检索结果-内蒙古大学图书馆

固体电子学研究与进展 2021年第2期41卷 F0003-F0003页

作者：彭龙新戴家赟王钊贾晨阳杨进南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

南京电子器件研究所首次提出了PIN异质集成纵向结构超大高功率限幅器构想,引入现有MMIC限幅器不具有的纵向导电结构和SiC衬底的高导热特性,把Si薄层二极管转移到SiC衬底上,极大地提高了MMIC限幅器的耐功率。根据大功率要求,确定了材料结... 详细信息

南京电子器件研究所首次提出了PIN异质集成纵向结构超大高功率限幅器构想,引入现有MMIC限幅器不具有的纵向导电结构和SiC衬底的高导热特性,把Si薄层二极管转移到SiC衬底上,极大地提高了MMIC限幅器的耐功率。根据大功率要求,确定了材料结构N^(+)、P^(+)和I层等参数,设计了工艺方案和加工方法,基于自停止减薄技术实现超薄Si基PIN管芯转移,使用Au-Au热压键合的晶圆级低温异质键合互连技术,制成了超大功率限幅器。

关键词：异质集成热压键合限幅器 PIN管晶圆级超大功率纵向结构减薄技术

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微波光子集成芯片技术

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雷达学报（中英文） 2019年第2期8卷 262-280页

作者：钱广钱坤顾晓文孔月婵陈堂胜南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016 空军装备部驻南京地区第二军事代表室南京210016

微波光子集成芯片技术是微波光子雷达的重要支撑技术,不仅可以实现器件的多功能化,缩小微波光子雷达的体积,还可以大大提升微波光子雷达的稳定性与可靠性。该文介绍了目前常用的InP基、Si基和铌酸锂基等材料体系及其异质异构集成的光子... 详细信息

微波光子集成芯片技术是微波光子雷达的重要支撑技术,不仅可以实现器件的多功能化,缩小微波光子雷达的体积,还可以大大提升微波光子雷达的稳定性与可靠性。该文介绍了目前常用的InP基、Si基和铌酸锂基等材料体系及其异质异构集成的光子集成芯片技术和可用于微波光子混合集成的光电集成芯片技术,并展望了未来发展趋势。

关键词：微波光子雷达集成微波光子集成芯片技术光子集成芯片

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一款W波段GaN HEMT高谐波抑制八次倍频器MMIC

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固体电子学研究与进展 2019年第1期39卷 1-4,27页

作者：项萍王维波陈忠飞郭方金潘晓枫徐志超南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

报道了一款采用0.1μm GaN HEMT工艺制作的W波段八次倍频器芯片。该芯片集成了3个二次倍频器和1个驱动放大器。二次倍频器采用有源平衡电路结构以实现较好的功率输出和有效的基波和奇次谐波抑制;驱动放大器采用单级负反馈电路结构,在实... 详细信息

报道了一款采用0.1μm GaN HEMT工艺制作的W波段八次倍频器芯片。该芯片集成了3个二次倍频器和1个驱动放大器。二次倍频器采用有源平衡电路结构以实现较好的功率输出和有效的基波和奇次谐波抑制;驱动放大器采用单级负反馈电路结构,在实现良好输入输出匹配的同时兼顾增益平坦度。最终实现的八次倍频器芯片3 dB工作带宽为16 GHz(84～100 GHz),输出功率大于13 dBm,谐波抑制度大于40 dBc,带内谐波抑制度大于60 dBc。芯片面积3.6 mm×1.7 mm。

关键词： W波段倍频器 GaN 高谐波抑制度

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毫米波MEMS移相器模块用驱动电路研究

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固体电子学研究与进展 2019年第1期39卷 23-27页

作者：黄镇朱健郁元卫姜理利南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

设计了一种4 bit毫米波MEMS移相器驱动电路,主要由24 bit串并转换电路、高压控制电路和升压电路组成。利用24 bit串并转换电路和高压控制电路,实现了波控机控制系统与MEMS移相器的接口转换,满足毫米波MEMS移相器对正反相驱动电压的要求... 详细信息

