检索结果-内蒙古大学图书馆

固体电子学研究与进展 2020年第2期40卷 94-103,121页

作者：孔月婵杨扬周建军吴云顾晓文郁鑫鑫王登贵南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

以三维体材料金刚石、二维材料石墨烯和准一维材料碳纳米管为代表的碳基电子材料,分别拥有超宽禁带、超高载流子迁移率、优异的导热性能和机械特性,以及独特的低维结构带来的各种量子效应,在射频大功率、高线性、太赫兹以及光电混频等... 详细信息

以三维体材料金刚石、二维材料石墨烯和准一维材料碳纳米管为代表的碳基电子材料,分别拥有超宽禁带、超高载流子迁移率、优异的导热性能和机械特性,以及独特的低维结构带来的各种量子效应,在射频大功率、高线性、太赫兹以及光电混频等器件领域,具有技术提升的巨大潜力。分别介绍了这三种典型碳基材料的基本电学特性,聚焦金刚石微波功率器件、石墨烯高频器件和电路以及碳纳米管高线性器件和电路,分析了从材料至器件层面的优势和挑战,并展望了碳基材料成为下一代半导体功能材料的前景。

关键词：碳材料射频电子器件

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C波段75W GaN HEMT高效率功率放大器MMIC

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固体电子学研究与进展 2020年第3期40卷 164-168,190页

作者：杨常林余旭明陶洪琪徐波南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

报道了一款基于0.25μm GaN HEMT工艺的C波段75 W高效率功率放大器MMIC。为提高功率增益,芯片的整体拓扑结构设计为三级。在末级输出匹配电路上设计了一个高效电抗式匹配拓扑,在末级管芯输入匹配电路上运用了谐波控制技术,同时利用GaN H... 详细信息

报道了一款基于0.25μm GaN HEMT工艺的C波段75 W高效率功率放大器MMIC。为提高功率增益,芯片的整体拓扑结构设计为三级。在末级输出匹配电路上设计了一个高效电抗式匹配拓扑,在末级管芯输入匹配电路上运用了谐波控制技术,同时利用GaN HEMT器件大信号模型来优化驱动比,通过这三种技术途径有效提高了芯片的附加效率。为扩展工作带宽及提高稳定性,其他匹配电路采用有耗匹配方式。在漏压28 V、脉宽100μs、占空比10%的工作条件下,芯片在4.8~6.0 GHz频带范围内,典型输出功率达到75 W(最高81 W),增益大于25.5dB,附加效率大于51%(最高55%),芯片面积为3.8 mm×5.5 mm。

关键词： GaN功率放大器单片微波集成电路 C波段大功率高效率

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As/P气氛转换对InGaAs/InP异质结界面的影响研究

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固体电子学研究与进展 2020年第2期40卷 145-148,158页

作者：王伟高汉超于海龙马奔尹志军李忠辉南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

采用分子束外延(MBE)方法,在半绝缘InP(100)衬底上外延InGaAs/InP超晶格结构。通过优化As、P转换时间,研究了As、P气氛转换对InGaAs/InP异质结界面特性的影响。经原子力显微镜测试和X射线衍射谱分析,样品在关P阀5 s、开As阀5 s的生长条... 详细信息

采用分子束外延(MBE)方法,在半绝缘InP(100)衬底上外延InGaAs/InP超晶格结构。通过优化As、P转换时间,研究了As、P气氛转换对InGaAs/InP异质结界面特性的影响。经原子力显微镜测试和X射线衍射谱分析,样品在关P阀5 s、开As阀5 s的生长条件下,表面均方根粗糙度(RMS)为0.205 nm,单边卫星峰达20级,一级卫星峰的半高宽(FWHM)为145.05 arc sec,表明界面控制良好。

关键词：分子束外延双异质结双极型晶体管 InGaAs/InP 界面

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GaN HFET偏置转换中的亚稳态能带

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固体电子学研究与进展 2020年第3期40卷 159-163页

