检索结果-内蒙古大学图书馆

固体电子学研究与进展 2007年第3期27卷 F0003-F0003页

作者：陈堂胜张斌焦刚任春江陈辰邵凯杨乃彬单片集成电路与模块国家重点实验室南京电子器件研究所南京210016

AIGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）以其高输出功率密度、高电压工作和易于宽带匹配等优势将成为下一代高频固态微波功率器件。微波功率器件主要有内匹配功率管和功率单片微波集成电路（MMIC）两种结构形式，功率MMIC尽管其研制成本... 详细信息

AIGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）以其高输出功率密度、高电压工作和易于宽带匹配等优势将成为下一代高频固态微波功率器件。微波功率器件主要有内匹配功率管和功率单片微波集成电路（MMIC）两种结构形式，功率MMIC尽管其研制成本相对较高，但功率MMIC可实现宽带匹配，同时功率MMIC的体积较内匹配功率管小得多，

关键词：功率密度 AlGaN/GaN MMIC X-波段 HEMT 高电子迁移率晶体管 AIGaN/GaN 单片微波集成电路

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基于MEMS圆片级封装/通孔互联技术的SIP技术

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固体电子学研究与进展 2011年第2期31卷 F0003-F0003页

作者：朱健吴璟贾世星姜国庆南京电子器件研究所南京210016 单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016

随着科学技术的发展，3DSIP（System—in—package）技术已成为世界热点。基于MEMS圆片级封装WLP（Wafer—level packaging）的SIP技术是目前3DSIP最重要技术之一，

关键词：圆片级封装 IP技术 MEMS 互联技术通孔 level 科学技术

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3.6mm SiC MESFET器件的射频功率特性

3.6mm SiC MESFET器件的射频功率特性

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第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

作者：陈刚柏松张涛李哲洋蒋幼泉南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室南京 210016

介绍了S波段3.6mm栅宽4H-SiC MESFET功率管的材料设计，制作工艺和微波性能研究。采用半绝缘衬底的自主外延的SiC三层外延片，成功制作出单胞3.6mm栅宽的芯片，经过装架、压丝，未作内匹配，单管器件在S波段2 GHz频率连续波下，输出功率... 详细信息

介绍了S波段3.6mm栅宽4H-SiC MESFET功率管的材料设计，制作工艺和微波性能研究。采用半绝缘衬底的自主外延的SiC三层外延片，成功制作出单胞3.6mm栅宽的芯片，经过装架、压丝，未作内匹配，单管器件在S波段2 GHz频率连续波下，输出功率为15.1W，小信号增益大于10dB，功率附加效率(PAE)为39％;在2GHz频率脉冲测试条件下，测试功率输出为18.3W，此时增益大于8dB。

关键词：金属-半导体场效应晶体管制造工艺材料性能优化设计

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C波段连续波60W AIGaN/GaN功率管及其应用

C波段连续波60W AIGaN/GaN功率管及其应用

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2013年全国微波毫米波会议

作者：钟世昌陈堂胜景少红任春江陈辰高涛南京电子器件研究所单片集成电路及模块电路国家重点实验室

本文通过设计C波段连续波60W GaN内匹配功率管,研究了内匹配电路的设计、合成以及内匹配电路的测试,实现了GaN功率HEMT在C波段60W连续波输出功率的内匹配电路,并使整个电路的输入、输出电路阻抗提升至50Ω。最终所研制的A1GaN/GGaN C波... 详细信息

本文通过设计C波段连续波60W GaN内匹配功率管,研究了内匹配电路的设计、合成以及内匹配电路的测试,实现了GaN功率HEMT在C波段60W连续波输出功率的内匹配电路,并使整个电路的输入、输出电路阻抗提升至50Ω。最终所研制的A1GaN/GGaN C波段内匹配功率管在28V漏电压,5.3～5.9GHz频带内输出功率大于60W,最高功率输出77.6W,.带内功率增益大于10dB,最大功率附加效率52.9%,充分展示了GaN功率器件在性能上的优势。

