检索结果-内蒙古大学图书馆

芯片级原子钟碱金属吸收泡

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固体电子学研究与进展 2015年第3期35卷 307-页

作者：黄旼朱健石归雄曹远洪王文军南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016 成都天奥电子股份有限公司成都611731

基于原子相干布局囚禁(Coherent population trapping)原理的芯片级原子钟是原子钟微型化发展的必然趋势,其中的核心微型化碱金属吸收泡起着关键性的作用。南京电子器件研究所与成都天奥电子股份有限公司联合研究。

关键词：芯片级结构设计 trapping 双腔圆片联合研究吸收谱线样品图本征吸收漏气率

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基于GaAs HBT工艺的12位1GS/s多奈奎斯特域数模转换器

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固体电子学研究与进展 2014年第3期34卷 201-205,215页

作者：李晓鹏王志功张有涛张敏陈新宇杨磊东南大学射频与光电集成电路研究所南京210096 南京国博电子有限公司南京210016 南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

介绍一种基于1μm GaAs HBT工艺的12位1GS/s多奈奎斯特域数模转换器(DAC)。使用信号归零技术将DAC的有效输出带宽拓展到第三奈奎斯特频域。该DAC在第一至第三奈奎斯特频域内具有平坦的输出功率和较好的SFDR。测试结果表明,与传统DAC相比... 详细信息

介绍一种基于1μm GaAs HBT工艺的12位1GS/s多奈奎斯特域数模转换器(DAC)。使用信号归零技术将DAC的有效输出带宽拓展到第三奈奎斯特频域。该DAC在第一至第三奈奎斯特频域内具有平坦的输出功率和较好的SFDR。测试结果表明,与传统DAC相比,多奈奎斯特域DAC在第二奈奎斯特频点附近的输出功率增大37dB,SFDR提高25dB。

关键词：数模转换器多奈奎斯特归零

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用于DRFM的4 bit相位量化DAC

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固体电子学研究与进展 2014年第1期34卷 24-28页

作者：张敏张有涛李晓鹏陈新宇杨磊南京电子器件研究所南京210016 南京国博电子有限公司南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

设计了一种应用于DRFM系统的4bit相位量化DAC,采用非线性的电流舵结构在标准半导体工艺下实现,芯片面积2.1mm×1.4mm,功耗420mW。测试结果显示该DAC瞬时带宽高于1GHz,与4bit相位量化ADC级联测试时,SFDR在工作带宽内小于-20dBc,性能... 详细信息

设计了一种应用于DRFM系统的4bit相位量化DAC,采用非线性的电流舵结构在标准半导体工艺下实现,芯片面积2.1mm×1.4mm,功耗420mW。测试结果显示该DAC瞬时带宽高于1GHz,与4bit相位量化ADC级联测试时,SFDR在工作带宽内小于-20dBc,性能明显优于3bit相位量化DAC。

关键词：数模转换器相位量化数字射频存储器电流舵无杂散噪声动态范围

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4 bit相位量化ADC设计与实现

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固体电子学研究与进展 2014年第3期34卷 206-210页

作者：张敏张有涛李晓鹏陈新宇杨磊南京电子器件研究所南京210016 南京国博电子有限公司南京210016 微波毫米波单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016

分析了应用于DRFM系统的4bit相位ADC原理并介绍了一种4bit相位ADC电路结构,该电路采用类似于幅度ADC的Flash拓扑在标准半导体工艺下设计并实现,芯片面积2.3mm×1.7mm,功耗620mW,数字输出满足LVDS电平标准。测试结果显示该ADC瞬时带... 详细信息

分析了应用于DRFM系统的4bit相位ADC原理并介绍了一种4bit相位ADC电路结构,该电路采用类似于幅度ADC的Flash拓扑在标准半导体工艺下设计并实现,芯片面积2.3mm×1.7mm,功耗620mW,数字输出满足LVDS电平标准。测试结果显示该ADC瞬时带宽高于1GHz,动态范围大于26dB。

关键词：模数转换器相位量化数字射频存储器瞬时带宽

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背势垒对InAlN/GaN异质结构中二维电子气的影响

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微纳电子技术 2014年第6期51卷 359-365页

作者：甘天胜李毅刘斌孔月婵陈敦军谢自力修向前陈鹏陈辰韩平张荣南京大学电子科学与工程学院南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室

利用有效质量理论自洽求解Poisson和Schrdinger方程理论研究了背势垒插入层对InAlN/GaN晶格匹配异质结构的电学性能的影响。研究表明,对于In0.17Al0.83N/AlN/GaN的异质结构,AlN的临界厚度为2.43 nm。此时,异质结中二维电子气(2DEG)浓... 详细信息