作者：薛舫时杨乃彬陈堂胜南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

从场效应管瞬态电流谱中慢峰展示的异质结慢充电过程出发,提出了研究GaN HFET偏置转换中出现的亚稳态新概念。利用亚稳态随时间的缓变特征,建立了自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程的能带计算方案。选用能带峰和填充能级来描绘亚稳态,... 详细信息

从场效应管瞬态电流谱中慢峰展示的异质结慢充电过程出发,提出了研究GaN HFET偏置转换中出现的亚稳态新概念。利用亚稳态随时间的缓变特征,建立了自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程的能带计算方案。选用能带峰和填充能级来描绘亚稳态,编制成计算不同应力偏置和测试偏置下亚稳态能带的计算软件。运用新编软件计算了不同能带峰和填充能级下的亚稳态能带。详细描述了偏置转换中产生的能带谷充电过程及外沟道堵塞,由此建立起应力偏置与测试偏置下动态电流间的关联。从场效应管射频工作中栅、漏电压的变化条件出发提出新的电流崩塌动态模型。运用应力偏置和测试偏置下的定态能带和亚稳态能带解释了瞬态电流谱随应力偏置和测试偏置的变化行为。最后讨论亚稳态能带在GaN HFET研究中的重要意义。

关键词：亚稳态能带电流崩塌能带峰填充能级能带谷充电应力偏置对动态电流的影响电流崩塌模型陷阱

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基于50nm GaN HEMT技术的180~220GHz平衡二倍频器MMIC

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固体电子学研究与进展 2020年第2期40卷 83-86页

作者：张茂强张斌南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

采用50 nm GaN HEMT技术实现了一款太赫兹波有源平衡式二倍频器单片微波集成电路(MMIC)。通过在输入端使用巴伦,可以确保二倍频器良好的基波抑制性能。在没有任何后置放大器的情况下,当输入功率为22 dBm时,在205 GHz的输出频率下二倍频... 详细信息

采用50 nm GaN HEMT技术实现了一款太赫兹波有源平衡式二倍频器单片微波集成电路(MMIC)。通过在输入端使用巴伦,可以确保二倍频器良好的基波抑制性能。在没有任何后置放大器的情况下,当输入功率为22 dBm时,在205 GHz的输出频率下二倍频器的最大输出功率为12 dBm。该MMIC芯片尺寸为2.0 mm×1.8mm,可方便地集成到多功能芯片中。

关键词：二倍频器单片微波集成电路 GaN HEMT G波段

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GaN HFET偏置转换中的亚稳态能带(续)

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固体电子学研究与进展 2020年第4期40卷 237-242,257页

作者：薛舫时杨乃彬陈堂胜南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

关键词：亚稳态能带电流崩塌能带峰填充能级能带谷充电应力偏置对动态电流的影响电流崩塌模型陷阱

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增强型硅基氮化镓p沟道晶体管器件

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固体电子学研究与进展 2022年第2期42卷 F0003-F0003页

作者：王登贵周建军张凯胡壮壮孔月婵陈堂胜南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

近来,集成栅极驱动器的商用氮化镓(GaN)功率IC已成功推向市场。与传统硅芯片所采用的CMOS技术不同,GaN功率IC则是采用基于n沟道器件的直接耦合晶体管逻辑(DCFL)实现。在DCFL逻辑架构里,上拉网络中的耗尽型晶体管器件处于常开状态,当下... 详细信息

近来,集成栅极驱动器的商用氮化镓(GaN)功率IC已成功推向市场。与传统硅芯片所采用的CMOS技术不同,GaN功率IC则是采用基于n沟道器件的直接耦合晶体管逻辑(DCFL)实现。在DCFL逻辑架构里,上拉网络中的耗尽型晶体管器件处于常开状态,当下拉网络开启时,整个电路系统会产生大量的静态功耗。为充分发挥GaN技术的潜力,实现GaN互补逻辑电路的研制,亟需开发高性能增强型GaN p沟道晶体管制备技术。