关键词： GaN 功率管内匹配功率附加效率

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C波段连续波60W AlGaN/GaN功率管及其应用

C波段连续波60W AlGaN/GaN功率管及其应用

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2013年全国微波毫米波会议

作者：钟世昌陈堂胜景少红任春江陈辰高涛南京电子器件研究所南京210016 单片集成电路及模块电路国家重点实验室南京210016 南京电子器件研究所南京210016

本文通过设计C波段连续波60W GaN内匹配功率管,研究了内匹配电路的设计、合成以及内匹配电路的测试,实现了GaN功率HEMT在C波段60W连续波输出功率的内匹配电路,并使整个电路的输入、输出电路阻抗提升至50Ω.最终所研制的AlGaN/GaN C波段... 详细信息

本文通过设计C波段连续波60W GaN内匹配功率管,研究了内匹配电路的设计、合成以及内匹配电路的测试,实现了GaN功率HEMT在C波段60W连续波输出功率的内匹配电路,并使整个电路的输入、输出电路阻抗提升至50Ω.最终所研制的AlGaN/GaN C波段内匹配功率管在28V漏电压,5.3～5.9GHz频带内输出功率大于60W,最高功率输出77.6W,带内功率增益大于10dB,最大功率附加效率52.9％,充分展示了GaN功率器件在性能上的优势.

关键词：氮化镓功率管内匹配电路设计理念输出功率

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MEMS层叠器件悬空结构划切方法研究

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电子工业专用设备 2019年第4期48卷 9-12页

作者：钱可强吴杰王冬蕊姜理利黄旼南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016

针对MEMS层叠器件悬空结构划切的各种缺陷,提出了分段进给式切割方法,通过多次切割同一个划切槽,切割深度依次增加,直到切割深度大于悬梁厚度,有效减小悬空结构底部崩边和裂纹。为解决划片槽覆盖有划切标记和介质钝化层的划片正面崩边问... 详细信息

针对MEMS层叠器件悬空结构划切的各种缺陷,提出了分段进给式切割方法,通过多次切割同一个划切槽,切割深度依次增加,直到切割深度大于悬梁厚度,有效减小悬空结构底部崩边和裂纹。为解决划片槽覆盖有划切标记和介质钝化层的划片正面崩边问题,进一步提出了预开槽分段进给式切割方案,用宽刀开槽,再用窄刀分段进给式切割,解决了悬空结构正面崩边和侧边裂纹等划切缺陷,使得崩边尺寸减小至10μm以内,大大提高成品率。

关键词：微机电系统层叠器件划片圆片级堆叠

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Al0.66Ga0.34N日盲紫外光电探测器研究

Al0.66Ga0.34N日盲紫外光电探测器研究

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：姜文海陈辰周建军李忠辉董逊南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室南京 210016

本文中采用MOCVD生长的高Al含量n-AlxGa1-x制备了MSM结构紫外日盲探测器。材料为非故意掺杂n型,表面无裂缝。经二轴X射线衍射(TAXRD)对外延材料进行测试,AlxGa1-x半峰宽(FWHM)为155 arcsec,显示了良好的晶体质量。经光谱响应测试,探测... 详细信息

本文中采用MOCVD生长的高Al含量n-AlxGa1-x制备了MSM结构紫外日盲探测器。材料为非故意掺杂n型,表面无裂缝。经二轴X射线衍射(TAXRD)对外延材料进行测试,AlxGa1-x半峰宽(FWHM)为155 arcsec,显示了良好的晶体质量。经光谱响应测试,探测器存在两个峰值响应,波长分别位于255nm和365nm处,说明探测器同时具有日盲探测和双色探测特征。存6V偏压下255nm处响应度为0.1A/W,并以此推算出AlxGa1-xN材料的Al含量为0.66。

关键词： MSM结构紫外日盲探测器光电探测器化学气相沉积法半峰宽

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4H-SiC MESFET工艺中的金属掩膜研究

4H-SiC MESFET工艺中的金属掩膜研究

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：陈刚李哲洋陈征冯忠陈雪兰柏松南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室 210016

