检索结果-内蒙古大学图书馆

红外与毫米波学报 2014年第3期33卷 256-262页

作者：姚常飞周明罗运生林罡李姣许从海寇亚男吴刚王继财南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室江苏南京210016 南京电子器件研究所微波毫米波模块电路事业部江苏南京210016

基于南京电子器件研究所（NEDI）的GaAs工艺线，通过分析器件的有源层（缓冲层、外延层）材料掺杂浓度和厚度、肖特基接触面积等，综合优化二极管性能，研制出了截止频率为3.2THz的太赫兹变阻二极管.基于该二极管，通过建立其三维场结... 详细信息

基于南京电子器件研究所（NEDI）的GaAs工艺线，通过分析器件的有源层（缓冲层、外延层）材料掺杂浓度和厚度、肖特基接触面积等，综合优化二极管性能，研制出了截止频率为3.2THz的太赫兹变阻二极管.基于该二极管，通过建立其三维场结构，采用电磁场和电路仿真软件相结合的方法，一体化设计匹配电路和器件，研制出了D波段和G波段倍频源.D波段二倍频器在152.6GHz测得最高倍频效率为2.7%，在147.4～155GHz效率典型值为1.3%.G波段二倍频器在172GHz测得最高倍频效率为 2.1%，在150～200GHz效率典型值为1.0%.

关键词：太赫兹 GaAs肖特基二极管倍频器

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

基于肖特基平面二极管的150GHz和180GHz固定调节式倍频源(英文)

引用

红外与毫米波学报 2013年第2期32卷 102-107页

作者：姚常飞周明罗运生王毅刚许从海南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室江苏南京210016 南京电子器件研究所微波毫米波模块电路事业部江苏南京210016

利用GaAs肖特基平面二极管,基于石英薄膜电路工艺,采用场和路相结合的综合分析方法,研制出了两个不同频率带宽的倍频器.在场软件中,二极管非线性结采用集总端口模拟,以提取二极管的嵌入阻抗,设计二倍频器的无源匹配电路,优化倍频的整体... 详细信息

利用GaAs肖特基平面二极管,基于石英薄膜电路工艺,采用场和路相结合的综合分析方法,研制出了两个不同频率带宽的倍频器.在场软件中,二极管非线性结采用集总端口模拟,以提取二极管的嵌入阻抗,设计二倍频器的无源匹配电路,优化倍频的整体电路性能,提取相应的S参数文件,分析倍频器的效率.150 GHz二倍频器在149.2 GHz测得最高倍频效率7.5%,在147.4～152 GHz效率典型值为6.0%;180 GHz二倍频器在170 GHz测得最高倍频效率14.8%,在150～200 GHz效率典型值为8.0%.

关键词：二倍频器肖特基平面二极管谐波平衡分析效率

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

基于倒扣技术的190～225GHz肖特基二极管高效率二倍频器（英文）

引用

红外与毫米波学报 2015年第1期34卷 6-9,28页

作者：姚常飞周明罗运生寇亚男南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室江苏南京210016 南京电子器件研究所微波毫米波模块电路事业部江苏南京210016

基于分立式GaA s肖特基势垒二极管,研制出了190~225 GHz高效率二倍频器.50μm厚石英电路利用倒扣技术,实现二极管的良好散热、可靠的射频信号及直流地.通过数值分析方法,二极管非线性结采用集总端口模拟,提取二极管的嵌入阻抗,以设计阻... 详细信息

基于分立式GaA s肖特基势垒二极管,研制出了190~225 GHz高效率二倍频器.50μm厚石英电路利用倒扣技术,实现二极管的良好散热、可靠的射频信号及直流地.通过数值分析方法,二极管非线性结采用集总端口模拟,提取二极管的嵌入阻抗,以设计阻抗匹配电路.在202 GHz,测得最高倍频效率为9.6%,当输入驱动功率为85.5 mW时,其输出功率为8.25 mW;在190~225 GHz,测得倍频效率典型值为7.5%;该二倍频器工作频带宽、效率响应曲线平坦,性能达到了国外文献报道的水平.

