检索结果-内蒙古大学图书馆

2009年全国微波毫米波会议

作者：张华陈安定於晓峰丁玉宁王子良戴雷南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室

本文设计了基于LTCC基板的三维多层微波延迟线,用于SIP系统。采用同轴线的概念,设计了类同轴垂直转换结构,以提供多层传输线间的连接。设计了多层弯折延迟线,对延迟线进行了三维全波电磁仿真优化,获得了较好的信号完整性:并在4～8GHz频... 详细信息

本文设计了基于LTCC基板的三维多层微波延迟线,用于SIP系统。采用同轴线的概念,设计了类同轴垂直转换结构,以提供多层传输线间的连接。设计了多层弯折延迟线,对延迟线进行了三维全波电磁仿真优化,获得了较好的信号完整性:并在4～8GHz频率内,分别获得了0.2nS和0.55nS的延迟时间。

关键词：三维微波延迟线 LTCC多层基板类同轴垂直转换 SIP

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8.5GHz～10GHz GaAs准单片功率放大器

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电子与封装 2007年第10期7卷 29-32页

作者：王义李拂晓唐世军郑维彬单片集成电路及模块电路国家级重点实验室南京电子器件研究所南京210016

文章介绍了一种准单片形式的功率放大器,采用南京电子器件研究所研制的12mm栅宽的GaAs pHEMT功率管芯,设计了准单片电路形式的匹配电路,设计所得的功率放大器在8.5GHz^10GHz频带范围内,输出功率典型值为5W,功率增益大于6dB,相对带宽大于... 详细信息

文章介绍了一种准单片形式的功率放大器,采用南京电子器件研究所研制的12mm栅宽的GaAs pHEMT功率管芯,设计了准单片电路形式的匹配电路,设计所得的功率放大器在8.5GHz^10GHz频带范围内,输出功率典型值为5W,功率增益大于6dB,相对带宽大于16%,典型功率附加效率为25%,输入电压驻波比小于2.5。

关键词： GaAs pHEMT 宽带准单片功率放大器

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势垒层和插入层厚度对AlGaN/GaN异质结性质的影响

势垒层和插入层厚度对AlGaN/GaN异质结性质的影响

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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：李忠辉董逊南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室210016

利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)在蓝宝石衬底上外延生长AlGaN/AlN/GaN异质结材料,通过Hall效应测试并分析了AlN和AlGaN层厚度对2DEG密度和方阻的影响,优化异质结构,以汞探针CV、非接触电学测试方法表征了样品的2DEG浓度分布和方阻... 详细信息

利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)在蓝宝石衬底上外延生长AlGaN/AlN/GaN异质结材料,通过Hall效应测试并分析了AlN和AlGaN层厚度对2DEG密度和方阻的影响,优化异质结构,以汞探针CV、非接触电学测试方法表征了样品的2DEG浓度分布和方阻均匀性。

关键词： 2DEG AlGaN GaN异质结 MOCVD 金属有机物化学气相沉积外延生长

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GaN MSM型紫外探测器

GaN MSM型紫外探测器

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2007年全国微波毫米波会议

作者：姜文海陈辰李忠辉周建军董逊南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室

采用以MOCVD设备生长的宽带隙非故意掺杂的n-GaN材料制备了金属-半导体-金属型的紫外光电探测器。在1.5V偏压下具有陡峭的截止边,表现出可见盲特性,其响应度为0.71A/W,峰值在362nm处,紫外/可见抑制比接近10～3。通过击穿单侧肖特基结对... 详细信息

采用以MOCVD设备生长的宽带隙非故意掺杂的n-GaN材料制备了金属-半导体-金属型的紫外光电探测器。在1.5V偏压下具有陡峭的截止边,表现出可见盲特性,其响应度为0.71A/W,峰值在362nm处,紫外/可见抑制比接近10～3。通过击穿单侧肖特基结对另一侧的肖特基结进行了测试,并以此对器件的工作方式和设计优化进行了分析。

关键词：紫外探测器可见盲宽带隙

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硅膜RFMEMS开关

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电子工业专用设备 2017年第4期46卷 30-34页

作者：杜国平朱健郁元卫姜理利南京电子器件研究所江苏南京210016 单片集成电路与模块国家重点实验室江苏南京210016

利用静电驱动原理设计了一种新颖的射频硅膜RF MEMS开关,其开关的优点在于:巧妙的运用CPW传输线的地线作为下电极,加大了开关驱动面积,减小了驱动电压;利用硅膜作为结构层,利用硅本身优良的机械特性可提高开关的可靠性;具有静电接触式... 详细信息

利用静电驱动原理设计了一种新颖的射频硅膜RF MEMS开关,其开关的优点在于:巧妙的运用CPW传输线的地线作为下电极,加大了开关驱动面积,减小了驱动电压;利用硅膜作为结构层,利用硅本身优良的机械特性可提高开关的可靠性;具有静电接触式开关低频隔离度的优点。通过流片得到了满意的开关样品,测试结果表明:在DC-6 GHz频率范围内,开关的插入损耗小于0.5 dB,隔离度大于30 dB。

