检索结果-内蒙古大学图书馆

半导体技术 2008年第10期33卷 859-861,916页

作者：崔晓英黄云恩云飞陈刚柏松信息产业部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室广州510610 南京电子器件研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室南京210016

SiC是一种在高功率和高温应用中涌现的非常重要的半导体材料。研究了一种国产SiC MESFET器件在300℃温度应力下,存储1 000 h Ti/Pt/Au栅肖特基势垒接触的稳定性以及器件电学特性的变化。实验结果表明在300℃温度应力下,器件的最大饱和... 详细信息

SiC是一种在高功率和高温应用中涌现的非常重要的半导体材料。研究了一种国产SiC MESFET器件在300℃温度应力下,存储1 000 h Ti/Pt/Au栅肖特基势垒接触的稳定性以及器件电学特性的变化。实验结果表明在300℃温度应力下,器件的最大饱和漏电流、势垒高度、阈值电压和跨导等参数均呈现明显的下降趋势,在实验前期一段时间内退化较快,而在应力后期某段时间内为渐变并趋于稳定。

关键词：碳化硅金属肖特基场效应晶体管肖特基结栅退化稳定性

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利用空气桥技术实现InP基共振遂穿二极管器件

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中国电子科学研究院学报 2009年第5期4卷 516-518页

作者：韩春林邹鹏辉高建峰薛舫时张政耿涛陈辰单片集成电路和模块国家级重点实验室南京电子器件研究所南京210016

优化设计了InGaAs/AlAs/InP共振遂穿二极管(RTD)材料结构,并用MBE设备在(100)半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。利用电子束光刻工艺和空气桥互连技术,制作了InP基RTD器件。并在室温下测试了器件的电学特性:峰值电流密度78kA/cm2,峰... 详细信息

优化设计了InGaAs/AlAs/InP共振遂穿二极管(RTD)材料结构,并用MBE设备在(100)半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。利用电子束光刻工艺和空气桥互连技术,制作了InP基RTD器件。并在室温下测试了器件的电学特性:峰值电流密度78kA/cm2,峰谷电流比(PVCR)为7.8。利用空气桥互连技术实现该类器件,在国内尚属首次。

关键词：共振遂穿二极管电子束光刻空气桥

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原位生长SiNx缓冲层对GaN薄膜特性的影响

原位生长SiNx缓冲层对GaN薄膜特性的影响

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第六届全国毫米波亚毫米波学术会议

作者：李忠辉董逊张岚南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016

本文利用LP-MOCVD在蓝宝石衬底上生长了带有薄SiNx缓冲层的GaN薄膜,并研究了SiH4流量对晶体质量、发光及电学特性的影响.实验发现GaN薄膜中刃位错和螺位错密度均随SiH4流量的增加而增加,最小值分别达到4.28×109 cm-2和1.3×108... 详细信息

本文利用LP-MOCVD在蓝宝石衬底上生长了带有薄SiNx缓冲层的GaN薄膜,并研究了SiH4流量对晶体质量、发光及电学特性的影响.实验发现GaN薄膜中刃位错和螺位错密度均随SiH4流量的增加而增加,最小值分别达到4.28×109 cm-2和1.3×108 cm-2;GaN薄膜的PL FWHM和方块电阻的最小值分别为5.4 nm和496 Ω/sq..

关键词：单片集成电路氮化镓极化效应化学气相沉积

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原位掩模生长时间与GaN外延层性质的关系

原位掩模生长时间与GaN外延层性质的关系

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第十届固体薄膜会议

作者：李忠辉董逊张岚南京电子器件研究所，单片集成电路与模块国家重点实验室，南京 210016

利用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）生长了低温SiNx 纳米尺寸掩模及GaN/SiNx/Al2O3 外延结构，研究了SiH4处理时间与GaN外延层的晶体质量、发光及电学性质的关系。当SiH4 处理时间为120s 时，GaN 外延层中刃位错和螺位错密度、光致发... 详细信息

