检索结果-内蒙古大学图书馆

发光学报 2013年第8期34卷 1057-1060页

作者：高汉超尹志军程伟王元许晓军李忠辉南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室江苏南京210016

重p型掺杂GaAsSb广泛应用于InP HBT基区材料,重掺杂影响GaAsSb材料的带隙和费米能级等重要参数,这些参数对设计高性能HBT起着关键作用。本文通过间接跃迁模型研究了p+-GaAsSb材料的荧光性质,以及费米能级与Sb组分的关系。由于费米能级... 详细信息

重p型掺杂GaAsSb广泛应用于InP HBT基区材料,重掺杂影响GaAsSb材料的带隙和费米能级等重要参数,这些参数对设计高性能HBT起着关键作用。本文通过间接跃迁模型研究了p+-GaAsSb材料的荧光性质,以及费米能级与Sb组分的关系。由于费米能级与空穴有效质量mh和空穴态密度nh存在函数关系,我们通过荧光测量并计算了空穴有效质量mh和空穴态密度nh,研究结果表明mh和nh共同主导了费米能级的变化。

关键词： GaAsSb HBT 费米能级

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电流增益截止频率为40GHz的柔性衬底石墨烯FET

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固体电子学研究与进展 2014年第3期34卷 F0003-F0003页

作者：吴云霍帅周建军南求电子器件研究所、微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

石墨烯自问世以来，因其优异的性能已在电子领域取得了显著的成果，成为全球研究的热点。兼具高电子迁移率以及优良机械韧性的优点，石墨烯同柔性衬底的结合有望突破柔性电子高频化的技术瓶颈，推进柔性电子的应用进程。

关键词：柔性衬底石墨截止频率电流增益 FET 电子领域高电子迁移率高频化

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GaN E-D HEMT集成逻辑门电路特性研究

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固体电子学研究与进展 2013年第6期33卷 509-513,521页

作者：刘涛刘昊周建军孔岑陆海燕董逊张有涛孔月婵陈堂胜南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

基于金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长的高质量AlGaN/GaN异质结构材料,采用选择性栅挖槽结合栅介质工艺实现GaN增强型/耗尽型(E/D)HEMT器件的集成,应用直接耦合场效应管逻辑(DCFL)设计并研制GaN E/D HEMT集成逻辑门电路。通过对GaN E/D... 详细信息

基于金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长的高质量AlGaN/GaN异质结构材料,采用选择性栅挖槽结合栅介质工艺实现GaN增强型/耗尽型(E/D)HEMT器件的集成,应用直接耦合场效应管逻辑(DCFL)设计并研制GaN E/D HEMT集成逻辑门电路。通过对GaN E/D器件性能以及逻辑门电路性能的分析讨论,研究了GaN E/D器件性能对逻辑门电路性能的影响。同时还对选择性栅挖槽结合栅介质工艺实现GaN E/D器件存在的问题进行了分析讨论。

关键词：铝镓氮氮化镓氮化镓增强型耗尽型高电子迁移率晶体管直接耦合场效应管逻辑逻辑门结构阈值电压漂移

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GaN HFET沟道层中的慢输运电子态和射频电流崩塌(续)

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固体电子学研究与进展 2013年第3期33卷 305-311页

作者：薛舫时南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

3射频电流崩塌模型目前国际上发表的电流崩塌模型都是耗尽模型,即认为沟道中的电子被表面陷阱或缓冲层陷阱俘获,耗尽了沟道电子气密度,造成漏电流下降。这些耗尽模型较好地解释了实验中观察到的栅延迟、漏延迟等各类瞬态电流现象,但是... 详细信息