关键词： GaAs肖特基二极管二倍频器太赫兹效率

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

基于巴特沃斯低通滤波器的毫米波宽带低插损限幅器研究

引用

电子学报 2013年第9期41卷 1809-1814页

作者：姚常飞周明罗运生吴刚许从海南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室江苏南京210016 南京电子器件研究所微波毫米波模块电路事业部江苏南京210016

基于巴特沃斯（最大平坦型）低通滤波器模型，研究了毫米波限幅器在小信号时的等效电路．结合限幅电路电磁场仿真模型，分析限幅二极管物理模型的寄生参数和键合金丝电感，提取相应的S参数，以设计限幅器的阻抗匹配网络，研制出了Ka波... 详细信息

基于巴特沃斯（最大平坦型）低通滤波器模型，研究了毫米波限幅器在小信号时的等效电路．结合限幅电路电磁场仿真模型，分析限幅二极管物理模型的寄生参数和键合金丝电感，提取相应的S参数，以设计限幅器的阻抗匹配网络，研制出了Ka波段全频段低插损限幅器．在26～40GHz，测得限幅器小信号插损小于4．3dB，最小插损2．2dB，驻波比小于1．95：1；当输入的连续波功率为0．5W时，限幅输出功率小于10．5dBm；整个限幅器尺寸为20×12×6mm3，限幅器性能达到国外同类产品水平．

关键词：毫米波等效电路模型巴特沃斯低通滤波器限幅器

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

基于肖特基势垒二极管的太赫兹固态倍频源和检测器研制

引用

电子学报 2013年第3期41卷 438-443页

作者：姚常飞周明罗运生许从海寇亚男陈以钢南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室江苏南京210016 南京电子器件研究所微波毫米波模块电路事业部江苏南京210016

本文基于GaAs肖特基势垒二极管以及混合集成电路工艺,对太赫兹固态倍频和检测技术开展了研究.文章结合肖特基势垒二极管物理结构,采用电磁场仿真软件和电路仿真软件相结合的综合分析方法,对各模块电路进行优化设计,研制出了高倍频效率... 详细信息

本文基于GaAs肖特基势垒二极管以及混合集成电路工艺,对太赫兹固态倍频和检测技术开展了研究.文章结合肖特基势垒二极管物理结构,采用电磁场仿真软件和电路仿真软件相结合的综合分析方法,对各模块电路进行优化设计,研制出了高倍频效率的倍频源和高灵敏度的检测器(检波器和谐波混频器).0.15THz检波器测得最高检波电压灵敏度1600mV/mW,在0.11～0.17THz灵敏度典型值为600mV/mW,切线灵敏度优于-29dBm.0.15THz二倍频器测得最高倍频效率7.5%,在0.1474～0.152THz效率典型值为6.0%.0.18THz二倍频器测得最高倍频效率14.8%,在0.15～0.2THz效率典型值为8.0%.0.15THz谐波混频器测得最低变频损耗10.7dB,在0.135～0.165THz变频损耗典型值为12.5dB.0.18THz谐波混频器测得最低变频损耗5.8dB,在0.165～0.2THz变频损耗典型值为13.5dB,在0.21～0.24THz变频损耗典型值为11.5dB.

关键词：太赫兹倍频器检波器谐波混频器

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

基于滤波器综合分析法的118 GHz单刀二掷开关（英文）

引用

红外与毫米波学报 2017年第5期36卷 526-533页

作者：姚常飞陈振华葛俊祥周明魏翔南京信息工程大学电子与信息工程学院江苏南京210044 南京电子器件研究所微波毫米波模块电路事业部江苏南京210016

采用滤波器综合分析方法,基于分立式AlGaAs/GaAs异质结PIN二极管,根据其等效寄生参数,综合出单刀二掷开关集总参数滤波器模型,以此分析其等效分布参数电路,设计出了118GHz星载辐射计用单刀二掷开关准单片,开关电路尺寸6×2.5×0... 详细信息

采用滤波器综合分析方法,基于分立式AlGaAs/GaAs异质结PIN二极管,根据其等效寄生参数,综合出单刀二掷开关集总参数滤波器模型,以此分析其等效分布参数电路,设计出了118GHz星载辐射计用单刀二掷开关准单片,开关电路尺寸6×2.5×0.1mm^3.通过开关模块封装用波导-微带过渡和键合金带插损的分析研究,研制出了低插损的118GHz开关模块,在110~120GHz,测得开关插损小于3.0dB,插损典型值2.6dB;开关隔离度大于22dB;开关响应时间、导通时间、关断时间、恢复时间分别小于18ns、20ns、10ns、18ns,该准单片作为通道切换开关可集成应用于118GHz收发组件中.

