸)InP基电光调制器和光电探测器圆片工艺,所研制器件工作于1550nm波段。电光调制器如图1(a)所示,带宽达40GHz[如图1(b)所示],半波电压1.8V,消光比大于20dB。光电探测器如图2(a)所示,带宽达40GHz以上... 详细信息

南京电子器件研究所开发了76.2mm(3英寸)InP基电光调制器和光电探测器圆片工艺,所研制器件工作于1550nm波段。电光调制器如图1(a)所示,带宽达40GHz[如图1(b)所示],半波电压1.8V,消光比大于20dB。光电探测器如图2(a)所示,带宽达40GHz以上[如图2(b)所示],响应度为0.3A/W,暗电流为45nA。

关键词：光电探测器电光调制器 InP基南京电子器件研究所半波电压消光比响应度暗电流

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：