设计了一种4 bit毫米波MEMS移相器驱动电路,主要由24 bit串并转换电路、高压控制电路和升压电路组成。利用24 bit串并转换电路和高压控制电路,实现了波控机控制系统与MEMS移相器的接口转换,满足毫米波MEMS移相器对正反相驱动电压的要求。采用升压电路,实现了5 V电压向80 V毫米波MEMS移相器驱动电压的DC/DC转换。测试结果表明,设计的MEMS移相器驱动电路实现了对4 bit MEMS移相器的16态相移控制,驱动电路的静态电流仅为12.4 mA@5 V,满足了毫米波MEMS移相器对驱动信号的要求和相控阵天线演示系统对低功耗的要求,解决了毫米波MEMS移相器低成本驱动问题。

关键词：升压电路 MEMS移相器串并转换电路

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基于50 nm AlN/GaN异质结的G波段放大器

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固体电子学研究与进展 2019年第3期39卷 155-158,193页

作者：张政焦芳吴少兵张凯李忠辉陆海燕陈堂胜南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

报道了基于50nm栅工艺的AlN/GaN异质结的G波段器件结果。在AlN/GaNHEMT外延结构上,采用电子束直写工艺制备了栅长50nm的"T"型栅结构。器件直流测试最大漏电流为2.1A/mm,最大跨导为700mS/mm;小信号测试外推其电流增益截止频率... 详细信息

报道了基于50nm栅工艺的AlN/GaN异质结的G波段器件结果。在AlN/GaNHEMT外延结构上,采用电子束直写工艺制备了栅长50nm的"T"型栅结构。器件直流测试最大漏电流为2.1A/mm,最大跨导为700mS/mm;小信号测试外推其电流增益截止频率和最大振荡频率分别为180GHz及350GHz。采用该工艺制备的共面波导(CPW)结构的放大器工作电压6V,在162GHz小信号增益大于10dB。166GHz连续波峰值输出功率11.36dBm,功率密度达到684mW/mm,功率密度水平达到GaN器件在G频段的高水平。

关键词： GaN高电子迁移率晶体管 G波段电子束直写功率放大器

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一种Ku波段硅基MEMS隔离器设计

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固体电子学研究与进展 2019年第5期39卷 381-385页

作者：陶子文孙俊峰朱健郁元卫南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

设计了一种Ku波段MEMS隔离器。该隔离器的微波铁氧体嵌入放置在MEMS工艺制作的硅腔体内,内导体和负载电阻以及接地孔采用MEMS工艺制作在高阻硅片上,最后利用集成封装技术实现铁氧体、磁钢、硅芯片等单元的有机结合,形成整体结构。该结... 详细信息

设计了一种Ku波段MEMS隔离器。该隔离器的微波铁氧体嵌入放置在MEMS工艺制作的硅腔体内,内导体和负载电阻以及接地孔采用MEMS工艺制作在高阻硅片上,最后利用集成封装技术实现铁氧体、磁钢、硅芯片等单元的有机结合,形成整体结构。该结构与传统微带隔离器比较,优点是图形化技术成熟可靠、铁氧体材料选择更加灵活、薄膜负载耐功率性能明显提高。测试结果显示,15~17 GHz范围内插损小于0.55 dB,驻波小于1.26,隔离度大于21 dB,耐功率可达50 W,整个隔离器尺寸为5.0 mm×5.0 mm×3.7 mm。

关键词： MEMS隔离器铁氧体 Ku波段

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基于FBAR技术的S波段低插损滤波器

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固体电子学研究与进展 2019年第4期39卷 297-300,305页

作者：赵洪元夏燕王亚宁朱健南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

研制了基于薄膜体声波技术的S波段低插损带通滤波器。该滤波器芯片典型测试性能为,相对带宽1.3%,插损优于2dB、回波损耗优于-12dB、带外抑制40dB、温漂系数-11×10^-6/℃。该滤波器芯片采用薄膜体声波谐振器(FBAR)作为基本构成单元... 详细信息

研制了基于薄膜体声波技术的S波段低插损带通滤波器。该滤波器芯片典型测试性能为,相对带宽1.3%,插损优于2dB、回波损耗优于-12dB、带外抑制40dB、温漂系数-11×10^-6/℃。该滤波器芯片采用薄膜体声波谐振器(FBAR)作为基本构成单元,使用AlN压电材料、空气腔作为底部声反射结构,机电耦合特性优良、声学损耗小。使用该FBAR滤波器芯片可构成多通道滤波器组,从而极大地缩小滤波器组的体积。