利用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）生长了低温SiNx 纳米尺寸掩模及GaN/SiNx/Al2O3 外延结构，研究了SiH4处理时间与GaN外延层的晶体质量、发光及电学性质的关系。当SiH4 处理时间为120s 时，GaN 外延层中刃位错和螺位错密度、光致发光谱FWHM、方块电阻分别达到最小值。

关键词：位错密度掩模生长外延层金属有机物化学气相沉积电学性质

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高性能半绝缘4H-SiC衬底AlGaN/GaN HEMT研制

高性能半绝缘4H-SiC衬底AlGaN/GaN HEMT研制

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：任春江李忠辉焦刚钟世昌董逊薛舫时陈辰陈堂胜南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室南京 210016

文中利用南京电了器件研究所的MOCVD设备在半绝缘4H-SiC衬底外延生长了AlGaN/GaN异质结,运用该材料研制了8GHz输出功率密度10.52W/mm的HEMT器件。非接触霍尔测试表明经过优化的AlGaN/GaN异质结材料中的二维电子气(2DEG)面密度为1.0×... 详细信息

文中利用南京电了器件研究所的MOCVD设备在半绝缘4H-SiC衬底外延生长了AlGaN/GaN异质结,运用该材料研制了8GHz输出功率密度10.52W/mm的HEMT器件。非接触霍尔测试表明经过优化的AlGaN/GaN异质结材料中的二维电子气(2DEG)面密度为1.0×10 12cm-2、迁移率达188cm2/V·s。在该材料上研制了栅长0.35μm带场板的AlGaN/GaN HEMT,小信号测试表明器件fT为31.6GHz、最高振荡频率fmax为36.8GHz。研制的1mm栅宽器件8GHz、45V工作电压下饱和输出功率10.52W,功率增益和功率附加小率分别为7.62dB和45.8％。

关键词：电子迁移率晶体管电流崩塌输出功率异质结振荡频率半绝缘衬底

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磁控溅射AlN介质的AlGaN/GaN MIS-HEMT

磁控溅射AlN介质的AlGaN/GaN MIS-HEMT

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全国第十二届微波集成电路与移动通信学术会议

作者：任春江陈堂胜焦刚钟世昌薛舫时陈辰南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室南京 210016

本文报道了一种X波段输出功率密度达10.4W/mm的SiC衬底AlGaN/GaN MIS-HEMT.器件研制中采用了MIS结构、凹槽栅以及场板,其中MIS结构中采用了磁控溅射的AlN介质作为绝缘层.采用MIS结构后,器件击穿电压由80V提高到了180V以上,保证了器件能... 详细信息

本文报道了一种X波段输出功率密度达10.4W/mm的SiC衬底AlGaN/GaN MIS-HEMT.器件研制中采用了MIS结构、凹槽栅以及场板,其中MIS结构中采用了磁控溅射的AlN介质作为绝缘层.采用MIS结构后,器件击穿电压由80V提高到了180V以上,保证了器件能够实现更高的工作电压.在8GHz、55V的工作电压下,研制的1mm栅宽AlGaN/GaN MIS-HEMT输出功率达到了10.4W,此时器件的功率增益和功率富家小率分别达到了6.56dB和39.2％.

关键词：磁控溅射高电子迁移率晶体管 MIS结构场板结构

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1 mm栅宽X波段10 W AlGaN/GaN微波功率HEMT

1 mm栅宽X波段10 W AlGaN/GaN微波功率HEMT

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第六届全国毫米波亚毫米波学术会议

作者：陈堂胜焦刚钟世昌任春江陈辰李拂晓南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016

本文介绍了在X波段输出功率为10 W的AlGaN/GaN微波功率HEMT.该器件采用MOCVD技术在SiC衬底上生长AlGaN/GaN异质结,器件研制中采用了凹槽栅和场调制板结构.凹槽栅使得器件的跨导由216 mS/mm上升到了325 mS/mm,结合采用的场调制板减小了... 详细信息

本文介绍了在X波段输出功率为10 W的AlGaN/GaN微波功率HEMT.该器件采用MOCVD技术在SiC衬底上生长AlGaN/GaN异质结,器件研制中采用了凹槽栅和场调制板结构.凹槽栅使得器件的跨导由216 mS/mm上升到了325 mS/mm,结合采用的场调制板减小了器件的电流崩塌,提高了器件的微波功率性能.研制的器件电流增益截止频率为28 GHz,最高振荡频率为60 GHz.在8 GHz、36 V工作电压下,1 mm栅宽的该器件输出功率为10.1 W,功率增益为8.1 dB、功率附加效率(PAE)为45％.