3射频电流崩塌模型目前国际上发表的电流崩塌模型都是耗尽模型,即认为沟道中的电子被表面陷阱或缓冲层陷阱俘获,耗尽了沟道电子气密度,造成漏电流下降。这些耗尽模型较好地解释了实验中观察到的栅延迟、漏延迟等各类瞬态电流现象,但是在解释射频电流崩塌时,既然射频输出功率低于直流伏安特性算出的预期功率,就必须证明外沟道的射频电阻大于直流电阻，因为外沟道势垒表面没有电极，所以内沟道夹断时外沟道电子只能靠陷阱俘获电子来耗尽。沟道电子从强电场中获取能量成为高能热电子，再跃迁到表面陷阱，是一个很复杂的过程，实验测量表明需要秒量级的弛豫时间，跟不上射频周期变化，这样外沟道中的射频电阻就不可能低于直流电阻，也就不会产生很强的射频电流崩塌。

关键词：电流崩塌电子态沟道射频 HFET GaN 表面陷阱直流电阻

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0.15μm GaN HEMT及其应用

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固体电子学研究与进展 2013年第3期33卷 215-219页

作者：任春江陶洪琪余旭明李忠辉王泉慧王雯陈堂胜张斌南京电子器件研究所微波毫米波单片集成电路与模块重点实验室南京210016

报道了毫米波应用的0.15μm场板结构GaN HEMT。器件研制采用了76.2mm(3英寸)SiC衬底上外延生长的AlGaN/GaN异质结构材料,该材料由MOCVD技术生长并引入了掺Fe GaN缓冲层技术以提升器件击穿电压。器件栅脚和集成了场板的栅帽均由电子束光... 详细信息

报道了毫米波应用的0.15μm场板结构GaN HEMT。器件研制采用了76.2mm(3英寸)SiC衬底上外延生长的AlGaN/GaN异质结构材料,该材料由MOCVD技术生长并引入了掺Fe GaN缓冲层技术以提升器件击穿电压。器件栅脚和集成了场板的栅帽均由电子束光刻实现,并采用栅挖槽技术来控制器件夹断电压。研制的2×75μm栅宽GaN HEMT在24V工作电压、35GHz频率下的负载牵引测试结果显示其输出功率密度达到了4W/mm,对应的功率增益和功率附加效率分别为5dB和35%。采用该0.15μm GaN HEMT技术进行了Ka波段GaN功率MMIC的研制,所研制的功率MMIC在24V工作电压下脉冲工作时(100μs脉宽、10%占空比),29GHz频点处饱和功率达到了10.64W。

关键词：铝镓氮氮化镓高电子迁移率晶体管场板毫米波功率单片

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退火时间对SiC热解法制备石墨烯薄膜的影响

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固体电子学研究与进展 2013年第3期33卷 276-279页

作者：李赟尹志军赵志飞朱志明陆东赛李忠辉南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

利用水平热壁式CVD外延炉开展了SiC热分解法制备石墨烯薄膜的实验,主要研究了不同的真空热处理时间对石墨烯薄膜生长的影响。SiC衬底的氢气在线刻蚀处理和热分解在同一炉次进行,高温时反应室释放出之前吸附的氢气不能有效地被分子泵抽除... 详细信息

利用水平热壁式CVD外延炉开展了SiC热分解法制备石墨烯薄膜的实验,主要研究了不同的真空热处理时间对石墨烯薄膜生长的影响。SiC衬底的氢气在线刻蚀处理和热分解在同一炉次进行,高温时反应室释放出之前吸附的氢气不能有效地被分子泵抽除,SiC衬底的有效碳化时间有限,实验发现热处理时间超过30min之后,石墨烯层数并无明显变化。进一步加长热处理时间,石墨烯样品中出现局部氢插入层。

关键词：石墨烯碳化硅衬底硅面拉曼图谱

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4°偏轴SiC衬底外延工艺研究

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固体电子学研究与进展 2013年第1期33卷 68-71页

作者：李赟尹志军朱志明赵志飞陆东赛南京电子器件研究所、微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

4°偏轴SiC衬底上生长的外延薄膜容易出现台阶形貌,外延薄膜表面的台阶形貌对后续制作的器件性能有着一定的影响。主要研究了进气端C/Si比及生长前刻蚀工艺对4°偏轴衬底外延的影响。采用外延生长前的氢气刻蚀工艺,结合掺杂浓... 详细信息