关键词：单刀二掷开关 PIN二极管插损隔离度

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

基于功率合成技术的75～115GHz六倍频源

引用

电子学报 2015年第9期43卷 1864-1869页

作者：姚常飞陈振华周明罗运生许从海郁建南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室江苏南京210016 南京电子器件研究所微波毫米波模块电路事业部江苏南京210016 南京信息工程大学电子与信息工程学院江苏南京210044

本文采用混合集成技术，实现了75～115GHz的w波段六倍频功率合成信号源．其Ku波段输入信号经有源二倍频、功分及放大后，输出两路各约24dBm的Ka波段信号，以驱动75～115GHz三倍频器，变阻二极管基于南京电子器件研究所（NEDI）的GaAs工... 详细信息

本文采用混合集成技术，实现了75～115GHz的w波段六倍频功率合成信号源．其Ku波段输入信号经有源二倍频、功分及放大后，输出两路各约24dBm的Ka波段信号，以驱动75～115GHz三倍频器，变阻二极管基于南京电子器件研究所（NEDI）的GaAs工艺线设计实现，三倍频信号经功率合成后输出．考虑到倍频二极管各种寄生参数的影响，本文采用去嵌入阻抗计算方法，提取二极管的输入阻抗及三次谐波输出阻抗，综合分析匹配电路，优化倍频器效率．在75～115GHz测得六倍频源输出功率大于8．0dBm、输出功率平坦；在112GHz测得最大输出功率为10．2dBm，合成倍频效率大于1．3％，其性能达到了国外同类产品水平，可将微波信号源扩展至75～115GHz，解决了w波段TR组件本振源及发射源的产生问题．

关键词： W波段砷化镓肖特基二极管功率合成倍频效率

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

225 GHz三倍频器实用设计方法

引用

红外与毫米波学报 2015年第2期34卷 190-195页

作者：孟进张德海蒋长宏赵鑫姚常飞中国科学院空间科学与应用研究中心微波遥感重点实验室北京100190 中国科学院大学北京100190 南京电子器件研究所微波毫米波模块电路事业部江苏南京210016

结合国内现有的加工工艺水平,提出自偏置条件下的反向并联二极管对电路结构.不但解决了三倍频器偏置电路加工的难题,而且可以有效实现奇次倍频.同时,利用HFSS和ADS软件,以场路结合的方式准确模拟三倍频器的电特性,考虑到寄生参数引入的... 详细信息

结合国内现有的加工工艺水平,提出自偏置条件下的反向并联二极管对电路结构.不但解决了三倍频器偏置电路加工的难题,而且可以有效实现奇次倍频.同时,利用HFSS和ADS软件,以场路结合的方式准确模拟三倍频器的电特性,考虑到寄生参数引入的影响.设计完成以后,器件加工以及电装过程均在国内完成.测试结果表明在221 GHz处,有最大输出功率3.1 m W,在219~227 GHz频率范围内输出功率均大于2 m W.以上研究为今后设计高效率亚毫米波倍频器提供重要的参考价值.

关键词：三倍频器变容二极管自偏置阻抗匹配

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

664GHz接收前端技术研究

引用

微波学报 2015年第S1期31卷 14-17页

作者：姚常飞周明罗运生魏翔张君直南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016 南京电子器件研究所微波毫米波模块电路事业部南京210016

基于X波段源,通过9×2×2次倍频链实现了输出约1-2m W的320-356GHz全固态倍频源。该信号源作为本振信号驱动664GHz接收前端的二次谐波混频器,该混频器采用了有源偏置技术以降低混频器的本振驱动功率和接收机的噪声温度。仿真结... 详细信息

基于X波段源,通过9×2×2次倍频链实现了输出约1-2m W的320-356GHz全固态倍频源。该信号源作为本振信号驱动664GHz接收前端的二次谐波混频器,该混频器采用了有源偏置技术以降低混频器的本振驱动功率和接收机的噪声温度。仿真结果表明,混频二极管在0.3m W本振驱动功率及0.35V直流偏置下,在650-680GHz带宽内,仿真得到的单边带变频损耗小于12d B,666GHz最小损耗为10.8d B。

关键词： GaAs肖特基二极管太赫兹倍频谐波混频

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：