利用有效质量理论自洽求解Poisson和Schrdinger方程理论研究了背势垒插入层对InAlN/GaN晶格匹配异质结构的电学性能的影响。研究表明,对于In0.17Al0.83N/AlN/GaN的异质结构,AlN的临界厚度为2.43 nm。此时,异质结中二维电子气(2DEG)浓度达到2.49×1013 cm-2,且不随势垒层厚度的变化而变化。重点模拟研究了具有背势垒的InAlN/AlN/GaN/AlGaN/GaN和InAlN/AlN/GaN/InGaN/GaN两种结构的能带结构和2DEG的分布情况。理论结果表明,采用AlGaN背势垒结构时,对于AlGaN的任意Al组分,GaN沟道层导带底能量均被抬升,增强了AlN/GaN三角势阱对2DEG的限制作用,提高了电子迁移率。采用InGaN/GaN作为背势垒结构,当InGaN厚度为2或3 nm时,三角势阱中的2DEG随InGaN中In组分的增加先升高后降低,这主要是由于GaN/InGaN界面处产生的正极化电荷的影响,引起电子在AlN/GaN三角势阱和InGaN/GaN势阱之间的分布变化。

关键词： InAlN/GaN异质结构背势垒插入层二维电子气(2DEG) 能带结构电子迁移率

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基片集成波导缝隙式滤波器的设计与实现

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固体电子学研究与进展 2014年第4期34卷 354-356,361页

作者：王元庆丁玉宁刘蕾蕾葛培虎南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016 南京邮电大学南京210003 空军驻江苏地区军事代表室南京210016

基于基片集成波导技术和印刷电路板工艺设计、CST软件模拟,实现了一种四缝隙和五缝隙基片集成波导缝隙式滤波器。仿真结果和实验结果吻合良好。滤波器的中心频率分别为15.85GHz和34GHz,相对3dB带宽为11.9%和12.9%,插损分别为1.4dB和2.9... 详细信息

基于基片集成波导技术和印刷电路板工艺设计、CST软件模拟,实现了一种四缝隙和五缝隙基片集成波导缝隙式滤波器。仿真结果和实验结果吻合良好。滤波器的中心频率分别为15.85GHz和34GHz,相对3dB带宽为11.9%和12.9%,插损分别为1.4dB和2.9dB,且具有良好的选择性。与传统的基片集成波导谐振腔式滤波器相比,这种滤波器可以提供更宽的阻带且便于后期调试。

关键词：基片集成波导缝隙式滤波器印刷电路板

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Al组分渐变势垒层对AlGaN/GaN HEMT栅电流的影响

Al组分渐变势垒层对AlGaN/GaN HEMT栅电流的影响

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第13届全国MOCVD学术会议

作者：李传皓李忠辉彭大青潘磊张东国微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京210016

引起常规AlGaN/GaN HEMT器件栅电流的主要机制为肖特基势垒隧穿和热电子发射,两者发生概率均与势垒高度密切相关.常规AlGaN/GaN HEMT势垒高度约为1eV,栅极正偏电压较大时会出现正向导通,使器件无法在较大偏压下工作[1].为抑制栅电流,提...

引起常规AlGaN/GaN HEMT器件栅电流的主要机制为肖特基势垒隧穿和热电子发射,两者发生概率均与势垒高度密切相关.常规AlGaN/GaN HEMT势垒高度约为1eV,栅极正偏电压较大时会出现正向导通,使器件无法在较大偏压下工作[1].为抑制栅电流,提出一种AlGaN势垒层Al组分渐变的AlGaN/GaN HEMT结构,其中势垒层厚度22nm,栅源、栅漏距离均为3 μ m.

关键词：

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高频柔性石墨烯FET器件研制

高频柔性石墨烯FET器件研制

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第13届全国MOCVD学术会议

作者：霍帅吴云周建军南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室

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高击穿特性的Si基双异质结AlGaN/GaN HEMT

高击穿特性的Si基双异质结AlGaN/GaN HEMT

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第13届全国MOCVD学术会议

作者：郁鑫鑫倪金玉李忠辉周建军孔岑南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

由于价格低廉,在Si衬底上异质外延生长GaN材料来研制电力电子器件具有广阔的发展前景.然而,GaN与Si之间存在高达16.9％的晶格失配和56％的热失配,在Si上生长GaN将面临高难度的技术挑战.本文在4英寸Si衬底上采用Al组分阶变的AlGaN缓冲层...

由于价格低廉,在Si衬底上异质外延生长GaN材料来研制电力电子器件具有广阔的发展前景.然而,GaN与Si之间存在高达16.9％的晶格失配和56％的热失配,在Si上生长GaN将面临高难度的技术挑战.本文在4英寸Si衬底上采用Al组分阶变的AlGaN缓冲层生长了AlGaN/GaN/AlGaN双异质结构的HEMT材料,并成功研制出高击穿特性的功率器件.

关键词：

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SiC衬底上N极性GaN薄膜的MOCVD外延生长研究

SiC衬底上N极性GaN薄膜的MOCVD外延生长研究

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第13届全国MOCVD学术会议

作者：彭大青李忠辉张东国李亮倪金玉董逊罗伟科李传皓微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京210016

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