4°偏轴SiC衬底上生长的外延薄膜容易出现台阶形貌,外延薄膜表面的台阶形貌对后续制作的器件性能有着一定的影响。主要研究了进气端C/Si比及生长前刻蚀工艺对4°偏轴衬底外延的影响。采用外延生长前的氢气刻蚀工艺,结合掺杂浓度缓变的缓冲层设计,在4°偏轴的SiC衬底上制得了表面无台阶形貌的SiC SBD结构外延材料。利用优化工艺生长的4°偏轴衬底上的SBD结构外延材料目前已经全面应用于600～1 700V SBD器件的研制。

关键词：同质外延衬底偏角台阶形貌肖特基二极管

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自对准栅金刚石MESFET器件研究

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固体电子学研究与进展 2013年第1期33卷 28-31,85页

作者：周建军柏松陈刚孔岑耿习娇陆海燕孔月婵陈堂胜南京电子器件研究所、微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

基于表面氢化处理的金刚石材料,利用自对准栅工艺技术研制了p型金刚石肖特基栅场效应晶体管(MESFET)。利用AFM和Raman测试方法对材料的特性进行了测试及分析。同时,对研制的金刚石MESFET器件进行了TLM以及直流特性测试及性能分析。利用... 详细信息

基于表面氢化处理的金刚石材料,利用自对准栅工艺技术研制了p型金刚石肖特基栅场效应晶体管(MESFET)。利用AFM和Raman测试方法对材料的特性进行了测试及分析。同时,对研制的金刚石MESFET器件进行了TLM以及直流特性测试及性能分析。利用TLM方法测试获得的表面氢化处理金刚石材料的方阻和Au欧姆接触比接触电阻率分别为4kΩ/□和5.24×10-4Ω.cm2。研制的1μm栅长金刚石MESFET器件的最大电流在-5V偏压下达到10mA/mm以上。

关键词：金刚石肖特基栅场效应晶体管表面氢化

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Si基GaNHEMT低温欧姆接触工艺研究

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固体电子学研究与进展 2013年第1期33卷 72-75,96页

作者：王金孔岑周建军倪金玉陈堂胜刘涛南京电子器件研究所、微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

研究了在Si基GaN外延材料上实现低温欧姆接触的技术途径。研究了外延层的刻蚀深度、合金温度以及不同金属体系对接触特性的影响,发现外延层刻蚀深度的优化可显著改善欧姆接触特性。采用Ti/Al(10/200nm)金属,在外延层刻蚀深度为20nm以及... 详细信息

研究了在Si基GaN外延材料上实现低温欧姆接触的技术途径。研究了外延层的刻蚀深度、合金温度以及不同金属体系对接触特性的影响,发现外延层刻蚀深度的优化可显著改善欧姆接触特性。采用Ti/Al(10/200nm)金属,在外延层刻蚀深度为20nm以及合金温度550°C时,得到接近传统高温合金条件下的接触电阻,最小值达到0.76Ω.mm,同时实现的欧姆接触电极具有良好的形貌。该技术有望应用于高频、高功率GaN HEMT的工艺。

关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管外延层减薄低温合金欧姆接触

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Si基GaN材料寄生导电层的研究

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固体电子学研究与进展 2013年第4期33卷 312-316页

作者：倪金玉李忠辉孔岑周建军陈堂胜郁鑫鑫南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

通过对Si基GaN材料的电学性能进行测量分析,确认了该材料体系所特有的寄生导电层现象。研究了寄生导电层对Si基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)微波功率性能和击穿性能的不良影响。通过材料生长工艺的优化,降低了寄生导电层的导电性,获得... 详细信息

通过对Si基GaN材料的电学性能进行测量分析,确认了该材料体系所特有的寄生导电层现象。研究了寄生导电层对Si基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)微波功率性能和击穿性能的不良影响。通过材料生长工艺的优化,降低了寄生导电层的导电性,获得了击穿电压超过320V的Si基GaN HEMT功率电子器件。

关键词：硅基氮化镓寄生导电层氮化镓高电子迁移率晶体管

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