关键词：宽禁带半导体氮化镓高电子迁移率晶体管微波功率性能栅挖槽场板结构

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微波宽禁带半导体走向实用化

微波宽禁带半导体走向实用化

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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：邵凯南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016

近来美日各大公司纷纷推出移动通信基站用的GaN HEMT大功率管产品,而与此同时美国DARPA支持的军用GaN HEMT正在艰苦攻关.文章分析了军民两种应用对器件要求的差异,指出高压工作时的长寿命是当前的难点.同时指出SiC MESFET已解决了高压... 详细信息

近来美日各大公司纷纷推出移动通信基站用的GaN HEMT大功率管产品,而与此同时美国DARPA支持的军用GaN HEMT正在艰苦攻关.文章分析了军民两种应用对器件要求的差异,指出高压工作时的长寿命是当前的难点.同时指出SiC MESFET已解决了高压工作时的可靠性问题,因而已被装备采用.最后对加速我国的微波宽禁带半导体器件实用化进程提出了建议.

关键词：宽禁带半导体微波半导体功率管器件实用化 GaN HEM

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高性能半绝缘4H-SiC衬底AlGaN/GaN HEMT

高性能半绝缘4H-SiC衬底AlGaN/GaN HEMT

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：任春江李忠辉焦刚钟世昌董逊薛舫时陈辰陈堂胜南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室

利用南京电子器件研究所的MOCVD设备在半绝缘4H-SiC衬底外延生长了AlGaN/GaN异质结,运用该材料研制了8 GHz输出功率密度10.52 W/mm的HEM器件。非接触霍尔测试表明,经过优化的AlGaN/GaN异质结材料中的二维电子气（2DEG）面密度为1.0×... 详细信息

利用南京电子器件研究所的MOCVD设备在半绝缘4H-SiC衬底外延生长了AlGaN/GaN异质结,运用该材料研制了8 GHz输出功率密度10.52 W/mm的HEM器件。非接触霍尔测试表明,经过优化的AlGaN/GaN异质结材料中的二维电子气（2DEG）面密度为1.0×10cm,迁移率达1 880 cm/V·s。在该材料上研制了栅长0.35μm带场板的AlGaN/GaNHEMT,小信号测试表明器件f为31.6 GHz,最高振荡频率f为36.8 GHz。研制的1 mm栅宽器件8 GHz、45 V工作电压下饱和输出功率为10.52 W,功率增益和功率附加效率分别为7.62 dB和45.8%。

关键词：氧化镓铝/氮化镓高电子迁移率晶体管电流崩塌

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亚微米GaAs PHEMT器件的结构设计与优化

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微波学报 2007年第1期23卷 52-55页

作者：李拂晓郑惟彬康耀辉黄庆安林罡东南大学MEMS教育部重点实验室江苏省南京市210000 南京电子器件研究所单片集成电路与模块电路国家重点试验室江苏省南京市210000

主要论述了采用POSES软件对亚微米GaAs PHEMT器件进行的结构设计与优化。在结构设计过程中,本文首先简要分析了PHEMT器件的工作原理;然后利用POSES软件数值求解了材料结构和器件性能之间的关系,并根据上述分析结果优化器件结构设计,完... 详细信息

主要论述了采用POSES软件对亚微米GaAs PHEMT器件进行的结构设计与优化。在结构设计过程中,本文首先简要分析了PHEMT器件的工作原理;然后利用POSES软件数值求解了材料结构和器件性能之间的关系,并根据上述分析结果优化器件结构设计,完成流片实验。流片得到的0.25μm GaAs PHEMT器件的性能参数为:跨导gm=440mS/mm、截止频率fT=50GHz、最大振荡频率fmax>80GHz,显示出良好的DC和AC小信号特性。

关键词：砷化镓膺配高电子迁移率晶体管二维电子气

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