关键词：薄膜体声波滤波器 S波段

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毫米波GaAs单片限幅低噪声放大器

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固体电子学研究与进展 2019年第3期39卷 169-173页

作者：贾晨阳彭龙新刘昊凌志健李建平韩方彬南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

设计了一款毫米波GaAs单片限幅低噪声放大器。限幅器采用两级反向并联二极管结构,通过优化限幅器匹配电路,增大了限幅器的耐功率,降低了限幅电路的插损。低噪声放大器为四级级联设计,输入端采用最小噪声匹配,偏置电路增加RC串联谐振电路... 详细信息

设计了一款毫米波GaAs单片限幅低噪声放大器。限幅器采用两级反向并联二极管结构,通过优化限幅器匹配电路,增大了限幅器的耐功率,降低了限幅电路的插损。低噪声放大器为四级级联设计,输入端采用最小噪声匹配,偏置电路增加RC串联谐振电路,减小了噪声,提高了电路稳定性。测试结果表明,该毫米波GaAs单片限幅低噪声放大器在33~37GHz频带内,增益达到22dB,增益平坦为±1dB,输入驻波小于2,输出驻波小于1.5,噪声小于3.0dB,输出1dB增益压缩点(P1dB)大于5dBm,可以承受15W的脉冲输入功率。

关键词：毫米波限幅低噪声放大器 PIN二极管 pHEMT晶体管

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基于片内热管理应用的碳化硅深孔刻蚀研究

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电子元件与材料 2019年第9期38卷 99-104页

作者：黄语恒郭怀新孔月婵陈堂胜南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室

针对传统SiC衬底GaN器件高功率密度工作时的热积累问题,开展基于芯片内部嵌入高热导率材料的GaN器件芯片级热管理技术研究。在实现工艺兼容性的基础上,采用反应离子刻蚀技术对GaN器件有源区下端的SiC衬底进行深孔刻蚀工艺研究,系统地分... 详细信息

针对传统SiC衬底GaN器件高功率密度工作时的热积累问题,开展基于芯片内部嵌入高热导率材料的GaN器件芯片级热管理技术研究。在实现工艺兼容性的基础上,采用反应离子刻蚀技术对GaN器件有源区下端的SiC衬底进行深孔刻蚀工艺研究,系统地分析了刻蚀气体、射频功率及腔室压强等工艺参数对刻蚀速率的影响,并结合能谱对刻蚀表面的质量和损伤进行分析。实验发现射频功率仅能影响刻蚀速率,而刻蚀气体和压强不仅影响其刻蚀速率,还影响其刻蚀表面质量。最终提出了一种基于反应离子刻蚀技术的SiC深孔刻蚀方法,对器件热管理和SiC深孔刻蚀技术具有重要的指导意义。

关键词：热管理碳化硅反应离子刻蚀深孔刻蚀表面损伤

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GaN HFET中的实时能带和电流崩塌(续)

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固体电子学研究与进展 2019年第6期39卷 391-399页

作者：薛舫时杨乃彬郁鑫鑫南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室

从场效应管能带和能带峰耗尽的新概念出发,提出了研究GaN HFET射频工作中实时能带的新课题。运用自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程的能带计算软件详细计算了不同栅压和漏压下的实时稳态能带,由此求出各种实时能带下的局域电子气密度和... 详细信息

从场效应管能带和能带峰耗尽的新概念出发,提出了研究GaN HFET射频工作中实时能带的新课题。运用自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程的能带计算软件详细计算了不同栅压和漏压下的实时稳态能带,由此求出各种实时能带下的局域电子气密度和局域电子气势垒。考虑从应力偏置转换到测试偏置时异质结充放电引起的非稳态能带变化,用电子状态转换及其在异质结充放电中的输运行为成功解释了各类DLTS和电流崩塌实验中的动态行为。建立起新的电流崩塌能带模型。详细比较了陷阱模型和能带模型对电流崩塌和器件射频工作的不同描述。从电流崩塌同异质结构关联研究中提出新的器件优化设计方案。

关键词：实时能带非稳态能带电流崩塌能带峰耗尽局域电子气势垒电流崩塌能带模型陷阱

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