在4H-SiC MESFET微波功率器件制造技术中干法刻蚀是一个很重要的工艺,而对SiC外延片的RIE、ICP等干法刻蚀来说,有光刻胶、Ni、Al和镍硅化物等多种掩膜方法。其中用光刻胶做掩膜时刻蚀形成的台阶角度缓不垂直,而Ni、Al等金属掩膜在干法... 详细信息

在4H-SiC MESFET微波功率器件制造技术中干法刻蚀是一个很重要的工艺,而对SiC外延片的RIE、ICP等干法刻蚀来说,有光刻胶、Ni、Al和镍硅化物等多种掩膜方法。其中用光刻胶做掩膜时刻蚀形成的台阶角度缓不垂直,而Ni、Al等金属掩膜在干法刻蚀后易形成接近垂直的台阶。本论文通过对Ni、Al、镍硅化物等多种金属掩膜的研究,得到了干法刻蚀台阶垂直且表面状况良好的Ni金属掩膜条件,最终成功制备出9mm的SiCMESFET微波功率器件,在2GHz脉冲输出功率超过38W,功率增益9dB。

关键词：碳化硅金属掩膜微波功率器件干法刻蚀功率增益

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Si掺杂对于n型Al0.5Ga0.5N的影响

Si掺杂对于n型Al0.5Ga0.5N的影响

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：李亮李忠辉董逊周建军孔月婵姜文海陈辰南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室南京 210016

AIN缓冲层技术在蓝宝石衬底上通过MOCVD方法成功制备出0.5μm的Si掺杂Al0.5Ga0.5N外延薄膜,并对其电学、光学与结构特性进行了研究。Hall测量表明,在室温下n型Al0.5Ga0.5N中的载流子浓度和迁移率分别为1.2×1019cm-3和12cm2/V&a... 详细信息

AIN缓冲层技术在蓝宝石衬底上通过MOCVD方法成功制备出0.5μm的Si掺杂Al0.5Ga0.5N外延薄膜,并对其电学、光学与结构特性进行了研究。Hall测量表明,在室温下n型Al0.5Ga0.5N中的载流子浓度和迁移率分别为1.2×1019cm-3和12cm2/V·s载流子浓度随Si掺杂量的增加而增大。利用XRD和Raman等测量方法研究了Zi掺杂Al0.5Ga0.5N薄膜晶格常数c和Raman散射谱随SiH4流量的变化。随着SiH4流量的增大,Al0.5Ga0.5N薄膜的晶格常数c变小同时E2声子峰发生红移。这表明掺Si后Al0.5Ga0.5N薄膜中的压应力得到了一定程度的弛豫。

关键词：氮化镓外延薄膜硅掺杂 MOCVD法蓝宝石衬底载流子浓度

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AlGaN/GaN HFET中的陷阱位置和激活能

AlGaN/GaN HFET中的陷阱位置和激活能

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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：薛舫时单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所南京210016

自洽求解薛定谔方程和泊松方程得到异质结能带和沟道阱基态、激发态及二维表面态的波函数.研究了表面陷阱位置及其激活能.发现表面高密度缺陷减薄了势垒层厚度,显著增强了热电子隧穿过程.从缺陷态发射电子和热电子隧穿构成的新陷阱模型... 详细信息

自洽求解薛定谔方程和泊松方程得到异质结能带和沟道阱基态、激发态及二维表面态的波函数.研究了表面陷阱位置及其激活能.发现表面高密度缺陷减薄了势垒层厚度,显著增强了热电子隧穿过程.从缺陷态发射电子和热电子隧穿构成的新陷阱模型出发,解释了HFET的瞬态电流和产生-复合噪声.最后讨论了改进材料生长和器件工艺来抑制陷阱效应,改善器件性能的途径.

关键词： AlGaN GaN场效应管陷阱位置激活能表面缺陷热电子隧穿薛定谔方程异质结能带

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