关键词：射频MEMS 开关硅膜

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C波段窄带腔体滤波器设计

C波段窄带腔体滤波器设计

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2007年全国微波毫米波会议

作者：张华孙健陶若燕南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室

本文对同轴腔体滤波器的电磁结构模型进行了理论分析,得出计算谐振腔体间耦合系数的公式,以及谐振单元本征值等关键参数,并应用三维电磁仿真软件进行分析、优化,最后对滤波器实物进行测试,实测与仿真结果吻合。与传统的C波段腔体、波导... 详细信息

本文对同轴腔体滤波器的电磁结构模型进行了理论分析,得出计算谐振腔体间耦合系数的公式,以及谐振单元本征值等关键参数,并应用三维电磁仿真软件进行分析、优化,最后对滤波器实物进行测试,实测与仿真结果吻合。与传统的C波段腔体、波导窄带带通滤波器相比,该同轴腔体滤波器实现了小型化。

关键词：窄带同轴腔体滤波器全波分析耦合系数本征值

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高功率GaN微波功率放大模块及其应用

高功率GaN微波功率放大模块及其应用

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2010’全国半导体器件技术研讨会

作者：唐世军徐永刚陈堂胜任春江钟世昌陈辰南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室

采用GaN微波功率HEMT 0.4 mm和2 mm管芯,应用GaAs匹配电路实现C波段微波功率模块。该器件研制中采用两级放大电路,正负电源结构,在5.5 GHz,28 V工作电压下,饱和输出功率达到了14 W,此时功率增益为20 dB、功率附加效率(PAE)为46%。实现... 详细信息

采用GaN微波功率HEMT 0.4 mm和2 mm管芯,应用GaAs匹配电路实现C波段微波功率模块。该器件研制中采用两级放大电路,正负电源结构,在5.5 GHz,28 V工作电压下,饱和输出功率达到了14 W,此时功率增益为20 dB、功率附加效率(PAE)为46%。实现了低电流、高效、高可靠性、可实用的功率模块。

关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管功率放大模块

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SiC基AlGaN/GaN HEMTs外延工艺研究

SiC基AlGaN/GaN HEMTs外延工艺研究

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：李忠辉董逊任春江李亮焦刚陈辰陈堂胜南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室

利用MOCVD研究了SiC衬底AlGaN/GaN HEMTs材料外延生长工艺。所研制GaNHEMTs外延材料的2DEG方块电阻不均匀性约为2%,n×μ达到2.2×10/V·s（室温）。采用上述材料制作1 mm栅宽HEMTs器件,8 GHz、45 V工作时输出功率密度10.52... 详细信息

利用MOCVD研究了SiC衬底AlGaN/GaN HEMTs材料外延生长工艺。所研制GaNHEMTs外延材料的2DEG方块电阻不均匀性约为2%,n×μ达到2.2×10/V·s（室温）。采用上述材料制作1 mm栅宽HEMTs器件,8 GHz、45 V工作时输出功率密度10.52 W/mm,功率增益7.62 dB,功率附加效率45.8%,表明该外延材料具有较好的微波应用潜力。

关键词：碳化硅氮化镓高电子迁移率晶体管

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高温正向栅电流下Ti／Pt／Au栅SiC MESFET的栅退化机理

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微电子学 2009年第1期39卷 132-136页

作者：崔晓英黄云恩云飞陈刚柏松工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室广州510610 南京电子器件研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室南京210016

SiC MESFET器件的性能强烈依赖于栅肖特基结的特性,而栅肖特基接触的稳定性直接影响其可靠性。针对SiC MESFET器件在微波频率的应用中射频过驱动导致高栅电流密度的现象,设计了两种栅极大电流的条件,观察栅肖特基接触和器件特性的变化,... 详细信息

SiC MESFET器件的性能强烈依赖于栅肖特基结的特性,而栅肖特基接触的稳定性直接影响其可靠性。针对SiC MESFET器件在微波频率的应用中射频过驱动导致高栅电流密度的现象,设计了两种栅极大电流的条件,观察栅肖特基接触和器件特性的变化,并通过对试验数据的分析,确定了栅的寄生并联电阻的缓慢退化是导致栅肖特基结和器件特性退化,甚至器件烧毁失效的主要原因。

关键词： SiC MESFET肖特基结栅退化可靠性

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8bit1．4GS／s模数转换器

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固体电子学研究与进展 2010年第1期30卷 F0003-F0003页

作者：张有涛李晓鹏刘奡张敏钱峰陈辰单片集成电路与模块国家重点实验室南京电子器件研究所南京210016

超高速模数转换器(ADC)是软件无线电、高速数据采集和宽带数字化雷达的关键组成部分.附带校准技术的折叠内插ADC具有等同快闪(FLASH)ADC的高转换速度,是设计超高速ADC的最佳选择,但仍需综合考虑各项指标来时行校准方法设计及芯片架构优化.

关键词：高速模数转换器南京电子器件研究所高速ADC 高速数据采集校准技术软件无线电数字化雷达组成部分

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