关键词： CMOS技术功率IC 逻辑电路直接耦合静态功耗栅极驱动器硅芯片 GaN

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硅基氮化镓异质结材料与多晶金刚石集成生长研究

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固体电子学研究与进展 2021年第1期41卷 18-23页

作者：杨士奇任泽阳张金风何琦苏凯张进成郭怀新郝跃西安电子科技大学微电子学院宽带隙半导体技术国防重点学科实验室西安710071 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

在50.8 mm(2英寸)硅基氮化镓异质结半导体材料上采用低压等离子体化学气相沉积方法淀积100 nm厚度的氮化硅材料,然后采用微波等离子体化学气相沉积设备在氮化硅层上方实现多晶金刚石材料的外延生长。采用氮化硅作为过渡层和保护层有效... 详细信息

在50.8 mm(2英寸)硅基氮化镓异质结半导体材料上采用低压等离子体化学气相沉积方法淀积100 nm厚度的氮化硅材料,然后采用微波等离子体化学气相沉积设备在氮化硅层上方实现多晶金刚石材料的外延生长。采用氮化硅作为过渡层和保护层有效调控了材料应力,保护了氮化镓基材料在多晶外延过程中被氢等离子体刻蚀,使得外延前后氮化物异质结材料特性未发生明显退化。透射电子显微镜测试结果显示,样品具有良好的界面且在金刚石的晶界上存在非金刚石相。本次研究成功实现了氮化镓金刚石的异质集成生长,这对采用金刚石解决氮化镓基HEMT器件的散热问题具有重要意义。

关键词：金刚石氮化镓异质外延

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铌酸锂薄膜高速电光开关的设计与制备

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光电子技术 2023年第1期43卷 7-10,16页

作者：唐杰王子彦钱坤何晓舟潘时龙王琛全顾晓文钱广孔月婵陈堂胜微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016 南京电子器件研究所南京210016 南京航空航天大学电子信息工程学院南京211106 空军装备部上海局上海200231

基于硅基铌酸锂薄膜(Lithium Niobate on insulator,LNOI)材料平台,设计并制备了高速电光开关芯片,并实现了芯片的光纤耦合、管壳封装和性能测试。测试结果表明,该高速电光开关器件的开关速度达到13.4 ns,消光比达到31.8 dB。研究工作... 详细信息

基于硅基铌酸锂薄膜(Lithium Niobate on insulator,LNOI)材料平台,设计并制备了高速电光开关芯片,并实现了芯片的光纤耦合、管壳封装和性能测试。测试结果表明,该高速电光开关器件的开关速度达到13.4 ns,消光比达到31.8 dB。研究工作对未来研制光学延时芯片和波束形成网络芯片具有重要的支撑意义。

关键词：铌酸锂薄膜电光开关光学波束形成

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LNOI阵列波导光栅的设计与制备

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光电子技术 2021年第4期41卷 258-261页

作者：王琛全周奉杰顾晓文唐杰钱广微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016 南京电子器件研究所南京210016

基于薄膜铌酸锂(Lithium Niobate on insulator,LNOI)材料平台,设计并制备了中心波长1550 nm、4通道且通道间隔为400 GHz的阵列波导光栅,并完成了LNOI波导端面抛光。测试结果表明,该阵列波导光栅相邻通道间串扰约-7.5 dB,通道非均匀性小... 详细信息

基于薄膜铌酸锂(Lithium Niobate on insulator,LNOI)材料平台,设计并制备了中心波长1550 nm、4通道且通道间隔为400 GHz的阵列波导光栅,并完成了LNOI波导端面抛光。测试结果表明,该阵列波导光栅相邻通道间串扰约-7.5 dB,通道非均匀性小于0.5 dB,中心波长1551.3 nm,但存在较大插入损耗,约27.2 dB。该研究工作对研制高性能LNOI阵列波导光栅具有重要推动作用。

关键词：薄膜铌酸锂阵列波导光栅波分复用

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